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本发明提供一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法，属于光芯片技术领域。因为在铌酸锂层与硬掩膜层之间设置了阻挡层，所以，在刻蚀硬掩膜层时，使得单位面积密度不同的两个区域的条状结构刻蚀均停止于阻挡层，所以，提高了刻蚀的均匀性和一致性。另外，铌酸锂具...
该专利属于上海图灵智算量子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海图灵智算量子科技有限公司授权不得商用。

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