具有不对称结构的晶片型天线制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有不对称结构的晶片型天线，其包括天线本体，天线本体的第一端设置有接地面，天线本体的第二端设置有晶片天线和净空区，晶片天线设置在净空区表面，净空区包括第一矩形结构和第二矩形结构，第二矩形结构延伸至接地面内部；第二矩形结构与接地面的接触位置设置有馈电点，馈电点连接有匹配电路，晶片天线上设置有标记点，晶片天线为环状绕线结构，标记点设置在晶片天线靠近接地面的一侧；天线本体包括基板、底层铜面、表层铜面以及防焊层。其通过不对称结构，增加标标记点来识别使用方向，采用表面绕线的方式能够达到产品所需的频率范围。品所需的频率范围。品所需的频率范围。

【技术实现步骤摘要】
具有不对称结构的晶片型天线


[0001]本技术涉及天线
，具体地涉及一种具有不对称结构的晶片型天线。

技术介绍

[0002]晶片天线是一种新兴的微小型器件，目前业界所采用的技术皆是以材料及天线内部绕线方式使天线微小化，然而采用此种技术不仅在制作工艺上难度较高，制作时需要有专用设备，而且制作的天线损耗也非常高；再者，在制作过程中稳定度难以控制，因此产品在应用时亦受到周遭环境的影响而发生偏频的现象。
[0003]在现有技术中，现有的晶片型单极子天线，走线方式均为过孔绕线方式，由于现有制作工艺对过孔的大小以及填充均比较复杂，而过孔的数量直接影响生产成本，增加过孔就会导致生产成本大幅增加。而且天线的大小无法增加导致天线效率无法增长，从而无法提高天线的品质。

