本申请涉及一种石英砂灌装装置，包括限位机构以及设置在所述限位机构内的封堵机构，所述限位机构的下端和所述封堵机构的下端均插入单晶炉的保护套与电极柱之间的间隙中，并且所述封堵机构覆盖所述单晶炉的电极柱的中心孔，所述限位机构和封堵机构之间形成石英砂通过且到达所述单晶炉的保护套和电极柱之间的间隙的灌装通道。本申请具有以下效果：先将限位机构插入单晶炉的保护套和电极柱之间的间隙中，再灌装通道灌装石英砂时，石英砂不易随意洒落，减少了石英砂的损耗，并避免了二次清理带来的不便，同时还提高了石英砂的灌装效率。率。率。
【技术实现步骤摘要】
石英砂灌装装置
[0001]本申请涉及单晶硅加工
，尤其是涉及一种石英砂灌装装置。
技术介绍
[0002]单晶硅由硅料在单晶炉内拉制而成。单晶硅的拉制过程中，需要在单晶炉内设置热场，以将硅料进行熔化。同时，还需要在单晶炉的电极柱和保护套之间的间隙中灌装石英砂，以减少单晶炉内热量的损失，并保持单晶炉内热场的稳定，从而保证单晶硅的成晶品质。
[0003]相关技术中，石英砂的灌装方式通常为人工倾倒。具体操作时，需要先将石英砂装载在储存装置内，比如油桶；然后将储存装置的开口对准单晶炉电极柱和保护套之间的间隙，并逐渐增加储存装置的倾斜角度，以使得储存装置内的石英砂平稳地填充在电极柱和保护套之间的间隙中。
[0004]由于电极柱和保护套之间的间隙较小，通常约为2cm宽，石英砂在灌装的过程中易洒落在间隙以外的区域，致使石英砂的损耗增加，同时需要对洒落的石英砂进行二次清理，存在不便。
技术实现思路
[0005]为了使得石英砂在灌装的过程中不易洒落至电极柱和保护套之间的间隙外，本申请提供一种石英砂灌装装置。
[0006]本申请提供的一种石英砂灌装装置采用如下的技术方案：
[0007]一种石英砂灌装装置，包括限位机构以及设置在所述限位机构内的封堵机构，所述限位机构的下端和所述封堵机构的下端均插入单晶炉的保护套与电极柱之间的间隙中，并且所述封堵机构覆盖所述单晶炉的电极柱的中心孔，所述限位机构和封堵机构之间形成石英砂通过且到达所述单晶炉的保护套和电极柱之间的间隙的灌装通道。
[0008]可选的，所述限位机构和所述封堵机构均为具有大小端的回转体结构，所述限位机构和所述封堵机构的大小端的设置方向相反，所述限位机构的小端以及所述封堵机构的大端位于下方且插入所述保护套和所述电极柱之间的所述间隙中，所述封堵机构的大端的直径小于所述限位机构的小端的直径。
[0009]可选的，所述限位机构为圆台结构，所述封堵机构为同轴设置在所述限位机构内的圆锥结构。
[0010]可选的，所述限位机构的小端设有竖直延伸的连接管段。
[0011]可选的，所述灌装通道的出口处设有连接片。
[0012]可选的，所述连接片包括第一连接部和第二连接部，其中，所述第一连接部从所述封堵机构的大端的外壁延伸至所述限位机构的内壁；所述第二连接部从所述第一连接部的底部向下延伸形成。
[0013]可选的，所述第二连接部为梯形，并且靠近所述电极柱的侧边相对于所述封堵机
构的中心轴线的倾斜角度小于所述第一连接部与所述封堵机构的外壁连接的侧边相对于封堵机构的中心轴线的倾斜角度
[0014]可选的，所述连接片的第一连接部与所述封堵机构的外壁固定连接，并且与所述限位机构的内壁抵接。
[0015]可选的，所述连接片的第一连接部与所述封堵机构的外壁固定连接，并且与所述限位机构的内壁固定连接。
[0016]可选的，所述限位机构的大端高于所述封堵机构的小端；和/或所述限位机构的小端低于所述封堵机构的大端。
[0017]综上所述，本申请包括以下有益技术效果：
[0018]先将限位机构插入单晶炉的保护套和电极柱之间的间隙中，再通过灌装通道灌装石英砂时，石英砂不易随意洒落，减少了石英砂的损耗，并避免了二次清理带来的不便，同时还提高了石英砂的灌装效率。
附图说明
[0019]图1是本申请一实施例提供的石英砂灌装装置整体的结构示意图；
[0020]图2是本申请一实施例提供的石英砂灌装装置的安装示意图；
[0021]图3是本申请一实施例提供的石英砂灌装装置的纵向剖视图。
[0022]附图标记说明：1、限位机构；11、连接管段；2、封堵机构；3、灌装通道；4、连接片；41、第一连接部；42、第二连接部；5、保护套；6、电极柱。
具体实施方式
[0023]以下结合附图1
‑
3对本申请作进一步详细说明。
[0024]本申请实施例公开一种石英砂灌装装置。参照图1和图2，石英砂灌装装置包括限位机构1和设置在限位机构1内的封堵机构2。限位机构1的下端和封堵机构2的下端均插入单晶炉的保护套5与电极柱6之间的间隙中，封堵机构2覆盖电极柱6的中心孔，限位机构1和封堵机构2的下端之间形成石英砂通过到达单晶炉的保护套5与电极柱6之间的间隙的灌装通道3。
