红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供一种红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法，该结构包括：具有焊垫的红外热电堆芯片；透红外光的第一基底，红外热电堆芯片粘合于第一基底的凹槽中；与第一基底键合的透红外光的第二基底；贯穿第二基底的金属连接柱，并与焊垫连接；形成于第二基底上的重新布线层，与金属连接柱电连接，且重新布线层具有开口区，开口区正对红外热电堆芯片的感光区；形成于重新布线层上的金属凸块。通过将多个红外热电堆芯片同时粘合于同一基底然后封装形成为扇出型晶圆级封装，大大减小了封装尺寸，节约封装成本；另外，第一基底及第二基底均采用可透红外光的材料，可实现封装体的双面透光，提高封装体的应用范围以及应用灵活性。活性。活性。

【技术实现步骤摘要】
红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法


[0001]本专利技术属于红外热电堆芯片的封装
，特别是涉及一种红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]红外热电堆芯片是由热电偶构成的一种半导体结构，能对温差和电能进行相互转化，当热电堆的两边出现温差时，会产生电流，可用于测量温度。目前，它在耳式体温计、放射温度计、电烤炉、食品温度检测等领域中，作为温度检测器件获得了广泛的应用。
[0003]红外热电堆芯片目前普遍采用TO封装形式(直插式封装)，此封装结构在前面的金属封盖前端开孔后再填补适当的红外线穿透材料。然而，此种金属晶体管封装形式工艺制程复杂，封装体积大且成本昂贵，使其应用范围受到一定限制。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法，用于解决现有技术中红外热电堆芯片采用TO封装形式形成的封装结构体积较大且成本昂贵等的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种红外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供具有焊垫的红外热电堆芯片及透红外光的第一基底，并于所述第一基底中刻蚀出凹槽；将所述红外热电堆芯片置于所述凹槽中并与所述第一基底粘合，所述红外热电堆芯片的厚度不大于所述凹槽的深度；提供透红外光的第二基底，并与载有所述红外热电堆芯片的所述第一基底键合；刻蚀所述第二基底，以形成裸露出所述焊垫的通孔，并于所述通孔中形成金属连接柱；于所述第二基底上形成重新布线层，所述金属连接柱与所述重新布线层电连接，且所述重新布线层具有开口区，所述开口区正对所述红外热电堆芯片的感光区；于所述重新布线层上形成金属凸块。2.根据权利要求1所述的红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于：所述第一基底的材料为硅或锗，所述第二基底的材料为硅或锗。3.根据权利要求2所述的红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于：所述第一基底的厚度介于400μm～700μm之间，所述第二基底的厚度介于400μm～700μm之间。4.根据权利要求1所述的红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于：采用表面贴装工艺将所述红外热电堆芯片粘合于所述第一基底的所述凹槽中。5.根据权利要求1所述的红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于：形成所述重新布线层的步骤包括：采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺于所述第二基底表面上形成介质层，并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的介质层，其中，所述图形化的介质层具有开口区，所述开口区正对所述红外热电堆芯片的感光区；采用化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化的介质层表面形成金属布线层，并对所述金属布线层进行刻蚀形成图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：荆二荣，徐德辉，
申请(专利权)人：上海烨映微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：