【技术实现步骤摘要】
线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂
[0001]本专利技术涉及树脂材料
,具体涉及一种线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂。
技术介绍
[0002]随着半导体工业的快速发展,高性能低介电、低损耗材料的研制和开发得到高度重视。由于高频高速的发展需求,超大规模集成电路尺寸逐渐缩小以及芯片内部的链接线路越来越密集,导致了信号的传输延迟和交叉干扰,对高性能低介电低损耗材料的需求也日益迫切。为了解决这些问题,要求材料必须满足低介电、低损耗、高机械强度、高热稳定性、低热膨胀等综合性能。
[0003]申请人先前申报专利申请CN113480735A(公开日2021年10月08日)公开了一种苯并环丁烯基官能化的有机硅树脂,其化学结构式如下所示:
[0004][0005]以上所述树脂具有低介电、低损耗、高热稳定性、低热膨胀等优良性能。但是其仍存在一些不足,如所用前驱体DMBMOS采用格氏方法合成,BCB溴化镁活性高与二甲基二甲氧基硅烷反应,可能会生成双BCB副产物,且此副产物与DMBMOS沸点相差不大,难于把DMBMOS提纯,导致后面的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂,其特征在于,其结构如下式(I)所示:其中,x为≥1的整数,y为大于等于0的整数;R为以下任一项:(a)取代或未取代的碳原子数为1
‑
6的烷基、取代或未取代的碳原子数为2
‑
6的烯基,其中所述的取代是指基团上的一个或多个氢原子被选自下组的取代基取代:碳原子数为1
‑
4的的烷基、碳原子数为2
‑
4的烯基、碳原子数为2
‑
4的炔基、未取代的或苯环上的1~3个氢原子被碳原子数为1
‑
4的烷基取代的苯基;(b)取代或未取代的苯基;所述的取代指基团上的一个或多个氢原子被选自下组的取代基取代:碳原子数为1
‑
4的的...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱焰焰,胡欢,王超,郑杰,
申请(专利权)人:天诺光电材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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