数据读取方法、存储设备和存储介质技术

本发明专利技术公开了一种数据读取方法、存储设备和计算机可读存储介质，所述方法包括：在数据读取失败时，获取目标存储单元对应的读次数；确定所述读次数关联的调节步长；根据所述调节步长调整读取电压，根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。本发明专利技术旨在达成缩短数据读取耗时的效果。达成缩短数据读取耗时的效果。达成缩短数据读取耗时的效果。

【技术实现步骤摘要】
数据读取方法、存储设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及物料加工处理
，尤其涉及一种数据读取方法、存储设备和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]在电子信息技术高度发展的今天，计算机闪存设备NAND被应用于许多场景。例如，eMMC(Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒体卡)本质就是将NAND与主控IC集成封装在一起，得到的产品。
[0003]NAND根据每个存储单元(cell)内存储的比特个数的不同，其存储单元可以分为SLC(Single
‑
Level Cell，单极存储单元)、MLC(Multi
‑
Level Cell，多级存储单元)和TLC(Triple
‑
Level Cell，三能级存储单元)三类。而NAND的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差。并且随着时间的推移和不可避免的读写干扰，NAND的存储单元的阈值电压会发生变化，从而导致存储单元对应的实际电压偏离标准阈值电压。
[0004]在相关技术中，为了可以读取发生电压偏离的存储单元保存的数据，在进行数据读取时，当读取失败时，会通过固定的调节步长调整读取电压，以使读取电压与存储单元的实际电压相匹配，从而实现数据读取的目的。但是，而对于存储单元而言，由于影响因素存在不确定性，从而导致其阈值电压的偏离情况也是不确定的，因此通过固定的调节步长调整读取电压的方式，可能需要进行多次调整，才能读取到数据。这样导致数据读取时间较长。
[0005]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于提供一种数据读取方法、存储设备和计算机可读存储介质，旨在解决相关技术存在的数据读取耗时较长的技术问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供一种数据读取方法，所述数据读取方法包括以下步骤：
[0008]在数据读取失败时，获取目标存储单元对应的读次数；
[0009]确定所述读次数关联的调节步长；
[0010]根据所述调节步长调整读取电压，根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。
[0011]可选地，所述在数据读取失败时，获取目标存储单元对应的读次数的步骤之前，还包括：
[0012]在接收到读取指令时，确定所述读取指令对应的目标存储单元；
[0013]根据所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。
[0014]可选地，所述确定所述读取指令对应的目标存储单元的步骤包括：
[0015]确定所述读取指令对应的读取地址；
[0016]根据所述读取地址确定所述目标存储单元。
[0017]可选地，所述根据所述调节步长调整读取电压，根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据的步骤包括：
[0018]根据所述调节步长及所述读取电压确定目标电压；
[0019]基于所述目标电压检测所述目标存储单元对应电压阈值；
[0020]基于所述电压阈值及预设解码算法确定所述目标存储单元存储的数据。
[0021]可选地，所述根据所述调节步长调整读取电压，根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据的步骤之后，还包括：
[0022]输出所述数据。
[0023]可选地，所述读次数与所述调节步长呈正相关。
[0024]本专利技术还提供一种存储设备，所述存储设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的数据读取程序，所述数据读取程序被所述处理器执行时实现如上所述的数据读取方法的各个步骤。
[0025]可选地，所述存储设备包括主控单元，闪存控制器和NAND。
[0026]本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有数据读取程序，所述数据读取程序被处理器执行时实现如上所述的数据读取方法的各个步骤。
[0027]本专利技术实施例提出的一种数据读取方法、存储设备和计算机可读存储介质，在数据读取失败时，获取目标存储单元对应的读次数，然后确定所述读次数关联的调节步长，进而根据所述调节步长调整读取电压，根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。由于可以基于读取次数区分冷数据和热数据，进而为冷数据和热数据配置不同的调节步长，使得可以更加快速的得到可以用于数据的读取的读取电压，检索数据读取的尝试次数。这样有效地缩短了数据读取耗时，提高了数据读取效率。
附图说明
[0028]图1是本专利技术实施例方案涉及的硬件运行环境的终端结构示意图；
[0029]图2为本专利技术数据读取方法一实施例的流程示意图；
[0030]图3为本专利技术数据读取方法一实施例中的一可选实施方式的流程示意图；
[0031]图4为本专利技术数据读取方法一实施例中的另一可选实施方式的流程示意图。
[0032]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0033]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0034]在电子信息技术高度发展的今天，计算机闪存设备NAND被应用于许多场景。例如，eMMC(Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒体卡)本质就是将NAND与主控IC集成封装在一起，得到的产品。
[0035]NAND根据每个存储单元(cell)内存储的比特个数的不同，其存储单元可以分为SLC(Single
‑
Level Cell，单极存储单元)、MLC(Multi
‑
Level Cell，多级存储单元)和TLC(Triple
‑
Level Cell，三能级存储单元)三类。而NAND的单个存储单元存储的比特位越多，
读写性能会越差。并且随着时间的推移和不可避免的读写干扰，NAND的存储单元的阈值电压会发生变化，从而导致存储单元对应的实际电压偏离标准阈值电压。
[0036]在相关技术中，为了可以读取发生电压偏离的存储单元保存的数据，在进行数据读取时，当读取失败时，会通过固定的调节步长调整读取电压，以使读取电压与存储单元的实际电压相匹配，从而实现数据读取的目的。但是，而对于存储单元而言，由于影响因素存在不确定性，从而导致其阈值电压的偏离情况也是不确定的，因此通过固定的调节步长调整读取电压的方式，可能需要进行多次调整，才能读取到数据。这样导致数据读取时间较长。
[0037]为解决上述缺陷，本专利技术实施例提出一种数据读取方法，在数据读取失败时，获取目标存储单元对应的读次数，然后确定所述读次数关联的调节步长，进而根据所述调节步长调整读取电压，根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。由于可以基于读取次数区分冷数据和热数据，进而为冷数据和热数据配置不同的调节步长，使得可以更加快速的得到可以用于数据的读取的读取电压，检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据读取方法，其特征在于，所述数据读取方法包括以下步骤：在数据读取失败时，获取目标存储单元对应的读次数；确定所述读次数关联的调节步长；根据所述调节步长调整读取电压，根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。2.如权利要求1所述的数据读取方法，其特征在于，所述在数据读取失败时，获取目标存储单元对应的读次数的步骤之前，还包括：在接收到读取指令时，确定所述读取指令对应的目标存储单元；根据所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据。3.如权利要求1所述的数据读取方法，其特征在于，所述确定所述读取指令对应的目标存储单元的步骤包括：确定所述读取指令对应的读取地址；根据所述读取地址确定所述目标存储单元。4.如权利要求1所述的数据读取方法，其特征在于，所述根据所述调节步长调整读取电压，根据调整后的所述读取电压读取所述目标存储单元存储的数据的步骤包括：根据所述调节步长及所述读取电压确定目标电压；基于所述目标电压检...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志忠，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：广州致存科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：