技术实现思路

[0004]为了解决上述现有技术的不足，本技术提供一种具有不对称结构的晶片型天线，其设置有不对称结构，从而对天线进行标记，通过不对称性结构绕线，使波长满足产品所需的频率范围，能解决现有晶片型单极天线因为过孔带来的成本增加的问题，从而降低整个天线的成本，而且能够保持更好的频率。
[0005]具体地，本技术提供一种具有不对称结构的晶片型天线，其包括天线本体，所述天线本体的第一端设置有接地面，所述天线本体的第二端设置有晶片天线和净空区，所述晶片天线设置在所述净空区表面，所述净空区包括第一矩形结构和第二矩形结构，所述第二矩形结构延伸至所述接地面内部；
[0006]所述第二矩形结构与所述接地面的接触位置设置有馈电点，所述馈电点连接有匹配电路，所述晶片天线上设置有标记点，所述晶片天线为立体环状螺旋绕线结构，在上表面上所述晶体天线包括多个环绕的矩形结构，所述晶体天线的天线宽度为W1，相邻的内外两层矩形结构的间距为L，最内层的矩形结构的端部具有一个开口，开口的宽度为W2，所述晶体天线的宽度W1、所述开口的宽度W2与间距L均相等，所述标记点设置在所述晶片天线靠近接地面的一侧；所述标记点与最内层的矩形结构及次内层矩形结构的短边接触；
[0007]所述天线本体的整体结构包括底层铜面、基板、表层铜面以及防焊层。
[0008]优选地，所述晶片天线的天线包括上金属层、下金属层以及介质，所述介质设置在所述上金属层和下金属层之间。
[0009]优选地，所述晶片天线的电流经标记点开始依次流至晶片天线的终点。
[0010]优选地，所述晶体天线的天线宽度W1、所述开口的宽度W2与间距L均为0.15
‑
0.25mm。
[0011]优选地，所述晶体天线的天线宽度W1、所述开口的宽度W2与间距L均为0.2mm。
[0012]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0013](1)本技术通过不对称结构，增加标mark点来识别使用方向，采用表面绕线的方式达到产品所需的频率范围。现有技术采用对称结构，采用过孔的方式纵向绕线，达到产品所需的频率范围。
[0014](2)本技术结构简单，其能够解决现有晶片型单极天线需要过孔从而导致成本过高的问题，其在保持较低成本的基础上能够同时保证较高的质量。
[0015](3)本专利的结构将天线电流聚集于天线螺旋部分，使天线电磁场发射方向较大部分于螺旋正上方辐射，少部分于天线水平方向，螺旋正上方可控制辐射方向避免能量被耳窝耳垂耳朵附近部位吸收，加强未被遮挡部分的辐射能量，减少受耳朵遮蔽部位的辐射能量，从而达成提升效果。
附图说明
[0016]图1为本技术的结构示意图；
[0017]图2为本技术的天线本体的结构示意图；
[0018]图3为本技术的天线内部结构示意图；
[0019]图4为本技术的天线电流经过示意图；
[0020]图5为本技术的天线损耗示意图；
[0021]图6为本技术的天线的Smith示意图。
具体实施方式
[0022]以下将参考附图详细说明本技术的示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。
[0023]具体地，本技术提供一种具有不对称结构的晶片型天线，如图1至图3所示，其包括天线本体1，所述天线本体1的第一端设置有接地面2，天线本体1的第二端设置有晶片天线3和净空区4，晶片天线3设置在净空区4表面，净空区4包括第一矩形结构5和第二矩形结构6，第二矩形结构6延伸至接地面2内部。
[0024]第二矩形结构6与接地面2的接触位置设置有馈电点7，馈电点7连接有匹配电路71，晶片天线3上设置有标记点8，晶片天线3为立体环状绕线结构，晶片天线为立体环状螺旋绕线结构，晶体天线的宽度为W1，相邻的内外两层矩形结构的间距为L，最内层的矩形结构的端部具有一个开口，晶体天线的宽度为W1、开口的宽度W2与间距L均相等，标记点设置在晶片天线靠近接地面的一侧；标记点与最内层的矩形结构及次内层矩形结构的短边接触。
[0025]在本专利的实施例中，天线本体的整体层面结构包括底层铜面、基板、表层铜面以及防焊层。
[0026]优选地，在本专利的一个实施例中，晶体天线3的宽度为W1、开口的宽度W2与间距L均为0.15
‑
0.25mm。
[0027]优选地，在本专利的一个详细的实施例中，晶体天线3的宽度为W1、开口的宽度W2与间距L均为0.2mm。
[0028]从天线的层次结构上，天线本体1包括基板、底层铜面、表层铜面以及防焊层，基板、底层铜面、表层铜面以及防焊层从上到下依次设置。
[0029]优选地，晶片天线3的天线的本身结构包括上金属层、下金属层以及介质，介质设置在上金属层和下金属层之间，上金属层设置在上表面，下金属层设置在下表面。
[0030]优选地，在具体使用过程中，晶片天线3的电流经标记点开始依次流至晶片天线的终点。
[0031]在本技术的实施例中，天线的本体是由上下两层金属层夹着介质形成的。天线由Mark点左侧输入，并且从右侧输出。晶体天线的整体结构的下层采用正面铺铜设计，上层采用绕线设计。
[0032]具体地，如图4所示，电流由A点进入之后经过天线底面到达B点，经B点向上到达天线上表面，然后在上面螺旋走向终点辐射出去。
[0033]图5及图6分别示出了本技术的天线的损耗及Smith示意图，能够证明本技术的天线的优异性能。
[0034]下面结合实际情况对本技术的工作原理做进一步分析：
[0035]本专利的天线适用于蓝芽耳机领域，因耳机本身入耳会被人耳吸收部分天线辐射，天线受限制于耳机腔内大小无法再进行增长，所以天线的效率有上限，无法扩大天线的效率。本专利的结构将天线电流聚集于天线螺旋部分，使天线电磁场发射方向较大部分于螺旋正上方辐射，少部分于天线水平方向，螺旋正上方可控制辐射方向避免能量被耳窝耳垂耳朵附近部位吸收，加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有不对称结构的晶片型天线，其特征在于：其包括天线本体，所述天线本体的第一端设置有接地面，所述天线本体的第二端设置有晶片天线和净空区，所述晶片天线设置在所述净空区表面，所述净空区包括第一矩形结构和第二矩形结构，所述第二矩形结构延伸至所述接地面内部；所述第二矩形结构与所述接地面的接触位置设置有馈电点，所述馈电点连接有匹配电路，所述晶片天线上设置有标记点，所述晶片天线为环状螺旋绕线结构，在上表面上所述晶体天线包括多个环绕的矩形结构，所述晶片天线的天线宽度为W1，相邻的内外两层矩形结构的间距为L，最内层的矩形结构的端部具有一个开口，开口的宽度为W2，所述晶体天线的宽度W1、所述开口的宽度W2与间距L均相等，所述标记点设置在所述晶片天线靠近接地面的一侧；所述标记点与最内层的矩形结构及次...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洪洋，
申请(专利权)人：江苏飞特尔通信有限公司，
类型：新型
国别省市：