【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片双温trim测试方法
[0001]本专利技术属于集成电路芯片的量产测试领域，具体涉及在量产过程中实现芯片双温trim测试。
技术背景
[0002]半导体芯片根据用途分类不同，在产品规格中对于工作温度范围要求不同，工业级芯片工作温度范围
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25℃～85℃，车规级芯片工作温度范围
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40℃～150℃。随着工作温度范围的扩大，量产测试中发现，部分在常温下完成1次trim的芯片，其在高温下的表现不一定达到预期，这就需要引入评价温度影响的温度参数，需要芯片分别在常温/高温下采集所有温度参数测试结果，并选择常温/高温差异最小的温度参数，进行第二次trim，使芯片在常温/高温下的表现都能达到预期。常温CP中采集的温度参数结果需要存储，以供高温CP中调用该结果进行温度参数选择，一般采用的数据存储方法为文本保存，在高温CP中将文本中的数据读取出来，这样就存在2个挑战：1)量产中保存的大量文本文件需要进行严格的管理工作，避免文件的混淆或丢失；2)读取文本数据时，需要将数据和芯片坐标对应起来，避免...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种实现双温trim的测试方法,针对含有flash的芯片，可以实现在常温/高温下完成2次trim，其特征在于：1)常温下，完成第一次trim，将trim值写入芯片；2)常温下，对完成第一次trim的芯片，测量不同温度参数下的输出模拟量；3)常温下，将不同温度参数下测得的输出模拟量存储到flash中，以供高温trim使用；4)高温下，对完成常温第一次trim的芯片，测量不同温度参数下的输出模拟量；5)高温下，将芯片flash中存储的输出模拟量读出；6)高温下，比较常温/高温下相同温度参数的输出模拟量，找出输出模拟量差值最小的温度参数，作为高温下第二次trim的温度参数；7)高温下，完成第二次trim，并将trim值写入芯片，取代第一次trim值，作为最...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜京哲，赵来钖，张楠，
申请(专利权)人：北京中电华大电子设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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