一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法技术

本发明专利技术公开了一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，包括以下步骤：S1、芯片的活化：对二极管芯片的外表面进行化学处理，使二极管芯片外表面形成焊接中间体，该焊接中间体能够与银铜锌合金焊片进行充分焊接；S2、芯片的初装；S3、芯片的焊接：将石墨舟放入送入焊接炉，使银铜锌合金焊片、芯片以及金属铜引线充分熔合；S4、芯片的处理：采用清洗液对焊接后的芯片进行清洗，涂护封用胶，进行胶固化；S5、芯片的塑封：采用塑封材料对焊接后的芯片进行塑封。本发明专利技术二极管制造工艺中采用银铜锌合金焊片取代传统生产工艺中的铅锡银合金焊片，既保证了二极管优异的耐热性能，又达到无铅的欧盟标准。准。准。

【技术实现步骤摘要】
一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法


[0001]本专利技术属于二极管生产
，尤其涉及一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法。

技术介绍

[0002]二极管是最常用的电子元件之一，最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路也主要是由二极管来构成的。
[0003]二极管在市场上的应用十分广泛，中国加入WTO后其需求量也就越来越高，但欧盟提出无铅的标准要求，而且延期十年时间已快结束。目前二极管，是采用芯片、铅锡银焊料和引线进行温度300℃以上焊接，再对OJ芯片台面进行酸碱清洗处理,然后再涂保护硅胶并进行胶固化等。也有生产厂家采用200℃左右的合金焊料来试验，虽然解决无铅问题，但使得二极管耐焊接热下降，无法满足二极管正常焊接的耐焊接热要求。面对这样背景，迫切需要一种新的工艺方法来替代目前生产工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术克服了现有技术的不足，提供一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，以解决现有技术中存在的问题。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，包括以下步骤：
[0006]S1、芯片的活化：对二极管芯片的外表面进行化学处理，使二极管芯片外表面形成焊接中间体，该焊接中间体能够与银铜锌合金焊片进行充分焊接；
[0007]S2、芯片的初装：在插满铜引线的石墨舟孔中装上一层银铜锌合金焊片，再装上一层活化过的芯片，在芯片上再装一层银铜锌合金焊片，将一盘插满铜引线的石墨舟翻转合好并压实；
[0008]S3、芯片的焊接：将石墨舟放入送入焊接炉，使银铜锌合金焊片、芯片以及金属铜引线充分熔合；
[0009]S4、芯片的处理：采用清洗液对焊接后的芯片进行清洗，涂护封用胶，进行胶固化；
[0010]S5、芯片的塑封：采用塑封材料对焊接后的芯片进行塑封。
[0011]本专利技术一个较佳实施例中，步骤S1中，采用电解液对二极管芯片外表面进行活化处理，形成焊接中间体。
[0012]本专利技术一个较佳实施例中，步骤S3中，焊接炉内的温度为450℃～800℃。
[0013]本专利技术一个较佳实施例中，步骤S3中，焊接炉内处理的时间为10min～15min。
[0014]本专利技术一个较佳实施例中，步骤S4中，清洗液为酸性药液或碱性药液。
[0015]本专利技术一个较佳实施例中，步骤S4中，采用的胶为硅胶或聚酰亚氨PI胶。
[0016]本专利技术一个较佳实施例中，步骤S5中，采用的塑封材料为环氧树脂模塑料。
[0017]本专利技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷，本专利技术具备以下有益效果：
[0018]本专利技术二极管制造工艺中采用银铜锌合金焊片取代传统生产工艺中的铅锡银合金焊片，既保证了二极管优异的耐热性能，又达到无铅的欧盟标准。
附图说明
[0019]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明；
[0020]图1为本专利技术优选实施例的流程图；
具体实施方式
[0021]现在结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。
[0022]如图1所示，一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，包括以下步骤：
[0023]S1、芯片的活化：对二极管芯片的外表面进行化学处理，使二极管芯片外表面形成焊接中间体，该焊接中间体能够与银铜锌合金焊片进行充分焊接，采用电解液对二极管芯片外表面进行活化处理，形成焊接中间体；
[0024]S2、芯片的初装：在插满铜引线的石墨舟孔中装上一层银铜锌合金焊片，再装上一层活化过的芯片，在芯片上再装一层银铜锌合金焊片，将一盘插满铜引线的石墨舟翻转合好并压实；
[0025]S3、芯片的焊接：将石墨舟放入送入焊接炉，使银铜锌合金焊片、芯片以及金属铜引线充分熔合；
[0026]S4、芯片的处理：采用清洗液对焊接后的芯片进行清洗，涂护封用胶，进行胶固化；
[0027]S5、芯片的塑封：采用塑封材料对焊接后的芯片进行塑封。
[0028]在本实施例中，步骤S3中，焊接炉内的温度为450℃～800℃。
[0029]具体地，步骤S3中，焊接炉内处理的时间为10min～15min。
[0030]在本实施例中，步骤S4中，清洗液为酸性药液或碱性药液。
[0031]在本实施例中中，步骤S4中，采用的胶为硅胶或聚酰亚氨PI胶。
[0032]在本实施例中，步骤S5中，采用的塑封材料为环氧树脂模塑料。
[0033]以上依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项专利技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、芯片的活化：对二极管芯片的外表面进行化学处理，使二极管芯片外表面形成焊接中间体，该焊接中间体能够与银铜锌合金焊片进行充分焊接；S2、芯片的初装：在插满铜引线的石墨舟孔中装上一层银铜锌合金焊片，再装上一层活化过的芯片，在芯片上再装一层银铜锌合金焊片，将一盘插满铜引线的石墨舟翻转合好并压实；S3、芯片的焊接：将石墨舟放入送入焊接炉，使银铜锌合金焊片、芯片以及金属铜引线充分熔合；S4、芯片的处理：采用清洗液对焊接后的芯片进行清洗，涂护封用胶，进行胶固化；S5、芯片的塑封：采用塑封材料对焊接后的芯片进行塑封。2.根据权利要求1所述的一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，步骤S1中，采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晏宁，刘一霖，张世华，
申请(专利权)人：如皋市远亚电子有限公司，
类型：发明
国别省市：