基于二值忆阻器的正负三值SR触发器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于二值忆阻器的正负三值SR触发器电路。本发明专利技术包括信号触发电路和信号锁存电路。信号锁存电路包括三个相同的基本逻辑门和复合逻辑门，对应的一对基本逻辑门和复合逻辑门构成一组逻辑单元。每个基本逻辑门包括两个忆阻器，负极作为单元输入端，正极连接，作为基本逻辑门输出端。复合逻辑门包括四个忆阻器和两个MOS管，一个忆阻器的正极接基本逻辑门输出端，负极与另一忆阻器的负极连接后接两个MOS管的栅极，一个MOS管的漏极通过忆阻器接电源，源极接另一个MOS管的漏极。触发电路包括三个相同结构的复合逻辑门，分别接信号锁存电路的三个单元输入端。本发明专利技术电路结构清晰简单、易于实现，可以正负通用。可以正负通用。可以正负通用。

【技术实现步骤摘要】
基于二值忆阻器的正负三值SR触发器电路


[0001]本专利技术属于电路设计
，涉及三值数字逻辑电路结构，具体涉及一种基于二值忆阻器的正负三值SR触发器电路。

技术介绍

[0002]1971年美国加州大学伯克利分校蔡少棠教授从电路理论完备性角度，预测了除电阻、电容和电感之外，还存在第四种遗失的无源基本电路元件，表征电荷和磁通量之间的关系，并将其命名为忆阻器。忆阻器概念提出之后的三十多年时间里，由于无法获得忆阻器器件的实物，关于忆阻器的研究几乎毫无进展。直到2008年，惠普实验室将忆阻器这一理论概念与TiO2器件中电阻双极性转变现象联系起来，提出忆阻器的惠普模型。作为一种非线性纳米元件，HP忆阻器具有独特的纳米尺寸、记忆特性、非易失特性、硬开关特性等，可以应用到医学、生物科学、神经网络、混沌系统、微电子等相关领域中。
[0003]目前大部分研究都是将忆阻器应用于二值数字逻辑电路系统中，而相比二值信号，多值信号携带更多的信息量，可以提高传输信号线与集成电路的信息密度和处理信息的时间和空间利用率。在三值逻辑电路中，存在一个介于低电平和高电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于二值忆阻器的正负三值SR触发器电路，包括信号触发电路和信号锁存电路，其特征在于：所述的信号触发电路包括三个相同的复合逻辑门，每个复合逻辑门包括四个忆阻器和两个MOS管；第一忆阻器的负极和第二忆阻器的负极连接后接第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极，第一MOS管的漏极接第三忆阻器的负极，第三忆阻器的的正极接电源，第一MOS管的源极接第二MOS管的漏极和第四忆阻器的正极，第二MOS管的源极和第四忆阻器的负极接地；三个复合逻辑门中的三个第一忆阻器的正极分别作为信号触发电路的高位、次位和低位信号输入端，对应的第一MOS管的漏极分别作为信号触发电路的高位、次位和低位信号输出端，三个第二忆阻器的正极连接后作为触发信号输入端；所述的信号锁存电路包括三个相同的基本逻辑门和三个相同的复合逻辑门，对应的一对基本逻辑门和复合逻辑门构成一组逻辑单元；每个逻辑单元中，基本逻辑门包括两个忆阻器，其中第五忆阻器的负极和第六忆阻器的负极分别作为基本逻辑门的输入端，第五忆阻器的正极和第六忆阻器的正极连接，作为基本逻辑门输出端；复合逻辑门包括四个忆阻器和两个MOS管，第七忆阻器的正极接基本逻辑门输出端，第七忆阻器的负极和第八忆阻器的负极连接后接第三MOS管的栅极和第四MOS管的栅极，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓媛，周嘉维，吴志茹，杨柳，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：