数据读取方法、存储设备和存储介质技术

技术编号:33123656 阅读:24 留言:0更新日期:2022-04-17 00:30
本发明专利技术公开了一种数据读取方法、存储设备和计算机可读存储介质,所述方法包括:在数据读取失败时,获取目标存储单元对应的读次数;确定所述读次数关联的调节步长;根据所述调节步长调整读取电压,根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。本发明专利技术旨在达成缩短数据读取耗时的效果。达成缩短数据读取耗时的效果。达成缩短数据读取耗时的效果。

【技术实现步骤摘要】
数据读取方法、存储设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及物料加工处理
,尤其涉及一种数据读取方法、存储设备和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]在电子信息技术高度发展的今天,计算机闪存设备NAND被应用于许多场景。例如,eMMC(Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒体卡)本质就是将NAND与主控IC集成封装在一起,得到的产品。
[0003]NAND根据每个存储单元(cell)内存储的比特个数的不同,其存储单元可以分为SLC(Single

Level Cell,单极存储单元)、MLC(Multi

Level Cell,多级存储单元)和TLC(Triple

Level Cell,三能级存储单元)三类。而NAND的单个存储单元存储的比特位越多,读写性能会越差。并且随着时间的推移和不可避免的读写干扰,NAND的存储单元的阈值电压会发生变化,从而导致存储单元对应的实际电压偏离标准阈值电压。
[0004]在相关技术中,为了可以读取发生电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据读取方法,其特征在于,所述数据读取方法包括以下步骤:在数据读取失败时,获取目标存储单元对应的读次数;确定所述读次数关联的调节步长;根据所述调节步长调整读取电压,根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。2.如权利要求1所述的数据读取方法,其特征在于,所述在数据读取失败时,获取目标存储单元对应的读次数的步骤之前,还包括:在接收到读取指令时,确定所述读取指令对应的目标存储单元;根据所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。3.如权利要求1所述的数据读取方法,其特征在于,所述确定所述读取指令对应的目标存储单元的步骤包括:确定所述读取指令对应的读取地址;根据所述读取地址确定所述目标存储单元。4.如权利要求1所述的数据读取方法,其特征在于,所述根据所述调节步长调整读取电压,根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据的步骤包括:根据所述调节步长及所述读取电压确定目标电压;基于所述目标电压检...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹志忠吴大畏李晓强
申请(专利权)人:广州致存科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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