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本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括：衬底、电子提供层、发光层以及空穴提供层；衬底具有台阶结构，且台阶结构的斜切角大于或等于第一预设角度；电子提供层位于衬底具有台阶结构的一侧；发光层位于电子提供层背离衬底的一侧；发光层包...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

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