包含具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、且优选显示溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物、例如包含酰胺基的环状化合物、例如活性质子化合物与具有环氧基的杂环化合物前体的反应生成物。成物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物


[0001]本专利技术涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物、由该抗蚀剂下层膜形成用组合物获得的抗蚀剂下层膜、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的进行了图案形成的基板的制造方法和半导体装置的制造方法、以及具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物及其制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，在基板与在其上形成的抗蚀剂膜之间设置抗蚀剂下层膜，形成所希望的形状的抗蚀剂图案的光刻工艺是众所周知的。在形成了抗蚀剂图案后进行抗蚀剂下层膜的除去和基板的加工，作为该工序，主要使用了干蚀刻。进一步，在基板加工后将不要的抗蚀剂图案、基底的抗蚀剂下层膜除去的工序中，也使用了干蚀刻，但以工艺工序的简化、对加工基板的破坏减少作为目的，有时使用采用药液的湿蚀刻。
[0003]在专利文献1中，公开了一种被改良了的ARC组合物，其由
[0004]a.预先选择的酚
‑
或羧酸
‑
官能性染料、与具有大于2.0且小于10的环氧官能度的聚(环氧化物)树脂的染料
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物、和溶剂。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物为包含酰胺基的环状化合物。3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物为活性质子化合物、与具有环氧基的杂环化合物前体的反应生成物。4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述二氰基苯乙烯基由下述式(1)表示，在式(1)中，X表示烷基、羟基、烷氧基、烷氧基羰基、卤原子、氰基或硝基，R表示氢原子、烷基或亚芳基，n表示0～4的整数，＊表示对杂环化合物的键合部分。5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物由下述式(2)表示，在式(2)中，Q为从杂环化合物去掉了m个末端原子的基团，m为1～4的整数，m个A各自独立地为直接键合、或碳原子数1～10的亚烷基，所述亚烷基可以具有支链且可以经取代，在亚烷基中可以包含醚键、硫醚键或酯键，m个B各自独立地表示直接键合、醚键、硫醚键或酯键，m个R1～R3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，m个L各自独立地由下述式(3)表示，在式(3)中，Y表示醚键、硫醚键或酯键，R表示氢原子、烷基或亚芳基，n表示0～4的整数，n个X各自独立地表示烷基、羟基、烷氧基、烷氧基羰基、卤原子、氰基或硝基。6.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述杂环为三嗪三
酮。7.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(2)中的Q为三嗪三酮。8.根据权利要求4或5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)和/或式(3)中的R为氢原子。9.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(3)中的Y表示醚键或酯键。10.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(2)中的A表示直接键合。11.根据权利要求1～10中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂和/或交联催化剂。12.根据权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在表面包含铜的基板上使用。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤贵文，远藤勇树，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：