一种侧蚀量可控的锗蚀刻液制造技术

本发明专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种侧蚀量可控的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于蚀刻晶圆上的锗膜层，并控制光阻结构下方的侧蚀量，组成包括氧化剂、氟离子源、粘度调节剂、pH调节剂和高纯水。氧化剂将锗氧化，且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合溶解锗的氧化物的作用；粘度调节剂用于控制蚀刻液粘度，改善侧向钻蚀能力；锗膜层上方光阻对pH值非常敏感，pH调节剂可以避免pH过低时导致光阻剥离。剥离。

【技术实现步骤摘要】
一种侧蚀量可控的锗蚀刻液


[0001]本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种侧蚀量可控的锗蚀刻液及其蚀刻方法。

技术介绍

[0002]六十年代以前，锗作为重要的半导体材料而被大量使用，随后由于硅材料的崛起，锗在半导体领域的用量大幅减少，然而其在红外、光纤、催化剂等领域的开发应用一直在持续。近年来，无线能量传输技术发展迅速，受到了业界越来越多的关注。对于微波无线能量传输系统的应用，锗肖特基二极管作为整流电路的核心元件表现出极为优异的性能。锗的空穴迁移率和电子迁移率都显著高于硅材料，因此锗晶体管的运行速度远高于硅晶体管。锗衬底的蚀刻可以采用干法蚀刻和湿法蚀刻，前者成本较高而且容易引入离子损伤导致缺陷；后者优势在于成本低，且湿法蚀刻具有较高的选择性。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对现有半导体集成电路工艺中对锗的湿法蚀刻侧蚀量难以的控制问题，目的在于提供一种侧蚀量可控的锗蚀刻液配方及其使用方法。
[0004]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：
[0005]一种侧蚀量可控的锗蚀刻液，锗蚀刻后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特征在于：蚀刻液主要成分包括1~15wt%的氧化剂、1~5wt%的氟离子源、0.1~1.0wt%的粘度调节剂、pH调节剂和余量的超纯水。2.根据权利要求1所述的侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特征在于：所述氧化剂为n
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氧化吡啶、过氧乙酸、双氧水、硝酸、苯醌、蒽醌中的至少一种，所述氟离子源为氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸、氟硼酸盐、氟硅酸、氟硅酸盐、三乙胺三氢氟酸、吡啶氢氟酸盐、四丁基氟化铵化合物中的至少一种。3.根据权利要求1所述的侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特征在于：所述的粘度调节剂为改性烷基二乙醇酰胺、改性聚丙烯酰胺、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸盐等物质中的至少一种。4.根据权利要求3所述的侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特征在于：所述改性烷基二乙醇酰胺是指在烷基二乙醇酰胺链上引入聚琥珀酰亚胺聚合物，所述烷基二乙醇酰胺选自椰油酸二乙醇酰胺、月桂酸二乙醇酰胺中的一种。5.根据权利要求3所述的侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特征在于：所述改性聚丙烯酰胺是指在聚丙烯酰胺长链上引入十二烷基硼酸二乙醇胺酯基团的化合物。6.根据权利要求1所述的侧蚀量可控的锗蚀刻液，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹印，陈小超，万杨阳，贺兆波，张庭，余迪，彭浩，冯凯，王书萍，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：