一种六面包覆的扇出型芯片封装方法和封装结构技术

本发明专利技术公开了一种六面包覆的扇出型芯片封装方法及封装结构，芯片，芯片正面设有多个压区，芯片的背面和四周侧面包覆有塑封层，塑封层背面粘合有支撑层，支撑层的背面覆盖有背胶层，芯片正面具有再钝化层、再布线金属层和金属凸块，再钝化层覆盖芯片正面和塑封层正面，再布线金属层的一端与压区接触，再布线金属层的另一端与金属凸块连接，再钝化层上设有再保护层，金属凸块的端部裸露且与再保护层的正面齐平，芯片正面设有用于架高芯片的增强层，塑封层选用ABF膜层压成型。本发明专利技术提供的封装方法简便，且封装后的结构能有效保护芯片，提高芯片的传输速率和传输稳定性，封装后的芯片不易翘曲，切割时不易划伤、碰撞缺损等，良品率大大提高。率大大提高。率大大提高。

【技术实现步骤摘要】
一种六面包覆的扇出型芯片封装方法和封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，更具体涉及一种类QFN/DFN外观的六面包覆的扇出型芯片封装方法和封装结构。

技术介绍

[0002]在市场需求的推动下，传统封装不断创新、演变，出现了各种新型的封装结构。随着电子产品及设备的高速化、小型化、系统化、低成本化的要求不断提高，传统封装的局限性也越来越突出。传统封装采用相对较长引线互联的方式，即使用金属丝(金线、铝线等)，利用热压或超声能源，实现微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，完成芯片与电路或引线框架之间的连接，25μm引线的拱丝长度达到了5mm，存在传输速率慢、封装体积大与传输不稳定等缺陷。
[0003]现有的封装结构的机械强度不足，对芯片的保护不够，且在封装后进行单片切割时，芯片容易损坏，切割后的良品率低。在进行传统塑封时，熔融状态的塑封料与芯片相接触时，芯片受到冲击载荷导致芯片整体偏移，从而影响产品后续的精确度。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种六面包覆的扇出型芯片封装方法和封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种六面包覆的扇出型芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将来料晶圆背面研磨至指定厚度，切割成单颗芯片(1)，取载体圆片(3)并在载体圆片(3)上贴合临时键合膜(2)，使用倒装设备，将芯片(1)倒装在载体圆片(3)上；步骤二：用塑封材料进行塑封在载体圆片(3)形成塑封层(4)，塑封层(4)填充各芯片(1)之间的间隙，且塑封层(4)覆盖芯片(1)的背面和四周侧面；载体圆片(3)的正面依次叠有临时键合膜(2)、芯片(1)、塑封层(4)，形成重构晶圆；步骤三：在塑封层(4)上粘合支撑层；步骤四：通过解键合将载体圆片(3)和临时键合膜(2)从重构晶圆上脱粘并剥离出来；步骤五：将步骤四中无载体圆片(3)和临时键合膜(2)的重构晶圆倒置，在重构晶圆的芯片(1)上方涂上光刻胶，用掩膜版进行光刻或激光工艺，开出图形开口，形成再钝化层(6)；再次涂上光阻层，用掩膜版进行光刻或激光工艺，开出金属层图形开口；在金属层图形开口内电镀，形成再布线金属层(7)，并形成金属凸块(9)；再钝化层(6)覆盖芯片(1)正面和塑封层(4)正面，再布线金属层(7)的一端与压区(11)接触，再布线金属层(7)的另一端与金属凸块(9)连接；步骤六：用塑封材料进行塑封在芯片(1)正面的再钝化层(6)上形成再保护层(8)；步骤七：研磨再保护层(8)的表面直至露出金属凸块(9)的端面，研磨完成之后进行单片切割形成若干颗独立封装体。2.根据权利要求1所述的六面包覆的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述步骤三中，在塑封层(4)上粘合支撑层后，可将支撑层减薄至指定厚度，然后在支撑层上涂覆背胶形成背胶层，支撑层为支撑硅层。3.根据权利要求1所述的六面包覆的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述步骤一中，在将来料晶圆背面研磨至指定厚度切...

【专利技术属性】
技术研发人员：张中，谢雨龙，龙欣江，张国栋，梅万元，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：