一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法技术

本发明专利技术提供一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法，属于光芯片技术领域。因为在铌酸锂层与硬掩膜层之间设置了阻挡层，所以，在刻蚀硬掩膜层时，使得单位面积密度不同的两个区域的条状结构刻蚀均停止于阻挡层，所以，提高了刻蚀的均匀性和一致性。另外，铌酸锂具有较大的非线性光学系数、透光范围宽、透过率高，在刻蚀铌酸锂层的过程中，因为设置有阻挡层，所以，减少了两个密度分布不均的区域中条状结构之间的深度差异，并克服了不同区域条状结构中光源的串扰，从而提高了光芯片的光学性能。从而提高了光芯片的光学性能。从而提高了光芯片的光学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法


[0001]本专利技术涉及光芯片
，具体涉及一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法。

技术介绍

[0002]光芯片制造工艺是一种平面制作工艺，其结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入等多种工艺，在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的光学功能。其中，任何一步工艺出现偏差，都可能会导致光路的性能参数偏离设计值。因此，制造光芯片对各步工艺的控制提出了更高的要求。
[0003]以刻蚀工艺为例，通常需要利用刻蚀技术，采用硬掩膜板或者金属掩膜板来形成各种刻蚀图形，如栅极图形。但是在衬底上所要刻蚀的各图形的大小、形状及分布密度存在较大差异时，由于光的折射和散射，会使得分布密度较大的区域中的部分光源游离至分布密度较小的区域，从而改变了各图形中原有光源的部分传播特性，降低了光学性能。
[0004]铌酸锂具有较大的非线性系数，并且透光范围宽，透过率高，在光芯片领域具有较好的应用。然而如何在铌酸锂层刻蚀得到均匀性、一致性较好的波导，值得进行研究。

技术实现思路
/>[0005]本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂光芯片脊形波导制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，在衬底上由下到上依次设置铌酸锂层、阻挡层、硬掩膜层；步骤S2，在所述硬掩膜层上涂覆光刻胶，利用所述光刻胶曝光显影后，得到预定图案；步骤S3，基于所述预定图案，刻蚀所述硬掩膜层，并刻蚀停止于所述阻挡层，在所述硬掩膜层上得到具有多个条状结构的第一区域与具有多个条状结构的第二区域；步骤S4，基于所述硬掩膜层，移除所述光刻胶；步骤S5，刻蚀所述阻挡层；步骤S6，刻蚀所述铌酸锂层，得到铌酸锂脊形波导；步骤S7，移除所述阻挡层与所述硬掩膜层。2.根据权利要求1所述的铌酸锂光芯片脊形波导制备方法，其特征在于：其中，所述第一区域中所述条状结构的单位面积的密度大于所述第二区域中所述条状结构的单位面积的密度。3.根据权利要求2所述的铌酸锂光芯片脊形波导制备方法，其特征在于：其中，所述第一区域中所述条状结构并排设置，所述第二区域中所述条状结构并排设置。4.根据权利要求3所述的铌酸锂光芯片脊形波导制备方法，其特征在于：其中，步骤3中，在刻蚀所述硬掩膜层的过程中，将所述第一区域中相邻两个条状结构之间的所述硬掩膜层的表面到所述衬底底面的高度记为H1，所述铌酸锂层的表面到所述衬底底面的高度记为H2，H1
‑
H2>H3，H3为所述阻挡层的最大高度。5.根据权利要求4所述的铌酸锂光芯片脊形波导制备方法，其特征在于：其中，在刻蚀停止于所述阻挡层时，所述第一区域中所述阻挡层到所述衬底底面的高度等于所述第二区域中所述阻挡层到所述衬底底面的高度。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小强，
申请(专利权)人：上海图灵智算量子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：