【技术实现步骤摘要】
UV光检测结构及UV处理设备
[0001]本专利技术涉及UV处理设备
,尤其是UV处理设备的UV光学测量装置。本专利技术还涉及设有所述UV光学测量装置的UV处理设备。
技术介绍
[0002]晶圆是制造半导体器件的基础性原材料。高纯度的半导体经过拉晶、切片等工序制备成为晶圆,晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构,再经切割、封装、测试成为芯片,广泛应用到各类电子设备当中。
[0003]在晶圆的加工处理过程中,通常会用到UV处理设备。例如在晶圆表面镀膜之后,通过采用特定波长和强度的UV光进行照射,可以使膜的密度、硬度等机能发生变化,从而获得设计所需的某种性能,以满足后续处理工艺的要求。
[0004]随着UV处理设备的长期运行,作为光源的UV灯会有损耗,为了保证处理效果,必须随着UV灯的损耗,逐渐加大功率,以保证光照强度,因此,UV光的信息是UV处理工艺过程中的一个重要参照,非常有必要对其进行检测。
[0005]一般能够想到的UV光检测方式,是直接将传感器安装在UV灯的旁侧,或者,将传感器安 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.UV光检测结构,包括机体和设于所述机体内部的UV光源和光反射器,所述光反射器用于反射所述UV光源发出的UV光,以使所述UV光照射由所述光发射器所限定的工作区域,其特征在于,所述机体内部具有位于所述工作区域外侧的间隙空间,并具有用于将UV光源的部分余光从边侧漏出至所述间隙空间的透光结构;所述机体设有光传感器,所述光传感器的检测端位于所述间隙空间内,以检测所述UV光源从所述透光结构漏出至所述间隙空间的余光。2.根据权利要求1所述的UV光检测结构,其特征在于,所述机体设有用于容纳所述光反射器的腔室,所述腔室的内壁与所述光反射器的外壁之间形成所述间隙空间。3.根据权利要求2所述的UV光检测结构,其特征在于,所述光反射器包括主反射器和二次反射器;所述主反射器罩扣于所述UV光源的上方,所述二次反射器位于所述UV光源的下方,所述腔室的内壁与所述二次反射器的外壁之间形成所述间隙空间。4.根据权利要求3所述的UV光检测结构,其特征在于,在所述UV光源的余光漏出路径上,所述透光结构包括所述主反射器与二次反射器相间隔的区域以及位于所述二次反射器上的漏光部位。5.根据权利要求4所述的UV光检测结构,其特征在于,所述漏光部位包括形成在所述二次反射器外壁上的漏光槽,所述漏光槽的底部为斜面,所述斜面沿所述UV光源的余光照射方向自上而下地向外倾斜。6.根据权利要求2所述的UV光检测结构,其特征在于,所述光传感器通过传感器定位机构安装于所...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭华强,李蓬勃,
申请(专利权)人:拓荆科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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