有机化合物、电子元件和电子装置制造方法及图纸

本申请属于有机材料技术领域，具体涉及一种有机化合物、电子元件和电子装置，该有机化合物具有式1所示的结构。将本申请的化合物作为发光层客体材料用于制备有机电致发光器件时，在维持发光效率的前提下，能够有效的延长有机电致发光器件的寿命。有机电致发光器件的寿命。有机电致发光器件的寿命。有机电致发光器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
有机化合物、电子元件和电子装置


[0001]本申请属于有机材料
，具体提供一种有机化合物、电子元件和电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。
[0003]以有机电致发光器件为例，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。
[0004]目前，有机电致发光器件的使用过程中存在发光效率降低和寿命缩短等问题，导致有机电致发光器件的性能下降。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的上述问题，本申请的目的在于提供一种有机化合物、电子元件和电子装置，该有机化合物可用于有机电致发光器件中，提高有机电致发光器件的寿命。
[0006]为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种有机化合物，所述有机化合物具有式1所示的结构：
[0007][0008]其中，各R1、R2、R3、R4、R5相同或不同，且分别独立选自氢、氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的取代或未取代的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为2～10的杂环烷基、碳原子数为6～30的芳基或者碳原子数为3～30的杂芳基；或者由式2表示的基团，且R1、R2、R3、R4、R5中的一个或两个选自式2表示的基团：
[0009][0010]其中，表示化学键；
[0011]X、Y分别独立选自C(R
a
R
b
)、N(R
c
)、O、S或Si(R
d
R
e
)；且；且当R1、R2、R3、R4、R5中仅有一个为式2基团时，X或Y一者为C(R
a
R
b
)、O或S时，另一者不为N(R
c
)；
[0012]L选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基或者碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0013]L中的取代基选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为2～10的杂环烷基、碳原子数为3～10的环烷基或者碳原子数为1～10的烷氧基；
[0014]各R6、R7、R8、R9、R
a
、R
b
、R
c
、R
d
、R
e
相同或不同，且分别独立选自氢、氘、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～10的杂环烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；
[0015]n1表示取代基R1的个数，n1选自1、2、3或4，当n1大于1时，任意两个R1相同或不同；
[0016]n2表示取代基R2的个数，n2选自1、2、3、4或5，当n2大于1时，任意两个R2相同或不同；
[0017]n3表示取代基R3的个数，n3选自1、2或3，当n3大于1时，任意两个R3相同或不同；
[0018]n4表示取代基R4的个数，n4选自1、2、3、4或5，当n4大于1时，任意两个R4相同或不同；
[0019]n5表示取代基R5的个数，n5选自1、2、3或4，当n5大于1时，任意两个R5相同或不同
[0020]n6表示取代基R6的个数，n6选自1、2、3或4，当n6大于1时，任意两个R6相同或不同；
[0021]n7表示取代基R7的个数，n7选自1、2或3，当n7大于1时，任意两个R7相同或不同；
[0022]n8表示取代基R8的个数，n8选自1、2、3或4，当n8大于1时，任意两个R8相同或不同；
[0023]n9表示取代基R9的个数，n9选自1、2、3或4，当n9大于1时，任意两个R9相同或不同。
[0024]本申请第二方面提供一种电子元件，所述电子元件含有本申请第一方面所述的有机化合物。
[0025]本申请第三方面提供一种电子装置，所述电子装置包括本申请第二方面所述的电子元件。
[0026]本申请的有机化合物具有以氮和硼所构成的稠合平面结构通过碳碳键连接螺环基团的结构；氮和硼所构成的稠合平面结构因交替共轭作用使得其最高占据轨道和最低空轨道的重叠较小，同时该平面结构具有很强的刚性；因而在保证分子具有较小的第一激发单线态和第一激发三线态能级差的前提下，分子具有很高的发光效率；将该结构与大位阻的螺环类基团通过碳碳键相连，可以调整分子间相互作用，降低浓度淬灭效应；同时，螺环基团具有较大的空间体积和优秀的化学稳定性，可以对发光中心平面进行有效的保护作用。将该类材料作为有机电致发光器件中发光层的蓝色发光客体材料，可以在维持发光效率的前提下提高器件的寿命。
附图说明
[0027]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0028]图2是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。
[0029]附图标记说明
[0030]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、空穴阻挡层；350、电子传输层；360、电子注入层；400、电子装置。
具体实施方式
[0031]以下结合附图对本申请的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。
[0032]第一方面，本申请提供一种有机化合物，所述有机化合物具有式1所示的结构：
[0033][0034]其中，各R1、R2、R3、R4、R5相同或不同，且分别独立选自氢、氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为2～10的杂环烷基、碳原子数为6～30的芳基或者碳原子数为3～30的杂芳基；或者由式2表示的基团，且R1、R2、R3、R4、R5中的一个或两个选自式2表示的基团：
[0035][0036]其中，表示化学键；
[0037]X、Y分别独立选自C(R
a
R
b
)、N(R
c
)、O、S或Si(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有式1所示的结构：其中，各R1、R2、R3、R4、R5相同或不同，且分别独立选自氢、氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的取代或未取代的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为2～10的杂环烷基、碳原子数为6～30的芳基或者碳原子数为3～30的杂芳基；或者由式2表示的基团，且R1、R2、R3、R4、R5中的一个或两个选自式2表示的基团：其中，表示化学键；X、Y分别独立选自C(R
a
R
b
)、N(R
c
)、O、S或Si(R
d
R
e
)；且当X或Y一者为C(R
a
R
b
)、O或S时，另一者不为N(R
c
)；L选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基或者碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；L中的取代基选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为2～10的杂环烷基、碳原子数为3～10的环烷基或者碳原子数为1～10的烷氧基；各R6、R7、R8、R9、R
a
、R
b
、R
c
、R
d
、R
e
相同或不同，且分别独立选自氢、氘、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～10的杂环烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；n1表示取代基R1的个数，n1选自1、2、3或4，当n1大于1时，任意两个R1相同或不同；n2表示取代基R2的个数，n2选自1、2、3、4或5，当n2大于1时，任意两个R2相同或不同；n3表示取代基R3的个数，n3选自1、2或3，当n3大于1时，任意两个R3相同或不同；n4表示取代基R4的个数，n4选自1、2、3、4或5，当n4大于1时，任意两个R4相同或不同；n5表示取代基R5的个数，n5选自1、2、3或4，当n5大于1时，任意两个R5相同或不同n6表示取代基R6的个数，n6选自1、2、3或4，当n6大于1时，任意两个R6相同或不同；n7表示取代基R7的个数，n7选自1、2或3，当n7大于1时，任意两个R7相同或不同；n8表示取代基R8的个数，n8选自1、2、3或4，当n8大于1时，任意两个R8相同或不同；n9表示取代基R9的个数，n9选自1、2、3或4，当n9大于1时，任意两个R9相同或不同。
2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述式2选自取代或未取代的基团U，未取代的基团U选自如式2
‑
1至式2
‑
6所示基团组成的组：其中，表示化学键；未取代的基团U中，取代基具有一个或者多个，所述取代基各自独立地选...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐先彬，杨雷，金荣国，
申请(专利权)人：陕西莱特迈思光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：