一种钽包套的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种钽包套的制备方法，所述制备方法包括：对钽板依次经进行一次拉伸成型、一次热处理、二次拉伸成型、二次热处理、三次拉伸成型、四次拉伸成型和三次热处理，得到包套腔；之后将所述包套腔和盖板进行焊接得到所述钽包套；所述一次热处理的温度为1000

【技术实现步骤摘要】
一种钽包套的制备方法


[0001]本专利技术涉及靶材领域，具体涉及一种钽包套的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，硫氧化钆材料在数字X射线摄影的平板探测器中应用，是由于其作为闪烁材料能将入射在其上的高能射线(X/γ射线)或粒子转换为紫外或可见光的晶态能量转换体。
[0003]如CN109370583A公开了一种用于硫氧化钆荧光粉的制备方法及其产品和应用，通过液相沉淀法来获取掺杂的氧化钆粉体，以此掺杂的氧化钆粉体与硫源及熔盐混合，采用溶剂热法来制备硫氧化钆粉体，其中，所述的液相沉淀法，是将不同的稀土硝酸盐溶液混合均匀后，与沉淀剂反应来生成掺杂的稀土沉淀物前驱体，煅烧后分解为掺杂的氧化钆粉体。制备过程中稀土氧化物粉体通过硝酸溶解再沉淀的过程纯度得以提高，有效的减少某些杂质对硫氧化钆荧光粉发光性能的影响；稀土离子的掺杂均匀性更好，在液相中，稀土离子可以实现在分子水平上的混合，其均匀性是任何固相混合方法所不能比拟的。利用上述方法制备的硫氧化钆荧光粉，具有工艺简单，纯度高，掺杂均匀等特点。
[0004]硫氧化钆材料在数字X射线摄影的平板探测器中应用时通常烧结为陶瓷体进行使用。
[0005]如CN105800663A公开了一种硫氧化钆闪烁陶瓷的热压反应烧结方法，包括：将Gd2O2SO4与还原剂粉末均匀混合后得到原料粉末，将原料粉末进行分段烧结，其中，还原剂包括活性炭、石墨烯、焦炭、木炭，分段烧结包括在820
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950℃、10
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75MPa下进行第一阶段烧结、以及1000
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1500℃、30
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150MPa下进行第二阶段烧结，烧结过程中保持惰性气氛、还原性气氛或真空。该方法在烧结过程中，利用反应所放出的能量可以为致密化提供额外的动力，所以在较低的温度和压力下就可以获得高致密的陶瓷。在烧结的过程中，不需要加入烧结助剂，减少了外来杂质离子对闪烁性能的干扰。大大缩短了生产周期，提高了生产效率，具有工艺简单、生产成本低等特点，所获得高致密度陶瓷的在高能射线激发下，发射波长和光电二极管的匹配好，具有很高的探测效率。
[0006]然而当前在利用热等静压进行硫氧化钆陶瓷烧制时由于烧结温度高，压力大及烧结的过程中伴随着反应，硫蒸气会充满包套导致包套出现损毁或缩小的问题。同时还会影响所得烧结陶瓷的性能。

