Flash存储器的数据纠错方法、设备以及介质技术

本发明专利技术公开了一种Flash存储器的数据纠错方法、终端设备以及计算机存储介质，该方法包括：在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，数据页参数包括：擦除次数和读次数，数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；将数据页参数和数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，数据纠错模型基于Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；获取数据纠错模型基于数据页参数和数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；根据实时最优重读参数针对数据页进行数据重读，以实现数据纠错。本发明专利技术能够减少重读次数，提升数据纠错效率。提升数据纠错效率。提升数据纠错效率。

【技术实现步骤摘要】
Flash存储器的数据纠错方法、设备以及介质


[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种Flash存储器的数据纠错方法、终端设备以及计算机存储介质。

技术介绍

[0002]近年来，随着闪存技术的飞速发展，闪速存储器如nand flash(一种flash闪存存储器)，凭借其高性能、非易失性、能耗低等优点，迅速在嵌入式系统中得到大量应用，成为主流的高性能存储技术。然而，由于nand flash自身存在的ReadDistrub读干扰、ProgramDistrub写干扰、高低温以及擦写次数等因素的影响，flash存储器面临严峻的可靠性退化问题。
[0003]尽管现有存在诸如FTL等主流纠错方案来进行针对flash存储器进行数据纠错，但是，现有的FTL算法中针对flash存储器的数据纠错机制所配置的重读电压通常是固定的几组，从而当物理块上某数据页的数据出错时，就需要通过遍历固定的重读电压，直到找到某一组能够将数据读正确的阈值电压为止，如此，由于flash存储器中数据出错的表现大都不相同，固定的几组重读电压往往难以覆盖所有数据出错情况，从而容易出现无法找到正确电压来正确读回数据的情况。
[0004]综上，如何针对flash存储器在数据页存储的数据出错时，准确的找出能将数据读正确的阈值电压来进行数据纠错，从而提升数据纠错的效率，俨然已经成为了行业内亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种Flash存储器的数据纠错方法、终端设备以及计算机存储介质，旨在实现针对flash存储器在数据页存储的数据出错时，准确的找出能将数据读正确的阈值电压来进行数据纠错，从而提升数据纠错的效率。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种Flash存储器的数据纠错方法，所述Flash存储器的数据纠错方法包括以下步骤：
[0007]在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；
[0008]将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；
[0009]获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；
[0010]根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。
[0011]进一步地，所述Flash存储器的数据纠错方法还包括以下步骤：
[0012]获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数，并基于所述状态参数进行离
线训练得到所述数据纠错模型。
[0013]进一步地，所述获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数的步骤，包括：
[0014]模拟所述Flash存储器的各使用场景；
[0015]分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数。
[0016]进一步地，所述模拟所述Flash存储器的各使用场景，和所述分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数的步骤，包括：
[0017]模拟所述Flash存储器中一个目标数据页的各使用场景，并分析和采集所述目标数据页在各所述使用场景下的状态参数。
[0018]进一步地，所述状态参数包括：所述Flash存储器在各所述使用场景中的最优重读参数，和，所述Flash存储器的数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间。
[0019]进一步地，所述基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型的步骤，包括：
[0020]以所述擦除次数、所述读次数、所述数据存储温度和所述数据存储时间为影响因子，针对各所述最优重读参数进行拟合形成所述数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型以曲线为模型的表现形式。
[0021]进一步地，所述根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错的步骤，包括：
[0022]根据所述实时最优重读参数确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。
[0023]进一步地，所述Flash存储器的数据纠错方法还包括以下步骤：
[0024]在所述Flash存储器的预设存储空间当中，记录所述Flash存储器在使用过程中数据页的数据页参数和数据存储状态参数；
[0025]所述获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数的步骤，包括：
[0026]从所述预设存储空间当中提取所述数据页的所述数据页参数和所述数据存储状态参数。
[0027]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种Flash存储器的数据纠错装置，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错装置包括：
[0028]获取模块，用于在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；
[0029]模型输入模块，用于将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；
[0030]模型输出模块，用于获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；
[0031]数据纠错模型，用于根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。
[0032]本专利技术Flash存储器的数据纠错装置的各功能模块在运行时实现如上述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。
[0033]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种终端设备，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的Flash存储器的数据纠错程序，所述Flash存储器的数据纠错程序被所述处理器执行时实现如上述中的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。
[0034]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。
[0035]本专利技术提出的Flash存储器的数据纠错方法、装置、终端设备以及计算机存储介质，通过在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错方法包括以下步骤：在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。2.如权利要求1所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错方法还包括以下步骤：获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数，并基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型。3.如权利要求2所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数的步骤，包括：模拟所述Flash存储器的各使用场景；分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数。4.如权利要求3所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述模拟所述Flash存储器的各使用场景，和所述分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数的步骤，包括：模拟所述Flash存储器中一个目标数据页的各使用场景，并分析和采集所述目标数据页在各所述使用场景下的状态参数。5.如权利要求2至4任一项所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述状态参数包括：所述Flash存储器在各所述使用场景中的最优重读参数，和，所述Flash存储器的数据页的数据页参数...

【专利技术属性】
技术研发人员：林寅，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：广州致存科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：