具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置制造方法及图纸

技术编号:33101084 阅读:73 留言:0更新日期:2022-04-16 23:40
一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含:衬底;导电板,其位于所述衬底上方以耦合接地连接;数据线,其位于所述衬底与所述导电板之间;存储器单元;及导线。所述存储器单元包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管包含电耦合于所述数据线与所述导电板之间的第一区域及与所述第一区域电分开的电荷存储结构。所述第二晶体管包含电耦合到所述电荷存储结构及所述数据线的第二区域。所述导线与所述第一区域及所述第二区域电分开且横跨所述第一晶体管的所述第一区域的部分及所述第二晶体管的所述第二区域的部分,且形成所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极。的栅极。的栅极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置
[0001]优先权申请案
[0002]本申请案要求2019年8月28日提交的第62/892,988号美国临时申请案的优先权权益,所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术介绍

[0003]存储器装置广泛用于计算机及许多其它电子物品中以存储信息。通常将存储器装置分类成两个类型:易失性存储器装置及非易失性存储器装置。存储器装置通常具有用以存储信息的众多存储器单元。在易失性存储器装置中,如果供应电力从存储器装置断开,则存储于存储器单元中的信息丢失。在非易失性存储器装置中,即使供应电力从存储器装置断开,存储于存储器单元中的信息仍保留。
[0004]本文中的描述涉及易失性存储器装置。大部分常规易失性存储器装置将信息以电荷形式存储于包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的需求增大,许多常规技术提供缩小存储器单元的大小以便增加给定装置区域的装置存储密度的方法。然而,如果存储器单元大小待缩小到某一尺寸,则物理限制及制造约束可能会对此类常规技术构成挑战。不同于一些常规存储器装置,本文中所描述的存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备,其包括:衬底;导电板,其位于所述衬底上方以耦合接地连接;数据线,其位于所述衬底与所述导电板之间;存储器单元,其包含:第一晶体管,其包含电耦合于所述数据线与所述导电板之间的第一区域及与所述第一区域电分开的电荷存储结构;及第二晶体管,其包含电耦合到所述电荷存储结构及所述数据线的第二区域;及导线,其与所述第一区域及所述第二区域电分开,所述导线的部分横跨所述第一晶体管的所述第一区域的部分且形成所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一区域包含p型半导体材料,且所述第二区域包含n型半导体材料。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二区域包括半导电氧化物材料。4.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:额外数据线,其位于所述衬底与所述导电板之间;及额外存储器单元,所述额外存储器单元包含:第一额外晶体管,其包含电耦合到所述额外数据线及所述导电板的第一额外区域及与所述第一额外区域电分开的额外电荷存储结构;及第二额外晶体管,其包含电耦合到所述额外电荷存储结构及所述额外数据线的第二额外区域;其中所述导线与所述第一额外区域及所述第二额外区域电分开,且所述导线的额外部分横跨所述第一额外晶体管的所述第一额外区域的部分及所述第二额外晶体管的所述第二额外区域的部分。5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一晶体管与所述第二晶体管具有不同的阈值电压。6.根据权利要求1所述的设备,其中当所述电荷存储结构处于第一状态中时,所述第一晶体管具有小于零的第一阈值电压,且当所述电荷存储结构处于第二状态中时,所述第一晶体管具有小于零的第二阈值电压,且所述第一状态与所述第二状态表示存储于所述存储器单元中的信息的不同值。7.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括额外存储器单元,其中所述存储器单元包含于所述设备的存储器单元的第一叠组中,所述额外存储器单元包含于所述设备的额外存储器单元的第二叠组中,且存储器单元的所述第一叠组与存储器单元的所述第二叠组位于所述设备的不同层级中。8.一种设备,其包括:第一导电区域,其位于所述设备的第一层级中;第二导电区域,其位于所述设备的所述第一层级中且与所述第一导电区域电分开;导电板,其位于所述设备的第二层级中;第一存储器单元,其包含:第一电荷存储结构;第一区域,其用以在所述设备的第一操作期间在所述第一导电区域与所述导电板之间传导电流;及第二区域,其用以在所述设备
的第二操作期间在所述第一导电区域与所述第一电荷存储结构之间传导电流;第二存储器单元,其包含:第二电荷存储结构;第一额外区域,其用以在所述设备的第三操作期间在所述第二导电区域与所述导电板之间传导电流;及第二额外区域,其用以在所述设备的第四操作期间在所述第二导电区域与所述第二电荷存储结构之间传导电流;电介质,其处于所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间,所述电介质包含接触所述第一区域的第一侧及接触所述第一额外区域的第二侧;及导线,其与所述第一区域及所述第二区域以及所述第一额外区域及所述第二额外区域电分开,且所述导线的部分横跨所述第一区域及所述第二区域的部分以及所述第一额外区域及所述第二额外区域的部分。9.根据权利要求8所述的设备,其进一步包括衬底,其中所述第一导电区域及所述第二导电区域处于所述导电板与所述衬底之间。10.根据权利要求9所述的设备,其中所述导电板包含接地板。11.根据权利要求8所述的设备,其中所述第一区域与所述第二区域包含不同导电类型的材料,且所述第一额外区域与所述第二额外区域包含不同导电类型的材料。12.根据权利要求8所述的设备,其中:所述第一导电区域为所述设备的第一数据线的部分;所述第二导电区域为所述设备的第二数据线的部分;且所述导线为所述设备的字线的部分。13.根据权利要求8所述的设备,其进一步包括与所述导线相对的额外导线,其中:额外导线与所述第一区域及所述第二区域以及所述第一额外区域及所述第二额外区域电分开,且所述导线的部分横跨所述第一区域及所述第二区域的部分以及所述第一额外区域及所述第二额外区域的部分。14.根据权利要求13所述的设备,其中所述额外导线电耦合到所述导线。15.根据权利要求8所述的设备,其中所述第二区域及所述第二额外区域中的每一者包括以下各者中的至少一者:氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO
x
)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓硅(IGSO)、氧化铟(InO
x
、In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化钛(TiOx)、氮氧化锌(Zn
x
O
y
N
z
)、氧化镁锌(Mg
x
Zn
y
O
z
)、氧化铟锌(In
x
Zn
y
O
z
)、氧化铟镓锌(In
x
Ga
y
Zn
z
O
a
)、氧化锆铟锌(Zr
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化铪铟锌(Hf
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化锡铟锌(Sn
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化铝锡铟锌(Al
x
Sn
y
In
z
Zn
a
O
d
)、氧化硅铟锌(Si
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化锌锡(Zn
x
Sn
y
O
z
)、氧化铝锌锡(Al
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化镓锌锡(Ga
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化锆锌锡(Zr
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化铟镓硅(InGaSiO)及磷化镓(GaP)。16.一种方法,其包括:在衬底上方形成数据线;在所述衬底上方形成存储器单元,使得所述存储器单元中的每一者包含第一晶体管及第二晶体管,所述第一晶体管包含位于所述数据线中的数据线上方的电荷存储结构及接触所述数据线的第一沟道区域,所述第二晶体管包含与所述第一沟道区域电分开且形成于所述电荷存储结构及所述数据线上方并接触所述电荷存储结构及所述数据线的第二沟道区域;形成导线,使得所述导线中的每一者与所述存储器单元中的相应存储器单元的所述第
一沟道区域及所述第二沟道区域电分开,且使得所述导线中的每一者的部分横跨所述存储器单元中的相应...

【专利技术属性】
技术研发人员:K
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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