一种主板功能模块的测试电路及其测试方法技术

本发明专利技术涉及电路技术领域，具体涉及一种主板功能模块的测试电路及其测试方法，测试电路包括主板和测试板；通过第一处理器控制第二控制开关导通，从而控制第一控制开关导通，以将第一供电电源端的供电电压输出到第二供电电源端，通过第二供电电源端的供电电压为负载提供供电电压；第二处理器响应ADC检测芯片发送的中断提示信息,获取ADC检测芯片读取的ADC值；并根据其中的第一ADC接口的电压值确定第一电阻的输入电压，第二ADC接口的电压值确定第一电阻的输出电压；根据第一电阻的输入电压和输出电压计算得到负载的电压、电流和功率，本发明专利技术能够单独测试主板中各个负载的功率。本发明专利技术能够单独测试主板中各个负载的功率。本发明专利技术能够单独测试主板中各个负载的功率。

【技术实现步骤摘要】
一种主板功能模块的测试电路及其测试方法


[0001]本专利技术涉及电路
，具体涉及一种主板功能模块的测试电路及其测试方法。

技术介绍

[0002]现有的主板测试产线中，只能测试到主板的输入功率，但是对于主板中各个负载的功能，是没有办法测试，比如主板上有USB设备，当USB设备打开的时候，只能测试到总输入功率的变化，不能单独测试主板中各个负载的功率。
[0003]因此，需要提供一种主板功能模块的测试电路，能测试主板中各个负载的功率。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的在于提供一种主板功能模块的测试电路及其测试方法，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种主板功能模块的测试电路，包括：主板和测试板；
[0007]所述主板上设置有第一处理器、第一控制开关、第二控制开关、负载、以及主板侧接入点组；所述主板侧接入点组包括第一主板接入点、第二主板接入点、第三主板接入点、以及第四主板接入点；其中，所述第一控制开关的输入端连接第一供电电源端，所述第一控制开关的输出端连接第二供电电源端，所述第一控制开关的控制端连接第二控制开关的控制端，所述第一处理器连接第二控制开关的输入端，所述第二供电电源端连接负载；所述第一主板接入点设置于第一控制开关和第一供电电源端之间，所述第二主板接入点设置于第一控制开关和第二供电电源端之间，所述第三主板接入点设置于所述第一处理器和第二控制开关之间，所述第四主板接入点接地；
[0008]所述测试板上设置有第二处理器、ADC检测芯片、以及测试侧接入点组；所述测试侧接入点组包括第一测试接入点、第二测试接入点、第三测试接入点、以及第四测试接入点；其中，所述第二处理器通过I2C接口和ADC检测芯片连接，所述ADC检测芯片通过第一ADC接口和第一测试接入点连接，所述ADC检测芯片通过第二ADC接口和第二测试接入点连接，所述第三测试接入点和第四测试接入点均接地；
[0009]所述第一ADC接口和第二ADC接口之间连接有第一电阻；
[0010]所述第一处理器，用于控制第二控制开关导通，从而控制第一控制开关导通，以将第一供电电源端的供电电压输出到第二供电电源端，通过第二供电电源端的供电电压为负载提供供电电压；
[0011]所述第二处理器，用于响应ADC检测芯片发送的中断提示信息,获取ADC检测芯片读取的ADC值；所述ADC值包括：第一ADC接口的电压值和第二ADC接口的电压值；
[0012]以及用于根据第一ADC接口的电压值确定第一电阻的输入电压，根据第二ADC接口
的电压值确定第一电阻的输出电压；根据第一电阻的输入电压和输出电压计算得到负载的电压、电流和功率。
[0013]作为上述技术方案的进一步改进，所述第一控制开关为PMOS管，所述第二控制开关为NPN型三极管；
[0014]所述PMOS管的源极连接第一供电电源端，所述PMOS管的漏极连接第二供电电源端，所述PMOS管的栅极连接NPN型三极管的集电极，所述处理器连接NPN型三极管的基极，所述NPN型三极管的发射极接地；
[0015]所述第一主板接入点设置于PMOS管的源极和第一供电电源端之间，所述第二主板接入点设置于PMOS管的漏极和第二供电电源端之间，所述第三主板接入点设置于所述第一处理器和NPN型三极管的基极之间。
[0016]作为上述技术方案的进一步改进，所述第二处理器还连接有显示屏，所述显示屏用于显示所述第二处理器处理得到的负载的电压、电流和功率。
[0017]作为上述技术方案的进一步改进，所述ADC检测芯片采用型号为INA226的芯片，所述ADC检测芯片的VBUS管脚连接ADC检测芯片的IN+管脚，所述ADC检测芯片的VBUS管脚和IN+管脚共同连接第一测试接入点；所述ADC检测芯片的管脚IN
‑
连接第一电阻的一端，ADC检测芯片的IN+管脚连接第一电阻的另一端。
