蚀刻剂组合物、布线形成方法及用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于蚀刻金属膜的蚀刻剂组合物、使用所述蚀刻剂组合物的布线形成方法以及用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法，根据本发明专利技术的蚀刻剂组合物的特征在于包括氢过氧化物、氟化合物、唑类化合物、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、磷酸盐化合物以及硫酸盐化合物，其中，所述磷酸盐化合物和所述硫酸盐化合物中的任一个包括铵盐，且当“Y＝[(水溶性化合物含量)+(硫酸盐化合物含量)]/[(氟化合物含量)+(磷酸盐化合物含量)]”时，Y值为16以上且200以下。Y值为16以上且200以下。Y值为16以上且200以下。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻剂组合物、布线形成方法及用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种用于蚀刻金属膜的蚀刻剂组合物、使用所述蚀刻剂组合物的布线形成方法以及用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法。

技术介绍

[0002]TFT
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LCD等液晶显示装置的像素电极使用铜膜、铜合金膜的单膜、或者铜膜和钼合金膜的多层膜等。像素电极一般是通过如下的一系列的光刻和蚀刻工艺来完成：通过溅射等方法层压在基板上，并在其上均匀涂上光刻胶，然后通过刻有图案的掩模进行光照射，然后通过显影形成所需图案的光刻胶后，再通过干法或湿法刻蚀将图案转印到光刻胶下面的金属膜上后，通过剥离工艺去除不需要的光刻胶。
[0003]以往用作金属布线膜材料的铬、钼、铝镍等具有高电阻，因此在大型TFT
‑
LCD中用作栅极和数据布线等时受到限制。
[0004]在这点上，与铝或铬相比电阻显着低且不存在太大环境问题的铜金属作为低电阻布线膜材料受到关注，但在铜膜的情况下，使用光刻胶图案作为掩模的选择性蚀刻存在问题，并且存在与玻璃基板或硅绝缘膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻剂组合物，其特征在于，包括：(A)过氧化氢；(B)氟化合物；(C)唑类化合物；(D)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物；(E)磷酸盐化合物；以及(F)硫酸盐化合物，其中，所述(E)磷酸盐化合物和所述(F)硫酸盐化合物中的任一个包括铵盐，并且下述等式1的Y值为16以上且200以下：[等式1]2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(B)氟化合物选自由HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、KF、KHF2、AlF3和HBF4组成的组中的至少一种。3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(C)唑类化合物选自由三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物组成的组中的至少一种。4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(D)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸和肌氨酸组成的组中的至少一种。5.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(E)磷酸盐化合物选自由磷酸一钠、磷酸二钠、磷酸一钾、磷酸二钾、磷酸一铵和磷酸二铵组成的组中的至少一种蚀刻剂组合物。6.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(F)硫酸盐化合物选自由硫酸钠、硫酸氢钠、硫酸钾、硫酸氢钾和硫酸铵组成的组中的至少一种。7.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述蚀刻剂组合物用于蚀刻金...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恩远，闵庚灿，崔容硕，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：