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本申请提供了一种太阳能电池的制备方法与太阳能电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，制备隧穿层与本征非晶硅层；再于所述硅基底的两侧表面制备第一掺杂源层，并设置掩膜层遮掩部分第一掺杂源层；去除硅基底背面未设置掩膜层区域的第一掺杂源层，在...
该专利属于嘉兴阿特斯技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴阿特斯技术研究院有限公司授权不得商用。

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