一种晶片干燥方法技术

本发明专利技术提供一种晶片干燥方法，该方法在干燥槽内通入弱酸性水溶液，将晶片放入所述干燥槽内并浸泡在所述弱酸性水溶液内，往所述干燥槽内通入氮气及异丙醇蒸汽并排出所述弱酸性水溶液以实现晶片的干燥，其中，所述晶片表面具有刻蚀孔或刻蚀槽，所述刻蚀孔或所述刻蚀槽的底部显露出金属互连线，所述金属互连线的材质包括铝或铝铜合金。本发明专利技术的晶片干燥方法中，由于干燥槽内的液体采用弱酸性水溶液，可以阻止纯水水解提供氢氧根离子，从而阻止金属铝的腐蚀，防止金属连接处出现空洞异常而影响品质，最终提高互连金属线连接处的可靠性。本发明专利技术的晶片干燥方法并未引入其它的杂质或化学液，干燥成本低廉，可以进行大规模推广。可以进行大规模推广。可以进行大规模推广。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片干燥方法


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种晶片干燥方法。

技术介绍

[0002]晶片的湿法清洗后的干燥技术是影响晶片成品良率，器件的品质及可靠性最重要的因素之一。在湿法清洗工艺流程中通常包括化学反应、清洗和干燥三个步骤，干燥是最后一步，也是必不可少的一步。随着技术节点的提高，技术要求越来越高，刻蚀孔的深宽比越来越大，由于刻蚀孔深度提高，刻蚀孔底部的好坏难以发现，因为通过目前应用中的方法也只能看到晶圆表面异常，对于深的刻蚀孔或深孔里是否有异常，现有技术没有比较好的方式去监测。即便使用透射电子显微镜（简称TEM），也很难找到深孔中的异常以精确控制，从而无法及时发现异常，从而使大量晶片良率受到影响时才发现异常点，所以对湿法刻蚀的干燥能力也提出了挑战。
[0003]现有技术中，槽式清洗的目的是把刻蚀后产生的废物清洗掉，然后通过干燥制程将晶片干燥。而后段制程都有铝或者铝铜合金，虽然有常见的TiN、Ta、W、Ti等以及它们的氮化物TiN、WN、TaN等作为金属间的隔离层，但因为隔离层的电阻较高，其生长厚度有一定的限制，有时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片干燥方法，其特征在于，包括以下步骤：在干燥槽内通入弱酸性水溶液，所述弱酸性水溶液的PH值范围是5.6
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6.9；将晶片放入所述干燥槽内并浸泡在所述弱酸性水溶液内，所述晶片表面具有刻蚀孔或刻蚀槽，所述刻蚀孔或所述刻蚀槽的底部显露出金属互连线，所述金属互连线的材质包括铝或铝铜合金；往所述干燥槽内通入氮气及异丙醇蒸汽，并排出所述弱酸性水溶液。2.根据权利要求1所述的晶片干燥方法，其特征在于：将纯水进行弱酸化处理以得到所述弱酸性水溶液。3.根据权利要求2所述的晶片干燥方法，其特征在于：往纯水内通入二氧化碳以得到所述弱酸性水溶液。4.根据权利要求2所述的晶片干燥方法，其特征在于：往纯水内加入弱酸以得到所述弱酸性水溶液。5.根据权利要求1所述的晶片干燥方法，其特征在于：所述晶片进入所述干燥槽之前经过了清洗步骤，所述清洗步骤采用的清洗液包括氨基化合物。6.根据权利要求1所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐斌，陈忠奎，朱红波，乐海威，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：