【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有双晶体管垂直存储器单元及共享沟道区域的存储器装置
[0001]优先权申请案
[0002]本申请案要求2019年8月28日提交的第62/893,013号美国临时申请案的优先权权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
[0003]存储器装置广泛用于计算机及许多其它电子物品中以存储信息。通常将存储器装置分类成两个类型：易失性存储器装置及非易失性存储器装置。存储器装置通常具有用以存储信息的众多存储器单元。在易失性存储器装置中，如果供应电力从存储器装置断开，则存储于存储器单元中的信息丢失。在非易失性存储器装置中，即使供应电力从存储器装置断开，存储于存储器单元中的信息仍保留。
[0004]本文中的描述涉及易失性存储器装置。大部分常规易失性存储器装置将信息以电荷形式存储于包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的需求增大，许多常规技术提供缩小存储器单元的大小以便增加给定装置区的装置存储密度的方法。然而，如果存储器单元大小待缩小到某尺寸，则物理限制及制造约束可能会对此类常规技术构成挑战。不同于一些常规存储器装置，本文中所描述的存储器装置包含可克服常规技术所面临的挑战的特征。
附图说明
[0005]图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈包含易失性存储器单元的存储器装置的形式的设备的框图。
[0006]图2展示根据本文中所描述的一些实施例的存储器装置的一部分的示意图，所述存储器装置包含双晶体管(2T)存储器单元的存储器阵列。
[0007]图3展示根据本文中所描述的一些...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，其包括：第一数据线，其位于所述设备的第一层级中；第二数据线，其位于所述设备的第二层级中；第一存储器单元，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第三层级中，所述第一存储器单元包含耦合到所述第一数据线的第一晶体管及耦合于所述第一数据线与所述第一晶体管的电荷存储结构之间的第二晶体管；及第二存储器单元，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第四层级中，所述第二存储器单元包含耦合到所述第二数据线的第三晶体管及耦合于所述第二数据线与所述第三晶体管的电荷存储结构之间的第四晶体管，所述第一晶体管与所述第三晶体管串联耦合于所述第一数据线与所述第二数据线之间。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管具有不同晶体管类型，且所述第三晶体管与所述第四晶体管具有不同晶体管类型。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管具有不同阈值电压，且所述第三晶体管与所述第四晶体管具有不同阈值电压。4.根据权利要求1所述的设备，其中第一电荷存储结构及第二电荷存储结构中的每一者包含多晶硅。5.根据权利要求1所述的设备，其中：所述第二晶体管包含接触所述第一数据线及第一电荷存储结构的第一半导电氧化物材料；且所述第四晶体管包含接触所述第二数据线及第二电荷存储结构的第二半导电氧化物材料。6.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第一导线，其横跨所述第一晶体管及所述第二晶体管中的每一者的部分；及第二导线，其横跨所述第三晶体管及所述第四晶体管中的每一者的部分。7.根据权利要求6所述的设备，其进一步包括：第一额外导线，其横跨所述第一晶体管及所述第二晶体管中的每一者的部分；及第二额外导线，其横跨所述第三晶体管及所述第四晶体管中的每一者的部分。8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第三数据线，其位于所述第一层级中；第四数据线，其位于所述第二层级中；第三存储器单元，其位于所述第三层级中，所述第三存储器单元包含耦合到所述第三数据线的第五晶体管及耦合到所述第五晶体管的第六晶体管；第四存储器单元，其位于所述第四层级中，所述第四存储器单元包含耦合到所述第四数据线的第七晶体管及耦合到所述第七晶体管的第八晶体管，所述第七晶体管与所述第五晶体管串联耦合于所述第三数据线与所述第四数据线之间；第一导线，其横跨所述第一晶体管及所述第二晶体管中的每一者的部分以及所述第五晶体管及所述第六晶体管中的每一者的部分；及第二导线，其横跨所述第三晶体管及所述第四晶体管中的每一者的部分以及所述第七晶体管及所述第八晶体管中的每一者的部分。
9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：第一额外导线，其横跨所述第一晶体管及所述第二晶体管中的每一者的部分以及所述第五晶体管及所述第六晶体管中的每一者的部分；及第二额外导线，其横跨所述第三晶体管及所述第四晶体管中的每一者的部分以及所述第七晶体管及所述第八晶体管中的每一者的部分。10.一种设备，其包括：第一导电区域，其位于所述设备的第一层级中；第二导电区域，其位于所述设备的第二层级中；第一电荷存储结构，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第三层级中；第一半导体材料，其位于所述第一导电区域与所述第一电荷存储结构之间且接触所述第一导电区域及所述第一电荷存储结构；第二电荷存储结构，其位于所述设备的处于所述第二层级与所述第三层级之间的第四层级中；第二半导体材料，其位于所述第二导电区域与所述第二电荷存储结构之间且接触所述第二导电区域及所述第二电荷存储结构；第三半导体材料，其在所述第一层级与所述第二层级之间延伸且接触所述第一导电区域及所述第二导电区域；第一电介质，其位于所述第一电荷存储结构与所述第二电荷存储结构之间且接触所述第一电荷存储结构及所述第二电荷存储结构；及第二电介质，其将所述第三半导体材料与所述第一半导体材料及所述第二半导体材料以及所述第一电荷存储结构及所述第二电荷存储结构中的每一者分开。11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括在所述第一层级与所述第二层级之间延伸且接触所述第一导电区域及所述第二导电区域的第四半导体材料。12.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括第三电介质，所述第三电介质将所述第四半导体材料与所述第一半导体材料及所述第二半导体材料以及所述第一电荷存储结构及所述第二电荷存储结构中的每一者分开。13.根据权利要求10所述的设备，其中：所述第一电荷存储结构形成第一存储器单元的第一晶体管的部分；所述第二电荷存储结构形成第二存储器单元的第二晶体管的部分；且所述第三半导体材料形成所述第一晶体管与所述第二晶体管的共享沟道区域。14.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一半导体材料及所述第二半导体材料中的每一者具有第一导电类型，且所述第三半导体材料具有第二导电类型。15.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一半导体材料及所述第二半导体材料中的每一者具有n型导电性，且所述第三半导体材料具有p型导电性。16.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一半导体材料包括与第二半导电材料相同的材料。17.根据权利要求10所述的设备，其中第一额外半导体材料及第二额外半导体材料中的每一者包括半导电氧化物材料。
18.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一半导体材料及所述第二半导体材料中的每一者包括以下各者中的至少一者：氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO
x
)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓硅(IGSO)、氧化铟(InO
x
、In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化钛(TiOx)、氮氧化锌(Zn
x
O
y
N
z
)、氧化镁锌(Mg
x
Zn
y
O
z
)、氧化铟锌(In
x
Zn
y
O
z
)、氧化铟镓锌(In
x
...
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