[0018]作为上述技术方案的进一步改进，所述第一电阻的阻值为50mR，所述第一主板接入点和第二控制开关的集电极之间设置有第二电阻，所述第二电阻的阻值为47KΩ；所述第三主板接入点和所述第一处理器之间设置有第三电阻，所述第三电阻的阻值为1KΩ。
[0019]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种主板功能模块的测试电路的测试方法，应用于第一方面任一所述的主板功能模块的测试电路，包括：
[0020]步骤S100，第一处理器控制第二控制开关导通，从而控制第一控制开关导通，以将第一供电电源端的供电电压输出到第二供电电源端，通过第二供电电源端的供电电压为负载提供供电电压；
[0021]步骤S200，第二处理器响应ADC检测芯片发送的中断提示信息,通过I2C接口获取ADC检测芯片读取的ADC值；所述ADC值包括：第一ADC接口的电压值和第二ADC接口的电压值；
[0022]步骤S300，第二处理器根据第一ADC接口的电压值确定第一电阻的输入电压，根据第二ADC接口的电压值确定第一电阻的输出电压；根据第一电阻的输入电压和输出电压计算得到负载的电压、电流和功率。
[0023]本专利技术的有益效果是：本专利技术提供一种主板功能模块的测试电路及其测试方法，能够单独测试主板中各个负载的功率。
[0024]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施
例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是本专利技术实施例中一种主板功能模块的测试电路的整体框图；
[0027]图2是本专利技术实施例中测试端侧的实现原理图；
[0028]图3是本专利技术实施例中测试端侧的实现原理图；
[0029]图4是本专利技术实施例中主板功能模块的测试电路的测试方法的流程图。
具体实施方式
[0030]以下将结合实施例和附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述，以充分地理解本专利技术的目的、方案和效果。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0031]在本专利技术的描述中，如果具有“若干”之类的词汇描述，其含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。
[0032]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种主板功能模块的测试电路，其特征在于，包括：主板和测试板；所述主板上设置有第一处理器、第一控制开关、第二控制开关、负载、以及主板侧接入点组；所述主板侧接入点组包括第一主板接入点、第二主板接入点、第三主板接入点、以及第四主板接入点；其中，所述第一控制开关的输入端连接第一供电电源端，所述第一控制开关的输出端连接第二供电电源端，所述第一控制开关的控制端连接第二控制开关的控制端，所述第一处理器连接第二控制开关的输入端，所述第二供电电源端连接负载；所述第一主板接入点设置于第一控制开关和第一供电电源端之间，所述第二主板接入点设置于第一控制开关和第二供电电源端之间，所述第三主板接入点设置于所述第一处理器和第二控制开关之间，所述第四主板接入点接地；所述测试板上设置有第二处理器、ADC检测芯片、以及测试侧接入点组；所述测试侧接入点组包括第一测试接入点、第二测试接入点、第三测试接入点、以及第四测试接入点；其中，所述第二处理器通过I2C接口和ADC检测芯片连接，所述ADC检测芯片通过第一ADC接口和第一测试接入点连接，所述ADC检测芯片通过第二ADC接口和第二测试接入点连接，所述第三测试接入点和第四测试接入点均接地；所述第一ADC接口和第二ADC接口之间连接有第一电阻；所述第一处理器，用于控制第二控制开关导通，从而控制第一控制开关导通，以将第一供电电源端的供电电压输出到第二供电电源端，通过第二供电电源端的供电电压为负载提供供电电压；所述第二处理器，用于响应ADC检测芯片发送的中断提示信息,获取ADC检测芯片读取的ADC值；所述ADC值包括：第一ADC接口的电压值和第二ADC接口的电压值；以及用于根据第一ADC接口的电压值确定第一电阻的输入电压，根据第二ADC接口的电压值确定第一电阻的输出电压；根据第一电阻的输入电压和输出电压计算得到负载的电压、电流和功率。2.根据权利要求1所述的一种主板功能模块的测试电路，其特征在于，所述第一控制开关为PMOS管，所述第二控制开关为NPN型三极管；所述PMOS管的源极连接第一供电电源端，所述PMOS管的漏极连接第二供电电源端，所述PMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钊文，
申请(专利权)人：广东天波信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：