光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置制造方法及图纸

本申请实施例提供光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置，涉及半导体技术领域，用于降低光电二极管在较宽光谱范围内的反射率。该光电二极管器件包括半导体衬底、光电二极管以及抗反射膜。半导体衬底具有第一表面。光电二极管设置于半导体衬底内，光电二极管具有裸露于第一表面的感光面。抗反射膜覆盖光电二极管的感光面。其中，抗反射膜包括依次层叠的第一抗反射层、第二抗反射层以及第三抗反射层。通过3层反射层相互配合，各反射层可分别设计相应的厚度和/或材料，因此，抗反射膜在设计上有更多的组合自由度。抗反射膜作为一个整体对入射光进行作用，使得抗反射膜在较宽光谱范围内均具有低反射率。光谱范围内均具有低反射率。光谱范围内均具有低反射率。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置。

技术介绍

[0002]光电二极管是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电特性。光电二极管是在反向电压作用之下工作的，在一般照度的光线照射下，产生载流子由电极导出形成电流。光电二极管接收光线照射的表面为感光面，感光面可设置抗反射膜以减少光电二极管对光线的反射，然而常规的抗反射膜只满足于较窄范围内的光低反射要求。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置，用于降低光电二极管在较宽光谱范围内的反射率。
[0004]为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种光电二极管器件，包括半导体衬底、光电二极管以及抗反射膜。半导体衬底具有第一表面。光电二极管设置于半导体衬底内，光电二极管具有裸露于第一表面的感光面。抗反射膜覆盖光电二极管的感光面。其中，抗反射膜包括依次层叠在光电二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管器件，其特征在于，包括：半导体衬底，具有第一表面；光电二极管，设置于所述半导体衬底内，所述光电二极管具有裸露于所述第一表面的感光面；抗反射膜，覆盖所述光电二极管的所述感光面；其中，所述抗反射膜包括依次层叠在所述光电二极管的感光面上的第一抗反射层、第二抗反射层以及第三抗反射层。2.根据权利要求1所述的光电二极管器件，其特征在于，所述第一抗反射层具有第一厚度h1，所述第二抗反射层具有第二厚度h2，所述第三抗反射层具有第三厚度h3，其中，h1＜h2，h3＜h2。3.根据权利要求2所述的光电二极管器件，其特征在于，h1：h2：h3＝1：(1～5)：(0.5～2)。4.根据权利要求1～3中任一项所述的光电二极管器件，其特征在于，所述光电二极管器件还包括：电极，设置于所述抗反射膜远离所述半导体衬底的一侧，所述电极的一部分贯穿所述抗反射膜，且与所述光电二极管电连接。5.根据权利要求4所述的光电二极管器件，其特征在于，所述光电二极管器件还包括：钝化层，设置于所述电极远离所述半导体衬底的一侧，且覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁春超，樊堃，谭信辉，
申请(专利权)人：杭州海康威视数字技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：