技术实现思路

[0007]鉴于现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种钽包套的制备方法，以解决目前所得包套在高温使用过程中存在的气密性不足，变形率较大的问题。
[0008]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]本专利技术提供了一种钽包套的制备方法，所述制备方法包括：对钽板依次经进行一次拉伸成型、一次热处理、二次拉伸成型、二次热处理、三次拉伸成型、四次拉伸成型和三次热处理，得到包套腔；之后将所述包套腔和盖板进行焊接得到所述钽包套；
[0010]所述一次拉伸成型所得包套的直径＞所述二次拉伸成型所得包套的直径；
[0011]所述三次拉伸成型所得包套的直径＜所述二次拉伸成型所得包套的直径；
[0012]所述三次拉伸成型所得包套的直径＜所述四次拉伸成型所得包套的直径；
[0013]所述一次热处理的温度为1000
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1200℃；所述二次热处理的温度为700
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800℃；所述三次热处理的温度为850
‑
970℃。
[0014]本专利技术提供的制备方法，通过对包套制备过程的重新设计，避免了包套在高温高压下出现的变形及气密性变差的问题。采用特定的拉伸和热处理过程相结合，使得得到的包套具有良好的气密性，在高温高压热处理后热能保证良好的气密性。而在热处理过程中，由于采用了特定温度制度，显著降低了包套使用过程中的变形。
[0015]本专利技术中，所述一次拉伸成型为将板材通过拉伸成型为一定直接的圆柱形包套，形状类似桶形，即一侧开口。后续的拉伸成型于此类似。
[0016]本专利技术中，所述一次热处理的温度为1000
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1200℃，例如可以是1000℃、1010℃、1020℃、1030℃、1040℃、1050℃、1060℃、1070℃、1080℃、1090℃、1100℃、1110℃、1120℃、1130℃、1140℃、1150℃、1160℃、1170℃、1180℃、1190℃或1200℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的组合同样适用。
[0017]本专利技术中，所述二次热处理的温度为700
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800℃，例如可以是700℃、710℃、720℃、730℃、740℃、750℃、760℃、770℃、780℃、790℃或800℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的组合同样适用。
[0018]本专利技术中，所述三次热处理的温度为850
‑
970℃，例如可以是850℃、860℃、870℃、880℃、890℃、900℃、910℃、920℃、930℃、940℃、950℃、960℃或970℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的组合同样适用。
[0019]作为本专利技术优选的技术方案，所述钽板的厚度为1.5
‑
2.5mm，例如可以是1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm、2.1mm、2.2mm、2.3mm、2.4mm或2.5mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的组合同样适用。
[0020]本专利技术中，先采用较高温度的烧结实现对钽板中晶粒的重新分布，实现对晶粒组织的重新划分，接着采用较低温度的热处理进一步优化包套的表面性能，保证最终的包套具有良好的抗变形性能。
[0021]作为本专利技术优选的技术方案，所述一次拉伸成型所得包套的直径为180
‑
200mm，例如可以是180mm、181mm、182mm、183mm、184mm、185mm、186mm、187mm、188mm、189mm、190mm、191mm、192mm、193mm、194mm、195mm、196mm、197mm、198mm、199mm或200mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的组合同样适用。
[0022]作为本专利技术优选的技术方案，所述二次拉伸成型所得包套的直径为140
‑
150mm，例如可以是140mm、141mm、142mm、143mm、144mm、145mm、146mm、147mm、148mm、149mm或150mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0023]作为本专利技术优选的技术方案，所述三次拉伸成型所得包套的直径为100
‑
110mm，例如可以是100mm、101mm、102mm、103mm、104mm、105mm、106mm、107mm、108mm、109mm或110mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的组合同样适用。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钽包套的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：对钽板依次经进行一次拉伸成型、一次热处理、二次拉伸成型、二次热处理、三次拉伸成型、四次拉伸成型和三次热处理，得到包套腔；之后将所述包套腔和盖板进行焊接得到所述钽包套；所述一次拉伸成型所得包套的直径＞所述二次拉伸成型所得包套的直径；所述三次拉伸成型所得包套的直径＜所述二次拉伸成型所得包套的直径；所述三次拉伸成型所得包套的直径＜所述四次拉伸成型所得包套的直径；所述一次热处理的温度为1000
‑
1200℃；所述二次热处理的温度为700
‑
800℃；所述三次热处理的温度为850
‑
970℃。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钽板的厚度为1.5
‑
2.5mm。3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述一次拉伸成型所得包套的直径为180
‑
200mm。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述二次拉伸成型所得包套的直径为140
‑
150mm。5.如权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述三次拉伸成型所得包套的直径为100
‑
110mm。6.如权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述四次拉伸成型所得包套的直径为120
‑
125mm。7.如权利要求1
‑
6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述一次热处理的时间为1
‑
2h；优选地，所述一次热处理的升温速率为10
‑
15℃/min。8.如权利要求1
‑
7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述二次热处理的时间为30
‑
45min；优选地，所述二次热处理的升温速率为2
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，周友平，曹欢欢，
申请(专利权)人：宁波江丰热等静压技术有限公司，
类型：发明
国别省市：