一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器及电子设备，其中，双栅π型薄膜晶体管光学感应器包括源极、漏极和非晶硅，所述源极和所述漏极间隔设置，所述非晶硅设置在所述源极和所述漏极之间，所述非晶硅的一端与所述源极和漏极之间形成沟道，另一端超出所述源极和所述漏极的端部。本实用新型专利技术设置第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和第四凹槽，获得纯粹的π结构，并且在凹槽处使用黑色矩阵做避空设计，取得较大的开关比，从而使感应器有较大的对比度，提高了双栅π结构薄膜晶体管光学感应器的电学稳定性。器的电学稳定性。器的电学稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种双栅
π
型薄膜晶体管光学感应器及电子设备


[0001]本技术涉及光学感应器
，尤其涉及一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器及电子设备。

技术介绍

[0002]光学感应器在工业自动化、工业无损检测、人工智能、医学诊断、消费电子等领域中应用广泛。以薄膜晶体管为基础的光学感应器具有成本低、易于大面积成像的优点。一个薄膜晶体管和一个光敏元件构成一个基本像素单元。为了增大感光面积、提高像素填充比，将薄膜晶体管与光敏元件集成，做成了双栅π型非晶硅薄膜晶体管结构，如图1和图2所示，薄膜晶体管的非晶硅沟道既作为电子通道，同时也用作感光，因此非晶硅10
’
中间位置较厚，达到数千埃两端只作为电子通道，厚度较薄。
[0003]在2017年已公开的文章(3
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D Dual
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Gate Photosensitive Thin
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Film Transistor ArchitecturesBased on Amorphous Silicon)中，研究者对普通薄膜晶体管结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器，其特征在于，包括源极、漏极和非晶硅，所述源极和所述漏极间隔设置，所述非晶硅设置在所述源极和所述漏极之间，所述非晶硅的一端与所述源极和漏极之间形成沟道，另一端超出所述源极和所述漏极的端部；所述源极与所述非晶硅的连接处设有第一凹槽，所述第一凹槽设置在所述非晶硅的边角处；所述漏极与所述非晶硅的连接处设有第二凹槽，所述第二凹槽设置在所述非晶硅的端部。2.根据权利要求1所述的双栅π型薄膜晶体管光学感应器，其特征在于，所述第二凹槽设置在所述漏极的两侧。3.根据权利要求2所述的双栅π型薄膜晶体管光学感应器，其特征在于，所述第一凹槽内设有第一黑色矩阵，所述第二凹槽内设有第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志猛，李源，谢雄才，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：