抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法。具体地，本发明专利技术提供了一种抛光垫、用于制备该抛光垫的工艺，以及使用该抛光垫制备半导体器件的工艺。在抛光垫中，根据抛光浆料的类型将抛光表面的表面zeta电位及其比率控制在特定范围内，由此可以改善半导体基板的表面上出现的划痕和表面缺陷的特性，并且进一步提高抛光速率。并且进一步提高抛光速率。并且进一步提高抛光速率。

【技术实现步骤摘要】
抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法


[0001]本专利技术涉及一种在抛光工艺中使用的垫以及在制备半导体器件的工艺中使用这种垫的技术。

技术介绍

[0002]在各种
中，为了各种目的，可以执行化学机械平坦化(CMP)或化学机械抛光(CMP)工艺。CMP工艺在待抛光物体的特定侧进行。为了使待抛光侧平坦化、去除聚集的材料、解决对晶格的损伤以及去除划痕和污染源的目的，可以执行该工艺。
[0003]半导体工艺中的CMP工艺技术可以根据待抛光膜物质的质量或抛光后的表面形状来分类。例如，可以根据待抛光膜物质将其分为单晶硅或多晶硅。根据诸如钨(W)、铜(Cu)、铝(Al)、钌(Ru)和钽(Ta)的杂质或金属层的类型，可以将其分类为用于各种氧化物层的CMP工艺。另外，根据抛光之后的表面形状，可以将其分类为减轻基板表面的粗糙度的工艺、平坦化由多层电路布线引起的台阶的工艺、以及用于在抛光之后选择性地形成电路布线的器件隔离工艺。
[0004]CMP工艺可以在制备半导体器件的工艺中执行若干次。一种半导体器件包括多个层，并且每个层包括复杂和精细的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫，其包括抛光层，其中，当使用氢离子浓度(pH)为8至12的第一组合物进行抛光时，所述抛光层的抛光表面具有第一表面zeta电位(PZ1)，所述第一表面zeta电位是对于所述第一组合物通过以下关系式1得出的所述抛光表面的表面zeta电位的值；当使用氢离子浓度(pH)为2至6的第二组合物进行抛光时，所述抛光层的抛光表面具有第二表面zeta电位(PZ2)，所述第二表面zeta电位是对于所述第二组合物由以下关系式1得出的所述抛光表面的表面zeta电位的值；并且所述第一表面zeta电位(PZ1)中的至少一个和所述第二表面zeta电位(PZ2)中的至少一个满足以下关系式2：[关系式1]表面zeta电位＝(
‑
)固定层的zeta电位+组合物的zeta电位[关系式2]2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，当使用氢离子浓度(pH)为7.5至9.5的第三组合物进行抛光时，所述抛光层的抛光表面具有第三表面zeta电位(PZ3)，所述第三表面zeta电位是对于所述第三组合物通过以上关系式1得出的所述抛光表面的表面zeta电位的值；并且所述第一表面zeta电位(PZ1)中的至少一个和所述第三表面zeta电位(PZ3)中的至少一个满足以下关系式3：[关系式3]3.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述第一表面zeta电位(PZ1)中的至少一个、所述第二表面zeta电位(PZ2)中的至少一个和所述第三表面zeta电位(PZ3)中的至少一个满足以下关系式4：[关系式4]4.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述第一表面zeta电位(PZ1)中的至少一个、所述第二表面zeta电位(PZ2)中的至少一个和所述第三表面zeta电位(PZ3)中的至少一个满足以下关系式5：[关系式5]5.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述第一组合物的固定层的zeta电位IZ1为+5mV至约+30mV，所述第二组合物的固定层的zeta电位IZ2为
‑
5mV至约+15mV，并且所述第三组合物的固定层的zeta电位IZ3为
‑
15mV至约+10mV。6.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述第一组合物包括平均粒径为130nm至160nm
的二氧化硅颗粒，并且具有
‑
50mV至
‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹钟旭，许惠暎，安宰仁，金京焕，
申请(专利权)人：SKC索密思株式会社，
类型：发明
国别省市：