适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏及其制备方法，复合钎焊膏包括粉体、低粘度有机溶剂、分散剂和高粘度有机溶剂，所述粉体包括以下原料及其重量份：镁粉10‑25份，氢化钛5‑20份，含铜化合物55‑75份，所述低粘度有机溶剂为粉体总质量的10％‑50％，所述分散剂为粉体总质量的1％—10％，所述高粘度有机溶剂为粉体总质量的10％‑48％。本发明专利技术采用活性金属钎焊覆铜的方法进行陶瓷基板的连接，采用的复合钎焊膏不包含Ag，有效解决了Ag带来的金属迁移而导致器件绝缘失效的问题，同时可以降低成本、避免有机高分子粘结剂的使用并显著提高产品质量，为其它陶瓷基覆铜板的活性金属钎焊技术提供新思路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷材料，具体涉及一种适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏及其制备方法。

技术介绍

1、全球各国积极开发提高能源利用效率和可再生能源的技术。在这其中，扩大可再生能源的使用是实现目标的关键，可再生能源包括风能、水力、地热、太阳能等。这种可再生能源的特点是通过高压直流输电(hvdc)的方式，通过不同的频率来接入电网，这种方式的传输损耗低，可以长距离传输大量电力。较传统的交流输电传输，交流/直流转换模块连接高压直流具有更高的传输效率。对于交流/直流转换模块，建议以氮化物(aln、si3n4)为衬底覆铜(cu)，其中铜板粘接在氮化物衬底两侧，具有高绝缘性能，如提高击穿电压、降低局部放电。而对于高压直流输电系统的功率模块，像是硅绝缘栅双极晶体管(igbt)，一般还需要配备高电压、高容量的功率半导体芯片。

2、igbt模块是由双极型三极管、绝缘栅型场效应管两个部分构成，是一种新一代的半导体元器件，它具有电阻小、载流大、频率高、损耗低等一系列的优点，广泛的应用在轨道交通、航空航天、电动汽车、智能家电等方面。igbt模块的封装结构主要是由内置的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏，其特征在于，该适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏包括粉体、低粘度有机溶剂、分散剂和高粘度有机溶剂，所述粉体包括以下原料及其重量份：镁粉10-25份，氢化钛5-20份，含铜化合物55-75份，所述低粘度有机溶剂为所述粉体总质量的10％-50％，所述分散剂为所述粉体总质量的1％—10％，所述高粘度有机溶剂为所述粉体总质量的10％-48％。

2.根据权利要求1所述适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏，其特征在于，所述氮化物陶瓷采用氮化铝陶瓷或氮化硅陶瓷，所述含铜化合物为氮化铜、一氢化铜和氧化亚铜中的一种或几种；所述分散剂为邻苯二甲酸...

【技术特征摘要】

1.适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏，其特征在于，该适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏包括粉体、低粘度有机溶剂、分散剂和高粘度有机溶剂，所述粉体包括以下原料及其重量份：镁粉10-25份，氢化钛5-20份，含铜化合物55-75份，所述低粘度有机溶剂为所述粉体总质量的10％-50％，所述分散剂为所述粉体总质量的1％—10％，所述高粘度有机溶剂为所述粉体总质量的10％-48％。

2.根据权利要求1所述适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏，其特征在于，所述氮化物陶瓷采用氮化铝陶瓷或氮化硅陶瓷，所述含铜化合物为氮化铜、一氢化铜和氧化亚铜中的一种或几种；所述分散剂为邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、聚乙烯醇、油酸中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏，其特征在于，所述低粘度有机溶剂为乙醇、丙酮、丁酮和乙酸乙酯中的一种或几种；所述高粘度有机溶剂为松油醇、正丁醇，异丙醇、乙二醇、甘油的一种或几种。

4.一种适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏的制备方法，其特征在于，该适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏的制备方法包括：将分散剂加入低粘度有机溶剂中，搅拌分散，再加入包括镁粉、氢化钛以及含铜化合物的粉体进行搅拌分散；搅拌分散完成后将所得浆料于球磨机上进行球磨，球磨后再加入高粘度有机溶剂进行第二次球磨后，加压过滤并抽真空，即得。

5.根据权利要求4所述适用于氮化物陶瓷覆铜板焊接的复合钎焊膏的制备方法，其特征在于，所述粉体包括以下原料及其重量份：镁粉10-25份，氢化钛5-20份，含铜化合物55-75份，所述低粘度有机溶剂为所述粉体总质量的10％-50％，所述分散剂为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱焰焰，李华杨，张峥，胡晓静，陈士冰，郑杰，李德善，
申请(专利权)人：天诺光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：