抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及抛光垫、抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的半导体器件的制造方法，针对于上述抛光垫，制造抛光层时抛光组合物中包含未膨胀的(Unexpanded)固相发泡剂，并且，当进行固化工艺时，上述固相发泡剂发生膨胀，在抛光层中形成多个均匀的气孔，从而可防止半导体基板的表面产生缺陷。并且，本发明专利技术可提供应用上述抛光垫的半导体器件的制造方法。抛光垫的半导体器件的制造方法。抛光垫的半导体器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及用于化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，CM P)工艺的抛光垫、其制备方法及利用该抛光垫的半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺中的化学机械平坦化(CMP)工艺为，将晶片(wafer)附着到头部并使其与形成在台板(platen)上的抛光垫的表面相接触的状态下，通过供应浆料来使晶片表面发生化学反应，同时使台板与头部相对运动来以机械方式平坦化晶片表面的凹凸部分的工艺。
[0003]化学机械平坦化(CMP)抛光后金属层应与基板晶片的下部层处于平行或同一平面上，但也有与此不同的“凹陷”现象，“凹陷(dishing)”是指，化学机械平坦化(CMP)抛光后在氧化物空位(oxide vacancy)或槽(trough)等较低的区域中引起的金属凹槽(recess)的现象。
[0004]随着半导体晶片及装置因细微的特征部分及更多的金属化层而变得越来越复杂，最近凹陷问题被认为是一个重要的问题。这种趋势要求抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫，其特征在于，包括抛光层，所述抛光层包括多个气孔，所述气孔的根据下述式1或式2的值为0.5至1：[式1][式2]其中，D10为10％体积累积分布上的气孔的直径，D50为50％体积累积分布上的气孔的直径，D90为90％体积累积分布上的气孔的直径。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，形成于所述抛光层的气孔的D50为15至65μm。3.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光层与半导体基板的实际接触面积为0.02至0.05mm2。4.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述气孔的根据下述式3的值为0.5至1.5：[式3]其中，D10为10％体积累积分布上的气孔的直径，D50为50％体积累积分布上的气孔的直径，D90为90％体积累积分布上的气孔的直径。5.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光层包括源自未膨胀的固相发泡剂的外皮，所述外皮为选自由偏二氯乙烯类共聚物、丙烯腈类共聚物、甲基丙烯腈类共聚物及丙烯酸类共聚物组成的组中的一种以上。6.一种抛光垫的制造方法，其特征在于，包括：
ⅰ
)制备预聚物组合物的步骤，
ⅱ
)制备包含所述预聚物组合物、发泡剂及固化剂的抛光层制造用组合物的步骤，以及
ⅲ
)通过使所述抛光层制造用组合物固化来制造抛光层的步骤；所述抛光层包括多个气孔，所述气孔根据下述式1或式2的值为0.5至1：[式1]...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹钟旭，安宰仁，郑恩先，许惠暎，徐章源，
申请(专利权)人：SKC索密思株式会社，
类型：发明
国别省市：