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上海华力集成电路制造有限公司
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TEM制样方法技术
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文档序号:33081290
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本发明公开了一种TEM制样方法,包括:FIB下找到目标位置结构;形成第一保护层,使第一保护层穿过目标位置结构中心,且与目标位置结构存在重叠部位;利用FIB找到目标位置结构的中心点;形成定位标记X
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该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。
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