天线装置以及电子设备制造方法及图纸

技术编号:32980820 阅读:24 留言:0更新日期:2022-04-09 12:24
本实用新型专利技术提供一种与高频电路连接的天线装置以及具备该天线装置的电子设备。天线装置具备:耦合元件,具备相互进行电磁场耦合的第1线圈以及第2线圈;供电辐射元件;和无供电辐射元件,第1线圈以及供电电路与供电辐射元件串联连接,无供电辐射元件与第2线圈连接,供电辐射元件是分支为长尺寸部和短尺寸部的元件,无供电辐射元件的开放端与短尺寸部的开放端的距离比无供电辐射元件的开放端与供电辐射元件的长尺寸部的开放端的距离短,天线装置用作基于供电辐射元件的长尺寸部的基波谐振以及无供电辐射元件的基波谐振的第1频带的天线,并用作基于无供电辐射元件的高次谐振以及供电辐射元件的短尺寸部的谐振的比第1频带高的第2频带的天线。的第2频带的天线。的第2频带的天线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】天线装置以及电子设备


[0001]本技术涉及与高频电路连接的天线装置以及具备该天线装置的电子设备。

技术介绍

[0002]在专利文献1示出了如下的结构,即,在将电子设备的壳体的框架的一部分用作辐射元件的天线装置中,为了将天线装置的对应频带宽带化,或者为了应对多个频带,将从对框架部分的供电点到第1开放端的部分和从对框架部分的供电点到第2开放端的部分分别用作不同的频带用的天线。在此,通过使从供电点到第1开放端的长度比从供电点到第2开放端的长度长,从而将从供电点到第1开放端用作低频段用的天线,将从供电点到第2开放端用作高频段用的天线。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:美国专利申请公开第2014/306857号说明书

技术实现思路

[0006]技术要解决的课题
[0007]虽然在上述的将从供电点到两个开放端分别用作辐射元件的天线装置中,能够独立地决定从供电点到第1开放端的长度和从供电点到第2开放端的长度,但是存在用上述单个辐射元件无法覆盖低频段和高频段的频带的情况。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种天线装置,其特征在于,具备:耦合元件,具备相互进行电磁场耦合的第1线圈以及第2线圈;供电辐射元件;以及无供电辐射元件,所述第1线圈以及供电电路与所述供电辐射元件串联连接,所述无供电辐射元件与所述第2线圈连接,所述供电辐射元件是分支为长尺寸部和短尺寸部的元件,所述无供电辐射元件的开放端与所述短尺寸部的开放端的距离比所述无供电辐射元件的开放端与所述供电辐射元件的所述长尺寸部的开放端的距离短,所述天线装置用作基于所述供电辐射元件的所述长尺寸部的基波谐振以及所述无供电辐射元件的基波谐振的第1频带的天线,并用作基于所述无供电辐射元件的高次谐振以及所述供电辐射元件的所述短尺寸部的谐振的比所述第1频带高的第2频带的天线。2.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述供电辐射元件以及所述无供电辐射元件相对于所述耦合元件的连接是如下的连接,即,电流从所述第1线圈流向所述供电辐射元件时在所述第1线圈产生的磁场的方向和电流从所述第2线圈流向所述无供电辐射元件时在所述第2线圈产生的磁场的方向彼此相反,所述无供电辐射元件的基波谐振被分配给所述第1频带的低频率侧,所述供电辐射元件的基波谐振被分配给所述第1频带的高频率侧。3.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述供电辐射元件以及所述无供电辐射元件相对于所述耦合元件的连接是如下的连接,即,电流从所述第1线圈流向所述供电辐射元件时在所述第1线圈产生的磁场的方向和电流从所述第2线圈流向所述无供电辐射元件时在所述第2线圈产生的磁场的方向相同,所述供电辐射元件的基波谐振被分配给所述第1频带的低频率侧,所述无供电辐射元件的基波谐振被分配给所述第1频带的高频率侧。4.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述供电辐射元件以及所述无供电辐射元件相对于所述耦合元件的连接是如下的连接,即,电流从所述第1线圈流向所述供电辐射元件时在所述第1线圈产生的磁场的方向和电流从所述第2线圈流向所述无供电辐射元件时在所述第2线圈产生的磁场的方向彼此相反,所述供电辐射元件的所述短尺寸部的谐振被分配给所述第2频带的低频率侧,所述无供电辐射元件的高次谐振被分配给所述第2频带的高频率侧。5.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述供电辐射元件以及所述无供电辐射元件相对于所述耦合元件的连接是如下的连接,即,电流从所述第1线圈流向所述供电辐射元件时在所述第1线圈产生的磁场的方向和电流从所述第2线圈流向所述无供电辐射元件时在所述第2线圈产生的磁场的方向相同,所述无供电辐射元件的高次谐振被分配给所述第2频带的低频率侧,所述供电辐射元件的所述短尺寸部的谐振被分配给所述第2频带的高频率侧。6.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,
所述供电辐射元件以及所述无供电辐射元件相对...

【专利技术属性】
技术研发人员:那须贵文
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1