一种有机化合物及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种有机化合物及其应用。所述有机化合物具有如式I所示结构。本发明专利技术所述有机化合物具有良好的热稳定性和成膜性，适宜的玻璃化温度Tg，因此利于在热真空蒸镀过程中形成稳定、均一的薄膜，同时减少相分离，保持器件的稳定性。具有较高的载流子传输速率以及平衡的载流子传输性能，以利于器件中空穴和电子传输的平衡同时获得较宽的载流子复合区域，提高发光效率。发光效率。发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种有机化合物及其应用


[0001]本专利技术属于有机电致发光材料
，具体涉及一种有机化合物及其应用，特别提供一种发光主体材料以及这种材料在有机光电装置中的应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光材料(OLED)作为新一代显示技术，具有超薄、自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低等优点，已广泛应用于平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示等行业。
[0003]按发光机理可分为电致荧光和电致磷光两种，荧光是单重态激子的辐射衰减跃迁，磷光则是三重态激子辐射衰减到基态所发射的光。根据自旋量子统计理论，单重态激子和三重态激子的形成概率比例是1:3。荧光材料内量子效率不超过25％的限制，外量子效率普遍低于5％；电致磷光材料的内量子效率理论上达到100％，外量子效率可达20％。1998年，我国吉林大学的马於光教授和美国普林斯顿大学的Forrest教授分别报道了采用锇配合物和铂配合物作为染料掺杂入发光层，第一次成功得到并解释了磷光电致发光现象，并开创性的将所制备磷光材料应用于电致发光器件。
[0004]CN103304540A公开了一种磷光主体材料、其制备方法和有机电致发光器件，所述磷光主体材料分子结构为含有咔唑基的芴和吡啶键接起来的吡啶取代二芴类，芴和吡啶的热稳定性较高，咔唑基具有空穴传输性质，吡啶基具有电子传输性质，使该磷光主体材料的热稳定性较高且具有较好的载流子传输性能。
[0005]CN107311978A公开了一种磷光主体材料、其制备方法及采用该材料的有机发光器件，所述磷光主体材料具有为含有吡啶基和咔唑基的芴类化合物，具有宽能隙、高玻璃化温度和浓度淬灭效应小的特点。然而，包括上述材料在内的磷光主体材料在发光性能、使用稳定性和加工性能方面还存在很多不足之处，无法满足其作为发光材料在显示器件中的应用要求，磷光主体材料在综合性能的改进和平衡方面还具有很大的提升空间。
[0006]因此，开发一种可以降低驱动电压，提高器件的发光效率和寿命，以满足在电致发光
中可得到更好的应用是本领域的研究重点。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种有机化合物及其应用，本专利技术所述有机化合物具有良好的热稳定性和成膜性，适宜的玻璃化温度Tg，利于在热真空蒸镀过程中形成稳定、均一的薄膜，同时减少相分离，保持器件的稳定性。具有较高的载流子传输速率以及平衡的载流子传输性能，以利于器件中空穴和电子传输的平衡同时获得较宽的载流子复合区域，提高发光效率。
[0008]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种有机化合物，所述有机化合物具有如式I所示结构：
[0010][0011]其中，R1、R2、Ar1、Ar2、Ar3各自独立地选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基。
[0012]L1、L2、L3各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基。
[0013]n1、n2、n3各自独立地选自0～3的整数，例如可以是0、1、2、3。
[0014]m1、m2、m3各自独立地选自0～3的整数，例如可以是0、1、2、3。
[0015]在本专利技术中，C6～C30各自独立地可以为C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30等。
[0016]在本专利技术中，C3～C30各自独立地可以为C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30等。
[0017]本专利技术提供的有机化合物为一系列以氮杂环类结构为中心骨架的新型有机化合物，母核结构与取代基的相互配合，使得此类材料具有较高的玻璃化温度和热稳定性，容易形成良好的无定形薄膜，可以降低驱动电压，提高器件的发光效率和寿命，在电致发光
中可得到较好的应用。
[0018]在本专利技术中，所述取代的芳基、取代的杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、卤素、氰基、氨基、巯基、C1～C10(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)直链或支链烷基、C1～C10(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)直链或支链烷氧基、C6～C30(例如可以是C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30等)的芳基或C3～C30(例如可以是C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30等)的杂芳基中的至少一种。
[0019]在本专利技术中，所述芳基选自苯基、萘基、蒽基、菲基、联苯基、联萘基、联蒽基、联芴基、三联苯基、三亚苯基、苯并菲基、苯并蒽基、9,9'
‑
二甲基芴基或9,9'
‑
二苯基芴基中的任意一种。
[0020]在本专利技术中，所述杂芳基选自唑基、异唑基、三唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、哌嗪基、吡唑基、二唑基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、三嗪基、茚满基、茚基、菲咯啉基、苯并喹喔啉基、二苯并喹喔啉基、苯并菲咯啉基、二苯并菲咯啉基、苯并唑基或二苯并唑基中的任意一种。
[0021]在本专利技术中，所述R1、R2各自独立地选自取代或未取代的苯基。
[0022]在本专利技术中，所述Ar1、Ar2、Ar3各自独立地选自如下基团中的任意一种：
[0023][0024]其中，虚线代表基团的连接位点。
[0025]R3、R4、R5各自独立地选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基。
[0026]在本专利技术中，所述R3、R4、R5各自独立地选自取代或未取代的氢、取代或未取代的苯基。
[0027]在本专利技术中，所述L1、L2、L3各自独立地选自单键、取代或未取代的苯基。
[0028]在本专利技术中，所述n1、n2、n3、m1、m2、m3各自独立地选自0或1，且m1、m2、m3不同时为0。
[0029]在本专利技术中，所述有机化合物选自如下化合物P1～P85中的任意一种：
[0030][0031][0032][0033][0034][0035][0036][0037]第二方面，本专利技术提供一种电致发光材料，所述电致发光材料包括如第一方面所述的有机化合物。
[0038]第三方面，本专利技术提供一种有机光电装置，所述有机光电装置包括阳极、阴极和位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述机薄膜层包括如第一方面所述的有机化合物或如第二方面所述的电致发光材料。
[0039]在本专利技术中，所述阳极材料包括但不限于：金属(铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等)及金属的合金；金属氧化物(氧化铟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有如式I所示结构：其中，R1、R2、Ar1、Ar2、Ar3各自独立地选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基；L1、L2、L3各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基；n1、n2、n3各自独立地选自0～3的整数；m1、m2、m3各自独立地选自0～3的整数。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述取代的芳基、取代的杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、卤素、氰基、氨基、巯基、C1～C10直链或支链烷基、C1～C10直链或支链烷氧基、C6～C30的芳基或C3～C30的杂芳基中的至少一种。3.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述芳基选自苯基、萘基、蒽基、菲基、联苯基、联萘基、联蒽基、联芴基、三联苯基、三亚苯基、苯并菲基、苯并蒽基、9,9'
‑
二甲基芴基或9,9'
‑
二苯基芴基中的任意一种。4.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述杂芳基选自唑基、异唑基、三唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、哌嗪基、吡唑基、二唑基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、三嗪基、茚满基、茚基、菲咯啉基、苯并喹喔啉基、二苯并喹喔啉基、苯并菲咯啉基、二苯并菲咯啉基、苯并唑基或二苯并唑基中的任意一种。5.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述R1、R2各自独立地选自取代或未取代的苯基。6.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述Ar1、Ar2、Ar3各自独立地选自如下基团中的任意一种：
其中，虚线代表基团的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘营，姜东，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：