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一种高静电防护半导体集成MOS管制造技术
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文档序号:32985730
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本实用新型公开了一种高静电防护半导体集成MOS管,包括壳体,其特征在于:所述壳体内部安装有内芯,所述内芯底部设置有引脚,所述壳体一侧开设有第一窗口,所述壳体另一侧设置有封板,所述封板和壳体之间通过插接方式相连接,所述第一窗口一侧设置有散热板...
该专利属于山东沂光集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东沂光集成电路有限公司授权不得商用。
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