TEM制样方法技术

本发明专利技术公开了一种TEM制样方法，包括:FIB下找到目标位置结构；形成第一保护层，使第一保护层穿过目标位置结构中心，且与目标位置结构存在重叠部位；利用FIB找到目标位置结构的中心点；形成定位标记X

【技术实现步骤摘要】
TEM制样方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种产品分析中的TEM(透射电子显微镜)制样方法。

技术介绍

[0002]透射电子显微镜(TEM)是观察到材料超细微结构的重要手段。随着半导体制程的微缩，不同样品有不同的分析需求，对于特定位置特殊结构的制样需求也越来越多，制样分析的难度不断增大。
[0003]对于需要TEM定点制样的样品，目前的方法是在目标位置附近打两个定位mark1，然后根据layout，切到目标位置。但是这样的方法需要在制样时边切边对layout，非常耗时。而且对于某些结构，例如，需要制样的位置是圆柱形结构或某个矩形区域的正中心位置等。由于TEM样品为100nm以内的薄片，且拍摄时电子束透过样品成像，无法保证制样在目标位置正中心位置。
[0004]以较大尺寸的hole chain和via为例，它们的结构是圆柱形的，边缘的filmstack是一段弧线包在了TEM样品中，最终拍出来的边缘会比较模糊。并且，在进行产品分析时，只有TEM样品包含在直径位置，得到的数据才是有意义的。因此迫切需要一种能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TEM制样方法，其特征在于，包括以下步骤:S1,FIB下找到目标位置结构；S2，在E
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beam下形成第一保护层，使第一保护层穿过目标位置结构中心，且与目标位置结构存在重叠部位；S3，利用FIB找到目标位置结构的中心点；S4，利用I
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Beam以第一电流刻蚀目标位置结构一侧的第一保护层形成定位标记X
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Mark，该X
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Mark位于目标位置结构的中心点与第一保护层图形较短边中心点的连线上；S5，以X
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Mark为基准，刻蚀两条叉形标记：mark1和mark2，X
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Mark穿过mark1和mark2的交点；S6，在I
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Beam下形成第二保护层；S7，利用I
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Beam离子束以第二电流刻蚀样品至第一保护层位置；S8，利用I
‑
B...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱迎，谢超杰，白涛，高金德，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：