一种金蚀刻液制造技术

本发明专利技术涉及一种金蚀刻液。该蚀刻液由氧化剂、络合剂、增溶剂、pH缓冲剂、添加剂、氧化剂再生剂和去离子水组成。氧化剂为I2，络合剂为KI，增溶剂为极性有机溶剂，PH缓冲剂为多元酸盐，添加剂为含亲水基的芳香硝基化合物，氧化剂再生剂为吡咯烷酮类化合物。吡咯烷铜类化合物，与溶液中I

【技术实现步骤摘要】
一种金蚀刻液


[0001]本专利技术属于金属湿法蚀刻和半导体封测技术交叉领域，具体涉及一种贵金属金蚀刻液。

技术介绍

[0002]在MEMS和功率器件芯片制造及封装测试技术中，电极特性是影响器件性能的重要因素，需具备良好的导电性和稳定性以及较小的电迁移率。金电极材料由于具有极高的延展性，可以变很细，很薄，加上拥有其它金属无法比拟的化学稳定性，以及良好的电迁移特性而被应用于现今尺寸缩小的芯片以及高阶芯片的封装工艺中。
[0003]在晶圆级芯片封装工艺的发展中，布线线宽需随的渐缩，在现有的蚀刻过程中使用的金蚀刻液通常会导致蚀刻速率过快、过慢或者不稳定，蚀刻表面不均匀而造成线路导电性不佳、稳定性不高而易短路、断裂等缺失。因此需严格的控制金膜层的厚度和结构才能达到可靠性的要求。
[0004]因此有待开发一款蚀刻速率稳定、蚀刻表面均匀且蚀刻寿命长的金蚀刻液，来解决上述技术难点，从而提高器件的成品率。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术目的之一在于提供了一种蚀刻速率稳定，蚀刻表面均匀的金蚀刻组合物；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金蚀刻液，其特征在于，其含有1%~5%的I2、10%~20%的KI、增溶剂2%~6%、pH缓冲剂2.5%~4.5%、添加剂为0.1%
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2%、氧化剂再生剂为5%
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10%、余量为去离子水。2.根据权利要求1所述的金蚀刻液，其特征在于，所述的增溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、丙三醇、乙醚、二乙醇单丁醚中的至少一种。3.根据权利要求1所述的金蚀刻液，其特征在于，所述的pH缓冲剂包括K3PO4、K2HPO4、(NH4)3PO4、(NH4)2HPO4、Na2HPO4、一水合柠檬酸钾、柠檬酸钠中的至少一种。4.根据权利要求1所述的金蚀刻液，...

【专利技术属性】
技术研发人员：万杨阳，尹印，贺兆波，张庭，冯凯，王书萍，李鑫，李金航，钟昌东，黎鹏飞，彭浩，余迪，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：