一种发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括：衬底、电子提供层、发光层以及空穴提供层；衬底具有台阶结构，且台阶结构的斜切角大于或等于第一预设角度；电子提供层位于衬底具有台阶结构的一侧；发光层位于电子提供层背离衬底的一侧；发光层包括至少一层子发光层，子发光层包括层叠设置的量子点层与势垒层，量子点层具有氮极性；空穴提供层位于发光层背离衬底的一侧。通过在具有台阶结构的衬底一侧形成具有氮极性的量子点层，在台阶结构边缘处量子点具有较高的吸附特性，量子点易在台阶结构边缘处发生聚集，自发形成量子点富集区域，在台阶结构边缘处获得分布均匀的高密度量子点，提高了发光二极管的发光效率和发光均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

1、由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的发光二极管在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，量子点发光二极管还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多优点。

2、目前量子点制备方法较为复杂，获得的量子点密度较低，且分布均匀性较差，导致制备发光二极管(lighting emitting diode，led)中不同区域的量子点密度相差较大，发光不均匀，良率较低。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种发光二极管及其制备方法，可以提高量子点层中量子点的密度分布均匀性，进而提高发光二极管的发光效率和发光均匀性。

2、第一方面，本专利技术提供了一种发光二极管，包括：

3、衬底；所述衬底具有台阶结构，且所述台阶结构的斜切角大于或等于第一预设角度；

4、电子提供层，位于所述衬底具有所述台阶结构的一侧；

5、发光层，位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

4.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述电子提供层背离所述衬底的一侧形成发光层，包括：

6.根据权利要求5所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点层的生长时间包括多个子时间段，每个所述子时间段包括连续的预设生长时间段和预设中断时间段；所述周期性向所述电子提供层背离所述衬底的一侧提供反...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

4.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述电子提供层背离所述衬底的一侧形成发光层，包括：

6.根据权利要求5所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点层的生长时间包括多个子时间段，每个所述子时间段包括连续的预设生长时间段和预设中断时间段；所述周期性向所述电子提供层背离所述衬底的一侧提供反应源，以形成所述量子点层，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：王阳，王国斌，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：