动态随机存取存储结构及其形成方法技术

一种动态随机存取存储器及其方法，其中，方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一面和第二面，衬底包括若干相互独立的存储区，相邻存储区之间具有间隔区，存储区中具有若干相互分立的有源区，有源区在第一方向上延伸，有源区包括若干沟道区；在存储区中的有源区内形成若干字线栅结构；在第一面和若干字线栅结构表面形成介电层；在介电层内形成若干电容；在介电层上形成电容极板，电容极板与电容电连接；在电容极板内形成若干应力调节凹槽，应力调节凹槽位于间隔区上；形成若干应力调节凹槽后，在第二面上形成若干位线，每个位线与1个有源区内的若干沟道区电连接。从而，减少了动态随机存取存储器的翘曲，提高存储器可靠性。提高存储器可靠性。提高存储器可靠性。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中。动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)属于一种挥发性存储器，对于储存大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案。
[0003]通常，动态随机存取存储器是由多个存储单元构成，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。
[0004]然而，现有的动态随机存取存储器仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，以减少动态随机存取存储器的翘曲，提高存储器可靠性。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种动态随机存取存储器，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互独立的存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互独立的存储区，相邻存储区之间具有间隔区，所述存储区中具有若干相互分立的有源区，所述有源区在第一方向上延伸，所述有源区包括若干相互独立且沿第一方向排列的沟道区；位于所述存储区中有源区内的若干字线栅结构，每个字线栅结构与1个沟道区邻接，所述若干字线栅结构沿第二方向贯穿所述有源区，所述第二方向垂直于所述第一方向；位于所述第一面和若干字线栅结构表面的介电层；位于所述介电层内的若干电容，每个电容与1个沟道区电连接；位于所述介电层上的电容极板，所述电容极板与所述电容电连接；所述电容极板内具有位于所述间隔区上的若干应力调节凹槽；位于第二面上的若干位线，每个位线与1个有源区内的若干沟道区电连接。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，若干所述存储区沿所述第一方向和第二方向阵列排布，且若干应力调节凹槽包括若干在第一方向上延伸的第一凹槽。3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，若干应力调节凹槽还包括若干在第二方向上延伸的第二凹槽。4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器，其特征在于，若干第一凹槽和若干第二凹槽中，至少1个第一凹槽和1个第二凹槽连通。5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，若干所述存储区沿所述第一方向和第二方向阵列排布，且若干应力调节凹槽包括若干在第二方向上延伸的第二凹槽。6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述应力调节凹槽的底部暴露出所述介电层表面。7.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，每个所述位线在第二面上具有位线投影，并且，每个所述位线投影在1个有源区的范围内。8.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述电容表面和所述介电层上的电容极板连接层；所述电容极板位于所述电容极板连接层的表面；所述应力调节凹槽还延伸至所述电容极板连接层内。9.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述介电层和电容极板上的键合介电层；与所述键合介电层键合的承载基底。10.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互独立的存储区，相邻存储区之间具有间隔区，所述存储区中具有若干相互分立的有源区，所述有源区在第一方向上延伸，所述有源区包括若干相互独立且沿第一方向排列的...

【专利技术属性】
技术研发人员：华文宇，张帜，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：