一种砷化镓单晶机械抛光设备制造技术

本发明专利技术公开了晶片打磨技术领域的一种砷化镓单晶机械抛光设备，包括支撑机构，其特征在于：还包括有打磨机构、转换机构和夹手；所述夹手滑动安装在支撑机构上端，所述打磨机构安装在支撑机构中间位置，所述转换机构固定安装在支撑机构上，且分别与打磨机构和夹手连通；保证晶片能够正常加工的前提下，最大程度的防止了晶片在加工过程中遭到夹持力的破坏几率。止了晶片在加工过程中遭到夹持力的破坏几率。止了晶片在加工过程中遭到夹持力的破坏几率。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓单晶机械抛光设备


[0001]本专利技术涉及晶片打磨
，具体为一种砷化镓单晶机械抛光设备。

技术介绍

[0002]砷化镓晶片是由纯砷和镓合成并生长得到的砷化镓单晶材料经过切、磨、抛光和清洗等工序后制成，其中，抛光工序是实现砷化镓晶片最终达到超高精度的表面要求的关键工序。目前，国内外普遍采用的砷化镓晶片的抛光工艺是化学机械抛光(CMP)工艺；化学机械抛光机主要由晶片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光液供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，设置有待抛光晶片的晶片夹持器以一定的压力压在旋转的抛光垫上，氧化性抛光液与晶片表面产生化学反应形成一层容易去除的氧化腐蚀膜，晶片表面形成的氧化腐蚀膜和抛光垫之间通过旋转的机械切削作用去除，在化学成膜和机械去膜的交替过程中完成了晶片的化学机械抛光，现有技术中为加快生产效率常使用双面加工的方式。
[0003]现有CMP技术在对晶片进行加工抛光的过程中，由于切削量过小，需要通过计时的方式控制切削量，这就要求加工过程中，各加工参数要保持稳定状态，以保证切削精度，其中一重要参数为晶片与抛光垫的相对转速本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓单晶机械抛光设备，包括支撑机构(1)，其特征在于：还包括有打磨机构(2)、转换机构(3)和夹手(4)；所述夹手(4)滑动安装在支撑机构(1)上端；所述打磨机构(2)安装在支撑机构(1)中间位置，且能够实时反馈工作时所受扭矩力大小至转换机构(3)上；所述转换机构(3)固定安装在支撑机构(1)上，且分别与打磨机构(2)和夹手(4)连通，所述转换机构(3)能够通过打磨机构(2)所受到的扭矩力大小动态调控夹手(4)的夹持力大小。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓单晶机械抛光设备，其特征在于：所述支撑机构(1)两侧上端均固定安装有滑轨(1
‑
3)，两条所述滑轨(1
‑
3)相对面上均对称安装有夹手(4)；所述夹手(4)包括有滑杆一(4
‑
1)，所述滑杆一(4
‑
1)滑动安装在滑轨(1
‑
3)上，所述滑杆一(4
‑
1)滑动连接有滑杆二(4
‑
3)，所述滑杆一(4
‑
1)与滑杆二(4
‑
3)间安装有弹簧(4
‑1‑
1)，所述滑杆一(4
‑
1)靠近滑杆二(4
‑
3)一端贯穿连接有螺纹销(4
‑
2)；所述滑杆二(4
‑
3)固定连接有夹紧机构(4
‑
4)。3.根据权利要求2所述的一种砷化镓单晶机械抛光设备，其特征在于：所述夹紧机构(4
‑
4)内开设有弧形腔(4
‑4‑
1)，所述夹紧机构(4
‑
4)外固定连接有第五管道口(4
‑4‑
2)，所述第五管道口(4
‑4‑
2)连通弧形腔(4
‑4‑
1)，上述夹紧机构(4
‑
4)远离滑杆二(4
‑
3)的外侧壁的一侧，等距密封滑动安装有多个压头(4
‑4‑
5)，所述压头(4
‑4‑
5)与弧形腔(4
‑4‑
1)连通，所述弧形腔(4
‑4‑
1)内远离压头(4
‑4‑
5)的一侧弹性滑动连接有压板(4
‑4‑
3)。4.根据权利要求3所述的一种砷化镓单晶机械抛光设备，其特征在于：所述支撑机构(1)中间位置开设有加工槽(1
‑
1)，所述加工槽(1
‑
1)与打磨机构(2)在同一水平位置上。5.根据权利要求4所述的一种砷化镓单晶机械抛光设备，其特征在于：所述支撑机构(1)上下两端分别对称固定安装有支撑架(1
‑
2)，所述支撑架(1
‑
2)端部均安装有打磨机构(2)；所述打磨机构(2)包括有电机(2
‑
1)，所述电机(2
‑
1)与支撑架(1
‑
2)端部固定连接，所述电机(2
‑
1)靠近支撑机构(1)端转动安装有转动轴(2
‑
2)，所述转动轴(2
‑
2)滑动连接有滑动轴(2
‑
3)，所述滑动轴(2
‑
3)转动连接有打磨盘(2
‑
4)；所述转动轴(2
‑
2)和滑动轴(2
‑
3)间外接有压力机构，用于控制滑动轴(2
‑
3)向打磨盘(2
‑
4)方向的挤压力；所述打磨机构(2)上安装有传力机构(2
‑
5)，所述传力机构(2
‑
5)包括有固定杆(2
‑5‑
4)，所述固定杆(2
‑5‑
4)与滑动轴(2
‑
3)侧壁固...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁永，
申请(专利权)人：苏州诺富微电子有限公司，
类型：发明
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