[0025]限位机构1和封堵机构2均为具有大小端的回转体结构，且限位机构1和封堵机构2的大小端的设置方向相反。具体地，限位机构1的小端以及封堵机构2的大端位于下方且靠近单晶炉的保护套5和电极柱6，即插入保护套5和电极柱6之间的间隙中，限位机构1的大端以及封堵机构2的小端位于上方且远离单晶炉的保护套5和电极柱6。限位机构1呈漏斗状，即大端在上侧小端在下侧的圆台结构，具体地，限位机构1的小端位于下方并且插入单晶炉的保护套5和电极柱6之间的间隙中，限位机构1的大端远离单晶炉的保护套5和电极柱6的上端；封堵机构2为大端在下侧小端在上侧的圆锥结构，具体地，封堵结构2的大端插入单晶炉的保护套5和电极柱6的间隙中，封堵机构2的小端远离单晶炉的保护套5和电极柱6。
[0026]参照图1和图3，封堵机构2同轴设置在限位机构1内，并且封堵机构2的大端的直径小于限位机构2的小端的直径，使得封堵机构2同轴设置在限位机构1内时，封堵机构2的大端与限位机构1的小端之间形成灌装通道3的出口。在灌装时，石英砂可以从限位机构1的大端的开口进入灌装通道3内，然后沿着限位机构1的内壁向下向中心轴滑落，同时被同轴设
置的封堵机构2的呈尖端的小端分流后沿封堵机构2的外壁向下滑落，最后从封堵机构2的大端与限位机构1的小端之间形成的灌装通道3的出口流出进入单晶炉的保护套5和电极柱6之间的间隙中。灌装通道3即为限位机构1的内壁与封堵机构2的外壁之间形成空间，灌装通道3的出口为限位机构1的小端和封堵机构2的大端之间形成的间隙。
[0027]具体地，限位机构1的小端的直径小于保护套5的内径，使得限位机构1的小端可以插入电极柱6和保护套5之间的间隙中，避免石英砂落入保护套5之外。封堵机构2的大端大于电极柱6中心孔的直径，使得封堵机构2可以封堵住电极柱6的中心孔，避免石英砂落入电极柱6的中心孔中。具体地，限位机构1的小端相比封堵机构2的大端更靠近保护套5的内侧，封堵机构2的大端相比限位机构1的小端更靠近电极柱6的外侧。当将限位机构1的小端和封堵机构2的大端插入保护套5和电极柱6之间的间隙后，保护套5的上端向上抵靠住限位机构1的向内倾斜侧壁的外侧，电极柱6的顶端向上抵靠住封堵机构2的向外倾斜侧壁的内侧。也就是说，电极柱6与保护套5之间的间隙的宽度大于限位机构1的小端与封堵机构2的大端之间灌装通道3的出口的宽度，以此来保证石英砂从灌装通道3的出口出来后能够准确地落入电极柱6和保护套5之间的间隙中。
[0028]限位机构1的大端高于封堵机构2的小端，可以增加石英砂的流入效率，同时使得石英砂撞击在封堵机构2的小端上时，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石英砂灌装装置，其特征在于：包括限位机构(1)以及设置在所述限位机构(1)内的封堵机构(2)，所述限位机构(1)的下端和所述封堵机构(2)的下端均插入单晶炉的保护套(5)与电极柱(6)之间的间隙中，并且所述封堵机构(2)覆盖所述单晶炉的电极柱(6)的中心孔，所述限位机构(1)和封堵机构(2)之间形成石英砂通过且到达所述单晶炉的保护套(5)和电极柱(6)之间的间隙的灌装通道(3)。2.根据权利要求1所述的一种石英砂灌装装置，其特征在于：所述限位机构(1)和所述封堵机构(2)均为具有大小端的回转体结构，所述限位机构(1)和所述封堵机构(2)的大小端的设置方向相反，所述限位机构(1)的小端以及所述封堵机构(2)的大端位于下方且插入所述保护套(5)和所述电极柱(6)之间的所述间隙中，所述封堵机构(2)的大端的直径小于所述限位机构(1)的小端的直径。3.根据权利要求2所述的一种石英砂灌装装置，其特征在于：所述限位机构(1)为圆台结构，所述封堵机构(2)为同轴设置在所述限位机构(1)内的圆锥结构。4.根据权利要求3所述的一种石英砂灌装装置，其特征在于：所述限位机构(1)的小端设有竖直延伸的连接管段(11)。5.根据权利要求2所述的一种石英砂灌装装置，其特征在于：所述灌装通道...
【专利技术属性】
技术研发人员：王怡然，王慧，李庭，
申请(专利权)人：包头晶澳太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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