数据写入方法、存储设备和存储介质技术

本发明专利技术公开了一种数据写入方法、存储设备和计算机可读存储介质，所述方法包括主控单元获取待写入数据；通过预设的可逆编码算法确定所述待写入数据对应的编码结果；将所述编码结果发送至所述闪存控制器，使所述闪存控制器基于所述编码结果调整所述NAND的目标页内各个存储单元的电压阈值，其中，调整后的所述目标页内，所述电压阈值处于第一状态的所述存储单元的数量小于所述电压阈值处于第二状态的所述存储单元的数量，所述第二状态对应的所述电压阈值大于所述第一状态对应的电压阈值。本发明专利技术达成了提高存储设备的数据稳定性的效果。明达成了提高存储设备的数据稳定性的效果。明达成了提高存储设备的数据稳定性的效果。

【技术实现步骤摘要】
数据写入方法、存储设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及物料加工处理
，尤其涉及一种数据写入方法、存储设备和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]在电子信息技术高度发展的今天，计算机闪存设备NAND被应用于许多场景。例如，eMMC(Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒体卡)本质就是将NAND与主控IC集成封装在一起，得到的产品。
[0003]NAND根据每个存储单元(cell)内存储的比特个数的不同，其存储单元可以分为SLC(Single
‑
Level Cell，单极存储单元)、MLC(Multi
‑
Level Cell，多级存储单元)和TLC(Triple
‑
Level Cell，三能级存储单元)三类。而NAND的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差。
[0004]在TLC NAND中，读取扰动(read disturb)对处于erase state的存储单元的Vth存在比较严重的影响，这样导致NAND容易发生bit(binary digit，比特)出错的现象。使得NAND存在数据稳定性差的缺陷。
[0005]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于提供一种数据写入方法、存储设备和计算机可读存储介质，旨在解决存储设备的数据稳定性差的技术问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供一种数据写入方法，应用于存储设备，所述存储设备包括主控单元，闪存控制器和NAND，所述数据写入方法包括以下步骤：
[0008]主控单元获取待写入数据；
[0009]通过预设的可逆编码算法确定所述待写入数据对应的编码结果；
[0010]将所述编码结果发送至所述闪存控制器，使所述闪存控制器基于所述编码结果调整所述NAND的目标页内各个存储单元的电压阈值，其中，调整后的所述目标页内，所述电压阈值处于第一状态的所述存储单元的数量小于所述电压阈值处于第二状态的所述存储单元的数量，所述第二状态对应的所述电压阈值大于所述第一状态对应的电压阈值。
[0011]可选地，所述存储单元为多级存储单元MLC或者三级存储单元TLC。
[0012]可选地，当所述存储单元为所述TLC时，所述电压阈值包括依次增大的第一阈值、第二阈值、第三阈值、第四阈值、第五阈值、第六阈值、第七阈值和第八阈值；所述第一状态对应的所述电压阈值为所述第一阈值或者所述第二阈值，所述第二状态对应的所述电压阈值为第三阈值、第四阈值、第五阈值、第六阈值、第七阈值或者第八阈值。
[0013]可选地，所述主控单元获取待写入数据的步骤包括：
[0014]在接收到数据写入指令时，获取所述写入指令对应的所述待写入数据。
[0015]可选地，所述将所述编码结果发送至所述闪存控制器，使所述闪存控制器基于所述编码结果调整所述NAND的目标页内各个存储单元的电压阈值的步骤之后，还包括：
[0016]在接收到数据读取指令时，获取所述目标页内的各个所述存储单元对应的当前电压阈值；
[0017]基于所述当前电压阈值及所述可逆编码算法解码出待读取数据；
[0018]输出所述待读取数据。
[0019]可选地，所述通过预设的可逆编码算法确定所述待写入数据对应的编码结果的步骤包括：
[0020]将所述待写入数据输入编码器，其中，所述编码器基于所述可逆编码算法对所述待写入数据进行编码，并输出编码结果；
[0021]获取所述编码结果，其中，所述编码结果包括所述目标页内各个所述存储单元对应的理论阈值电压。
[0022]本专利技术还提供一种存储设备，所述存储设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的数据写入程序，所述数据写入程序被所述处理器执行时实现如上所述的数据写入方法的各个步骤。
[0023]可选地，所述存储设备包括主控单元，闪存控制器和NAND。
