电子电路和双稳态电路制造技术

一种电子电路，其具有：单元阵列，其具有多个存储器单元，各个存储器单元分别具有双稳态电路，该双稳态电路具有第一逆变器电路和第二逆变器电路，该第一逆变器电路和该第二逆变器电路能够切换传递特性实质上不具有滞后的第一模式和传递特性具有滞后的第二模式，第一逆变器电路的输出节点和输入节点分别与第二逆变器电路的输入节点和输出节点连接；以及控制电路，其在将多个存储器单元中的可以不保持数据的一个或多个第一存储器单元断电之后，将多个存储器单元中的剩余的一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路设为所述第二模式，在维持第二模式的状态下向一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路提供第二电源电压，该第二电源电压比在读出和/或写入数据时提供给双稳态电路的第一电源电压低，在第二电源电压下，第二模式的双稳态电路能够保持数据。第二模式的双稳态电路能够保持数据。第二模式的双稳态电路能够保持数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子电路和双稳态电路


[0001]本专利技术涉及电子电路和双稳态电路，例如涉及双稳态电路以及具有多个存储器单元的电子电路，其中，该存储器单元包含该双稳态电路。

技术介绍

[0002]公知有以下技术(例如专利文献1)：能够不使用非易失性元件，而使用仅由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成的逆变器来构成虚拟非易失性SRAM(VNR
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SRAM)。在VNR
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SRAM中，使用能够切换施密特触发器(ST)模式和升压逆变器(BI)模式的双模式逆变器，在该施密特触发器(ST)模式下能够进行超低电压(ULV)保持，在该升压逆变器(BI)模式下能够以通常的电压实现与SRAM等同的电路性能。能够将该ULV保持用于电源门控(PG)。
[0003]公知有使用了具有双稳态电路和非易失性元件的存储器单元(NV
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SRAM)的存储电路(例如专利文献2)。在NV
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SRAM中，将双稳态电路的数据存储到非易失性元件中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子电路，其具有：单元阵列，其具有多个存储器单元，各个存储器单元分别具有双稳态电路，该双稳态电路具有第一逆变器电路和第二逆变器电路，该第一逆变器电路和该第二逆变器电路能够切换传递特性实质上不具有滞后的第一模式和传递特性具有滞后的第二模式，所述第一逆变器电路的输出节点和输入节点分别与所述第二逆变器电路的输入节点和输出节点连接；以及控制电路，其在将所述多个存储器单元中的可以不保持数据的一个或多个第一存储器单元断电之后，将所述多个存储器单元中的剩余的一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路设为所述第二模式，在维持所述第二模式的状态下向所述一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路提供第二电源电压，该第二电源电压比在读出和/或写入数据时提供给双稳态电路的第一电源电压低，在该第二电源电压下，所述第二模式的双稳态电路能够保持数据。2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述单元阵列被分割成多个块，各个块至少包含两个存储器单元，所述控制电路在从所述多个块中提取出可以不保持数据的一个或多个第一块，并将所述一个或多个第一块断电后，将所述多个块中的剩余的一个或多个第二块内的双稳态电路设为所述第二模式，在维持所述第二模式的状态下向所述一个或多个第二块内的双稳态电路提供所述第二电源电压。3.根据权利要求2所述的电子电路，其中，所述控制电路在将所述一个或多个第二块内的双稳态电路设为所述第二模式之前，向所述一个或多个第二块提供第三电源电压，该第三电源电压比所述第一电源电压低并且比所述第二电源电压高，在该第三电源电压下，所述第一模式的双稳态电路能够保持数据。4.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述控制电路在向所述一个或多个第二块内的双稳态电路提供所述第三电源电压的状态下将所述一个或多个第二块内的双稳态电路设为所述第二模式。