像素结构控制方法及设备、计算机可读存储介质技术

本发明专利技术公开了一种像素结构的控制方法及设备、计算机可读存储介质，所述像素结构的控制方法包括：将所述光电二极管复位；在曝光期间，利用所述电压转换控制信号控制所述传输管周期性地导通，以将来自所述光电二极管的曝光信号传输至所述浮动扩散节点，所述传输管每次导通的时间小于预设阈值，所述曝光信号为所述光电二极管对光信号转换生成；在像素读取期间，读出所述浮动扩散节点的信号。通过本发明专利技术技术方案能够缩小像素结构中产生的暗电流，进一步扩展像素结构的动态范围。一步扩展像素结构的动态范围。一步扩展像素结构的动态范围。

【技术实现步骤摘要】
像素结构控制方法及设备、计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及图像传感器领域，更具体地，其涉及一种像素结构的控制方法及设备、计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]图像传感器的动态范围与其像素的满井容量有关，像素的满井容量越大，则动态范围越大，而像素的满井容量受限于光电二极管的容量以及浮动扩散区的电容大小。随着工艺的进步，浮动扩散区的电容大小不再成为一个限制条件，光电二极管的电荷容量不足成为进一步提升满井容量的最大障碍。
[0003]为了克服这个障碍，现有技术采用电荷横向溢出的方法，即在光电二极管中的电荷达到最大容量后，将溢出的电荷转移至浮动扩散区。
[0004]但现有技术在将溢出的电荷转移至浮动扩散区时，会产生大量的暗电流，当像素缩小时，暗电流也会相对地成倍增长，限制动态范围的扩展。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是如何降低电荷横向溢出时产生的暗电流，以扩展动态范围。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种像素结构的控制方法，所述像素结构包括光电二极管、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的控制方法，其特征在于，所述像素结构包括光电二极管、传输管、增益控制管、复位管；其中，所述光电二极管的一端接地，另一端耦接所述传输管的源极，所述传输管的漏极耦接所述增益控制管的源极，所述传输管的栅极接入电压转换控制信号，所述增益控制管的漏极耦接所述复位管的源极，所述增益控制管的栅极接入增益控制信号，所述复位管的漏极接入复位电压，所述复位管的栅极接入复位控制信号，所述传输管的漏极与增益控制管的源极相连接的节点为浮动扩散节点；所述方法包括：将所述光电二极管复位；在曝光期间，利用所述电压转换控制信号控制所述传输管周期性地导通，以将来自所述光电二极管的曝光信号传输至所述浮动扩散节点，所述传输管每次导通的时间小于预设阈值，所述曝光信号为所述光电二极管对光信号转换生成；在像素读取期间，读出所述浮动扩散节点的信号。2.根据权利要求1所述的像素结构的控制方法，其特征在于，所述电压转换控制信号为开启时间小于所述预设阈值的脉冲信号。3.根据权利要求1所述的像素结构的控制方法，其特征在于，所述像素结构还包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端耦接所述增益控制管的漏极，所述第一电容的第二端接地，所述第二电容的第一端耦接所述传输管的漏极，所述第二电容的第二端接地。4.根据权利要求3所述的像素结构的控制方法，其特征在于，所述光电二极管在所述传输管的栅极施加所述脉冲信号时的井容量大于第二电容的满井容量。5.根据权利要求3所述的像素结构的控制方法，其特征在于，所述第一电容的电容值为所述第二电容的电容值与预设倍数的乘积。6.根据权利要求1所述的像素结构的控制方法，其特征在于，所述利用所述电压转换控制信号控制所述传输管周期性地导通包括：在所述传输管的栅极周期性地施加所述脉冲信号。7.根据权利要求1所述的像素结构的控制方法，其特征在于，曝光期间的转移电荷量与所述第二电容的满井容量之和小于所述浮动扩散节点的满井容量，所述曝光期间的转移电荷量采用以下公式表示：(FWPD
‑
FWM)
×
N，其中，FWPD为所述光电二极管在所述传输管关闭时的井容量，FWM为所述光电二极管在所述传输管的栅极施加所述脉冲信号时的井容量，N为所述传输管在曝光期间导通的次数，N为...

【专利技术属性】
技术研发人员：任张强，
申请(专利权)人：锐芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：