[0024]本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有数据写入程序，所述数据写入程序被处理器执行时实现如上所述的数据写入方法的各个步骤。
[0025]本专利技术实施例提出的一种数据写入方法、存储设备和计算机可读存储介质，通过调整编码算，使得根据编码结果调整后的所述目标页内，所述电压阈值处于第一状态的所述存储单元的数量小于所述电压阈值处于第二状态的所述存储单元的数量，所述第二状态对应的所述电压阈值大于所述第一状态对应的电压阈值。由于相比于随机评价编码，减少了电压阈值处于第一状态的所述存储单元的数量，即使得处于erase state的存储单元数量减少。这样可以有效地降低NAND被读干扰的程度，从而有效地提高了数据的稳定性。
附图说明
[0026]图1是本专利技术实施例方案涉及的硬件运行环境的终端结构示意图；
[0027]图2为本专利技术数据读取方法一实施例的流程示意图；
[0028]图3为本专利技术数据读取方法一实施例中的一可选实施方式的流程示意图；
[0029]图4为本专利技术数据读取方法一实施例中的另一可选实施方式的流程示意图。
[0030]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0031]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0032]在电子信息技术高度发展的今天，计算机闪存设备NAND被应用于许多场景。例如，eMMC(Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒体卡)本质就是将NAND与主控IC集成封装在一起，得到的产品。
[0033]NAND根据每个存储单元(cell)内存储的比特个数的不同，其存储单元可以分为SLC(Single
‑
Level Cell，单极存储单元)、MLC(Multi
‑
Level Cell，多级存储单元)和TLC
(Triple
‑
Level Cell，三能级存储单元)三类。而NAND的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差。
[0034]在TLC NAND中，读取扰动(read disturb)对处于erase state的存储单元的Vth存在比较严重的影响，这样导致NAND容易发生bit(binary digit，比特)出错的现象。使得NAND存在数据稳定性差的缺陷。
[0035]为解决上述缺陷，本专利技术通过调整编码算，使得根据编码结果调整后的所述目标页内，所述电压阈值处于第一状态的所述存储单元的数量小于所述电压阈值处于第二状态的所述存储单元的数量，所述第二状态对应的所述电压阈值大于所述第一状态对应的电压阈值。由于相比于随机评价编码，减少了电压阈值处于第一状态的所述存储单元的数量，即使得处于erase state的存储单元数量减少。这样可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据写入方法，其特征在于，应用于存储设备，所述存储设备包括主控单元，闪存控制器和NAND，所述数据写入方法包括以下步骤：主控单元获取待写入数据；通过预设的可逆编码算法确定所述待写入数据对应的编码结果；将所述编码结果发送至所述闪存控制器，使所述闪存控制器基于所述编码结果调整所述NAND的目标页内各个存储单元的电压阈值，其中，调整后的所述目标页内，所述电压阈值处于第一状态的所述存储单元的数量小于所述电压阈值处于第二状态的所述存储单元的数量，所述第二状态对应的所述电压阈值大于所述第一状态对应的电压阈值。2.如权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，所述存储单元为多级存储单元MLC或者三级存储单元TLC。3.如权利要求2所述的数据写入方法，其特征在于，当所述存储单元为所述TLC时，所述电压阈值包括依次增大的第一阈值、第二阈值、第三阈值、第四阈值、第五阈值、第六阈值、第七阈值和第八阈值；所述第一状态对应的所述电压阈值为所述第一阈值或者所述第二阈值，所述第二状态对应的所述电压阈值为第三阈值、第四阈值、第五阈值、第六阈值、第七阈值或者第八阈值。4.如权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，所述主控单元获取待写入数据的步骤包括：在接收到数据写入指令时，获取所述写入指令对应的所述待写入数据。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志忠，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：广州致存科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：