【技术实现步骤摘要】
一种高静电防护半导体集成MOS管
[0001]本技术属于MOS管
,具体涉及一种高静电防护半导体集成MOS管。
技术介绍
[0002]MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
[0003]静电会产生放电电流,当电流产生导致内部过热,易使MOS管受伤,虽然仍能工作,但是寿命受损,且轻微受损,在正常测试中不易被发现,在这种情形下,常会因经过多次加工,甚至在使用时,才能被发现破坏,不但检查不易,而且损失亦难以预测;且MOS管在工作时,温度较高,需要对MOS管进行散热,现有的散热方式是利用螺丝将MOS管固定在铝散热板上,通过螺丝穿过MOS管顶部的固定孔拧紧在铝散热板上,将MOS管顶部固定,如果螺丝过紧或过松都会使MOS管底部接触不到散热板表面,导致散热效率差,且由于间隙过小,无法察觉,致使MOS管损坏。
[0004] ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高静电防护半导体集成MOS管,包括壳体(1),其特征在于:所述壳体(1)内部安装有内芯(5),所述内芯(5)底部设置有引脚(6),所述壳体(1)一侧开设有第一窗口(2),所述壳体(1)另一侧设置有封板(8),所述封板(8)和壳体(1)之间通过插接方式相连接,所述第一窗口(2)一侧设置有散热板(10),所述散热板(10)连接在内芯(5)一侧,所述散热板(10)上均匀固定有散热翅片(3),所述散热翅片(3)贯穿第一窗口(2)并延伸至外界,所述壳体(1)底部开设有第二窗口(4),所述引脚(6)延伸至第二窗口(4)外侧。2.根据权利要求1所述的一种高静电防护半导体集成MOS管,其特征在于:所述壳体(1)呈U形结构。3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:路尚伟,刘立娟,王兴超,
申请(专利权)人:山东沂光集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:
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