太阳能电池的制备方法及太阳能电池技术

本申请提供了一种太阳能电池的制备方法与太阳能电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，制备隧穿层与本征非晶硅层；再于所述硅基底的两侧表面制备第一掺杂源层，并设置掩膜层遮掩部分第一掺杂源层；去除硅基底背面未设置掩膜层区域的第一掺杂源层，在硅基底背面未设置掩膜层的区域制备第二掺杂源层；高温扩散使得硅基底背面形成第一掺杂层与第二掺杂层；再依次进行清洗、镀膜与金属化，得到相应的太阳能电池。上述制备方法将第一掺杂源层、第二掺杂源层在高温条件下共同扩散，便可完成第一掺杂层、第二掺杂层及前表面场层的制备，简化工艺；本申请太阳能电池将多晶硅钝化接触结构与背接触设计相结合，提高电池转换效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法及太阳能电池


[0001]本申请涉及太阳能电池生产
，尤其涉及一种太阳能电池热的制备方法及太阳能电池。

技术介绍

[0002]随着光伏产业技术的快速发展，国内外市场对太阳能电池的转换效率也提出越来越高的需求。因而业内众多厂商均在积极进行新电池结构及生产工艺的研究，以期取得行业优势。近年，已有研究机构(ISFH)研制出效率达到26.1％的太阳能电池，该太阳能电池将POLO(polycrystalline silicon on oxide)结构与背电池设计(IBC)相结合，以提高电池转换效率。上述太阳能电池的整套生产工艺较为复杂，涉及多次掩膜与清洗，工艺精度要求也比较严格，电池生产成本也较高，难以进行产业化推广与应用。鉴于此，有必要对上述太阳能电池的制备方法进行研究与改进。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，能够简化工艺，降低生产成本。
[0004]为实现上述专利技术目的，本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，主要包括：/>[0005]对硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：对硅基底进行表面处理；依次在硅基底背面制备隧穿层与本征非晶硅层；在硅基底的两侧表面制备第一掺杂源层；在硅基底背面设置掩膜层，所述掩膜层用以遮掩所述硅基底背面既定区域的第一掺杂源层；去除所述硅基底背面未设置掩膜层区域的第一掺杂源层；在硅基底背面未设置掩膜层的区域制备第二掺杂源层，并使得所述第二掺杂源层与第一掺杂源层间隔分布；高温扩散，在硅基底背面形成掺杂类型相反的第一掺杂层与第二掺杂层；依次进行清洗、镀膜与金属化。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅基底采用N型硅片；所述“在硅基底的两侧表面制备第一掺杂源层”是指在所述硅基底两侧表面制备磷硅玻璃层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述硅基底正面的磷硅玻璃层的厚度大于等于所述硅基底背面的磷硅玻璃层的厚度。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅基底采用N型硅片；所述“在硅基底的两侧表面制备第一掺杂源层”是指在所述硅基底两侧表面采用离子注入的方法注入磷源，以形成第一掺杂源层。5.根据权利要求2或4所述的制备方法，其特征在于：所述硅基底背面具有设置呈条状且依次交替排布的第一区域与第二区域，所述第一区域表面覆设有所述掩膜层，所述第二区域的本征非晶硅层向外暴露；所述“在硅基底背面未设置掩膜层的区域制备第二掺杂源层”步骤是在所述硅基底背面的第二区域印刷硼浆。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述第一区域的宽度设置为40～800μm；所述第二区域的宽度设置为80～400μm。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述“高温扩散”步骤完成后，所述硅基底正面形成前表面场层，所述前表面场层中磷浓度为10
20
～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨慧，李硕，李兵，邓伟伟，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：