监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质，在对刻蚀机台进行WAC工艺时，通过光谱EPD模块获取刻蚀机台内光谱信号强度随时间变化的EPD曲线，并通过对EPD曲线进行微分处理，可获取EPD微分曲线，并通过获取EPD曲线中的峰值信号及对峰值信号的分析，即可对刻蚀腔体进行颗粒掉落的判定；本发明专利技术通过光谱EPD模块可直接监测刻蚀腔体内在进行WAC工艺时，是否有颗粒掉落，从而便于后续工艺操作，可减少人力，提高判定准确率，避免由于颗粒掉落对刻蚀腔体及晶圆的污染，从而可提高监测效率，降低损失，降低对晶圆质量的影响程度。程度。程度。

【技术实现步骤摘要】
监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺中，在刻蚀腔体内的等离子体与晶圆进行反应时，会在刻蚀腔体的内壁及其部件的表面产生残余物，该残余物会对后续的晶圆质量造成影响。通常在晶圆完成工艺处理后，会将晶圆移出刻蚀腔体，随后在刻蚀腔体内通入工艺气体，利用工艺气体电离形成的等离子体对刻蚀腔体进行无晶圆自动清洁(Waferless Auto Clean，简称WAC)工艺，以利用工艺气体产生的等离子体对暴露在等离子体中的刻蚀腔体的内壁和其他部件的表面进行刻蚀清洁。WAC是在上一片晶圆完成刻蚀工艺后，清洁刻蚀腔体，在WAC完成后传入下一片晶圆继续进行刻蚀，刻蚀后再进行WAC，如此循环，实现晶圆刻蚀制程的量产工作。该清洁步骤的目的旨在减少刻蚀腔体内的残余物，以减少残余物导致的腔室记忆效应，并降低晶圆缺陷率。
[0003]随着集成电路工艺的发展，刻蚀腔体内处理晶圆精度的要求越来越高，对刻蚀腔体内的环境本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种监测刻蚀腔体颗粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有光谱EPD模块的刻蚀机台；对所述刻蚀机台进行WAC工艺，并通过所述光谱EPD模块获取刻蚀腔体内光谱信号强度随时间变化的EPD曲线；对所述EPD曲线进行微分处理，获取EPD微分曲线；获取所述EPD微分曲线中的峰值信号，对所述峰值信号进行分析，以进行颗粒掉落的判定。2.根据权利要求1所述的监测刻蚀腔体颗粒的方法，其特征在于，进行颗粒掉落的判定的方法包括：根据实际颗粒掉落与光谱信号强度变化的情况，在所述EPD微分曲线中设定阈值；当所述峰值信号在一定的连续时间内超出所述阈值时，判定为颗粒掉落。3.根据权利要求2所述的监测刻蚀腔体颗粒的方法，其特征在于：所述连续时间为3秒～5秒。4.根据权利要求1所述的监测刻蚀腔体颗粒的方法，其特征在于：获取所述EPD微分曲线中的峰值信号的方法包括在一定的连续时间内获取所述EPD微分曲线中斜率产生正负变化的信号值。5.根据权利要求1所述的监测刻蚀腔体颗粒的方法，其特征在于：还包括对所述EPD微分曲线进行一次或二次微分处理的步骤。6.根据权利要求1所述的监测刻蚀腔体颗粒的方法，其特征在于：当所述刻蚀机台判定为具有颗粒掉落时，所述刻蚀机台还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈志钦，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：