5.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述一个或多个第二块为多个第二块，所述控制电路在向所述多个第二块中的一个或多个第三块的双稳态电路提供所述第三电源电压的状态下将所述一个或多个第三块内的双稳态电路设为所述第二模式，在所述一个或多个第三块内的双稳态电路为所述第二模式的状态下提供所述第二电源电压，之后，在向所述多个第二块中的与所述一个或多个第三块不同的一个或多个第四块的双稳态电路提供所述第三电源电压的状态下将所述一个或多个第四块内的双稳态电路设为所述第二模式，在所述一个或多个第四块内的双稳态电路为所述第二模式的状态下提供所述第二电源电压。6.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述一个或多个第二块为多个第二块，所述控制电路在向所述多个第二块内的双稳态电路提供所述第三电源电压的状态下将所述多个第二块内的双稳态电路设为所述第二模式，之后在所述多个第二块内的双稳态电路为所述第二模式的状态下提供所述第二电源电压。
7.根据权利要求2至6中的任意一项所述的电子电路，其中，所述电子电路具有存储电路，该存储电路设置于所述单元阵列之外，存储从外部电路接收到的表示可以不保持所述数据的块的信息，所述控制电路根据所述信息来提取可以不保持所述数据的所述一个或多个第一块。8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的电子电路，其中，所述第一逆变器电路和所述第二逆变器电路分别具有：第一导电类型的沟道的第一FET，其源极与第一电源线连接，漏极与输出节点连接，栅极与输入节点连接；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的沟道的第二FET，其源极与第二电源线连接，漏极与中间节点连接，栅极与所述输入节点连接，其中，在所述第二电源线与所述第一电源线之间提供电源电压；第二导电类型的沟道的第三FET，其源极与所述中间节点连接，漏极与所述输出节点连接，栅极与所述输入节点连接；以及第四FET，其源极和漏极中的一方与所述中间节点连接，所述源极和所述漏极中的另一方与控制节点连接，所述第一逆变器电路的第四FET的栅极与所述第一逆变器电路的输入节点、所述第一逆变器电路的输出节点、所述第二逆变器电路的输入节点以及所述第二逆变器电路的输出节点中的任意一个节点连接，所述第二逆变器电路的第四FET的栅极与所述第二逆变器电路的输入节点、所述第二逆变器电路的输出节点、所述第一逆变器电路的输入节点以及所述第一逆变器电路的输出节点中的任意一个节点连接，所述第一逆变器电路的第四FET在栅极与所述第一逆变器电路的输出节点或所述第二逆变器电路的输入节点连接时是第二导电类型的沟道的FET，在栅极与所述第一逆变器电路的输入节点或所述第二逆变器电路的输出节点连接时是第一导电类型的沟道的FET，所述第二逆变器电路的第四FET在栅极与所述第二逆变器电路的输出节点或所述第一逆变器电路的输入节点连接时是第二导电类型的沟道的FET，在栅极与所述第二逆变器电路的输入节点或所述第一逆变器电路的输出节点连接时是第一导电类型的沟道的FET。9.根据权利要求8所述的电子电路，其中，对所述第一逆变器电路和所述第二逆变器电路的控制节点施加恒定偏压，所述第一逆变器电路和所述第二逆变器电路在被提供所述第一电源电压时成为所述第一模式，在被提供所述第二电源电压时成为所述第二模式。10.一种双稳态电路，其具有：第一逆变器电路和第二逆变器电路，该第一逆变器电路和该第二逆变器电路分别具有第一导电类型的沟道的第一FET、与所述第一导电类型相反的第二导电类型的沟道的第二FET、第二导电类型的沟道的第三FET以及第一导电类型的沟道的第四FET，在所述第一FET中，源极与第一电源线连接，漏极与输出节点连接，栅极与输入节点连接，在所述第二FET中，源极与第二电源线连接，漏极与中间节点连接，栅极与所述输入节点连接，在所述第三FET中，源极与所述中间节点连接，漏极与所述输出节点连接，栅极与所述输入节点连接，在所述第四FET中，源极和漏极中的一方与所述中间节点连接，所述源极和所述漏极中的另一
方与控制节点连接，其中，在所述第二电源线与所述第一电源线之间提供电源电压；第一存储节点，其与所述第一逆变器电路的输出节点和所述第二逆变器电路的输入节点连接；以及第二存储节点，其与所述第一逆变器电路的输入节点和所述第二逆变器电路的输出节点连接，所述第一逆变器电路的第四FET的栅极与所述第一逆变器电路的输入节点或所述第二逆变器电路的输出节点连接，所述第二逆变器电路的第四FET的栅极与所述第二逆...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原聪，北形大树，山本修一郎，
申请(专利权)人：国立研究开发法人科学技术振兴机构，
类型：发明
国别省市：