微小尺寸LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微小尺寸LED芯片。所述微小尺寸LED芯片包括：外延结构，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型不同；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极设置在所述外延结构的第一表面，其中，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第一电极和第二电极在所述第一表面的正投影区域至少部分重合，且所述第一电极与所述第二电极彼此电性隔离。本实用新型专利技术实施例提供的微小尺寸LED芯片，不仅可以防止N电极和P电极发生短路，同时还减少了电极覆盖区域的面积，提高了出光的效率。提高了出光的效率。提高了出光的效率。

【技术实现步骤摘要】
微小尺寸LED芯片


[0001]本技术涉及一种LED芯片，特别涉及一种微小尺寸LED芯片，属于半导体器发光


技术介绍

[0002]因应用条件的限制，现有的小背光LED芯片结构如图1和图2所示，现有的小背光LED芯片结构一般为窄长条形，图中100为被电极覆盖的区域，其中，LED芯片的N、P电极设计已经占据了小背光LED芯片本体不小的面积，虽然通常会采用透明的导电材料，但透明导电材料并不是完全透光，还会有一定的遮光、挡光性，由于N、P电极均有吸光遮光的缺点，这会使得小背光LED芯片的发光及出光效率大打折扣，严重影响小背光LED芯片的光提取率。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的在于提供一种微小尺寸LED芯片，以克服现有技术中的不足。
[0004]为实现前述技术目的，本技术采用的技术方案包括：
[0005]本技术实施例提供了一种微小尺寸LED芯片，包括：
[0006]外延结构，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型不同；
[0007]第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极设置在所述外延结构的第一表面，其中，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第一电极和第二电极在所述第一表面的正投影区域至少部分重合，且所述第一电极与所述第二电极彼此电性隔离。
[0008]与现有技术相比，本技术实施例提供的微小尺寸LED芯片，通过在LED外延结构的同一侧设置堆叠结构的P电极和N电极(P电极和N电极分别对应于第一电极和第二电极)，通过电极通孔结构将P电极与P型半导体层电连接，并且P电极和N电极之间通过绝缘介质层进行隔离，如此不仅可以防止N电极和P电极发生短路，同时还减少了电极覆盖区域的面积，提高了出光的效率。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1是现有技术中的一种小尺寸背光LED芯片的俯视图；
[0011]图2是现有技术中的一种小尺寸背光LED芯片的剖面结构示意图；
[0012]图3是本技术一典型实施案例提供的一种微小尺寸LED芯片的剖面结构示意
图；
[0013]图4是本技术一典型实施案例提供的一种微小尺寸LED芯片的俯视图；
[0014]附图标记说明：10
‑
第一半导体层、20
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发光层、30
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第二半导体层、31
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第一表面、40
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第一电极、41
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第一电极的第一部分、42
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第一电极的第二部分、50
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第二电极、51
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第二电极的第三部分、52
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第二电极的第四部分、60
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电极通孔、70
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绝缘介质层。
具体实施方式
[0015]鉴于现有技术中的不足，本案专利技术人经长期研究和大量实践，得以提出本技术的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
[0016]本技术实施例提供了一种微小尺寸LED芯片，包括：
[0017]外延结构，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型不同；
[0018]第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极设置在所述外延结构的第一表面，其中，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第一电极和第二电极在所述第一表面的正投影区域至少部分重合，且所述第一电极与所述第二电极彼此电性隔离。
[0019]在一些较为具体的实施方案中，所述第一电极在所述第一表面的第一正投影区域位于所述第二电极在所述第一表面的第二正投影区域内。
[0020]在一些较为具体的实施方案中，所述第二电极的部分覆设在所述第一电极上。
[0021]在一些较为具体的实施方案中，所述外延结构内形成有电极通孔，所述第一电极设置在所述电极通孔内，且所述第一电极与所述第二半导体层、发光层电性隔离。
[0022]在一些较为具体的实施方案中，所述电极通孔可以自所述外延结构的第一表面沿厚度方向贯穿所述第二半导体层和发光层，所述第一半导体层的局部自所述电极通孔内露出，
[0023]在一些较为具体的实施方案中，所述电极通孔可以自所述外延结构的第一表面沿厚度方向贯穿所述第二半导体层、发光层并延伸至所述第一半导体层内，且在所述第一半导体层内形成凹坑结构。
[0024]在一些较为具体的实施方案中，所述电极通孔的直径为10
‑
50μm。
[0025]在一些较为具体的实施方案中，所述第一电极与所述第二半导体层、发光层以及第二电极之间均形成有绝缘介质层，所述绝缘介质层的厚度为50
‑
200nm。
[0026]在一些较为具体的实施方案中，所述第一电极包括电性连接的第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述电极通孔内并与第一半导体层电连接并与所述第二半导体层电性隔离，所述第二部分设置在所述外延结构的第一表面。
[0027]在一些较为具体的实施方案中，所述第二电极包括电性连接的第三部分和第四部分，所述第三部分覆设在所述第一电极上并与所述第一电极电性隔离，所述第四部分设置在所述外延结构的第一表面并与第二半导体层电连接。
[0028]在一些较为具体的实施方案中，所述第二电极的直径为50
‑
60μm。
[0029]在一些较为具体的实施方案中，所述第一半导体层和第二半导体层中的一者为p型半导体层，另一者为n型半导体层。
[0030]如下将结合附图以及具体实施案例对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明，除非特别说明的之外，本技术实施例中LED芯片中的外延结构中各结构层的材质、厚度等尺寸以及电极的材质等均可以是本领域技术人员已知的，可理解的，本技术实施例仅仅为解释本技术实施例中微小尺寸LED芯片的结构组成，而非对本技术的保护范围进行限定。
[0031]请参阅图3和图4，一种微小尺寸LED芯片，包括外延结构以及与所述外延结构相匹配的第一电极40、第二电极50，所述外延结构包括沿指定方向依次叠层设置的第一半导体层10、发光层20和第二半导体层30，所述第一半导体层10和第二半导体层30的掺杂类型不同；所述第一电极40和第二电极50设置在所述外延结构的第一表面，其中，所述第一电极40与所述第一半导体层10电连接，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微小尺寸LED芯片，其特征在于包括：外延结构，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型不同；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极设置在所述外延结构的第一表面，其中，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第一电极和第二电极在所述第一表面的正投影区域至少部分重合，且所述第一电极与所述第二电极彼此电性隔离。2.根据权利要求1所述的微小尺寸LED芯片，其特征在于：所述第一电极在所述第一表面的第一正投影区域位于所述第二电极在所述第一表面的第二正投影区域内。3.根据权利要求2所述的微小尺寸LED芯片，其特征在于：所述第二电极的部分覆设在所述第一电极上。4.根据权利要求2所述的微小尺寸LED芯片，其特征在于：所述外延结构内形成有电极通孔，所述第一电极设置在所述电极通孔内，且所述第一电极与所述第二半导体层、发光层电性隔离；和/或，所述电极通孔的直径为10
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50μm。5.根据权利要求4所述的微小尺寸LED芯片，其特征在于：所述电极通孔自所述外延结构的第一表面贯穿所述第二半导体层和发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李增林，王国斌，李利哲，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：