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本发明公开了一种半导体芯片双温trim测试方法，使芯片在常温下完成第一次trim后，将中间测试结果存储到flash中供高温trim使用，之后切换到高温下再完成第二次trim，使芯片在常温/高温下的表现都能达到预期。常温/高温下的表现都能达到...
该专利属于北京中电华大电子设计有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中电华大电子设计有限责任公司授权不得商用。

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