蓝光发光器件、显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:32930437 阅读:23 留言:0更新日期:2022-04-07 12:21
本申请提供一种蓝光发光器件、显示面板和显示装置,涉及显示技术领域,用于解决现有的显示面板蓝光低灰阶效率较低的技术问题。该蓝光发光器件包括依次层叠设置的阳极、发光层、空穴阻挡层和阴极,所述发光层和空穴阻挡层之间设置有电子过渡层,所述电子过渡层包括蓝光主体材料和空穴阻挡材料。所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV。本申请能够提高蓝光低灰阶时的电子注入数量,提高蓝光低灰阶效率,避免了显示面板低灰阶色偏,改善了显示面板和显示装置的显示效果。改善了显示面板和显示装置的显示效果。改善了显示面板和显示装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
蓝光发光器件、显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种蓝光发光器件、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light

Emitting Diode,简称OLED)显示技术具有成本低、视角宽、驱动电压低、响应速度快、发光色彩丰富、制备工艺简单、可实现大面积柔性显示等优点,被认为是最具发展前景的显示技术之一。
[0003]OLED显示面板包括衬底和多个有机发光单元,多个有机发光单元阵列排布在衬底上。其中,有机发光单元包括层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。在电压的驱动下,电子从阴极注入到电子注入层,然后依次经过电子传输层和空穴阻挡层迁移到有机发光层,空穴从阳极注入到空穴注入层,然后依次经过空穴传输层和电子阻挡层迁移到有机发光层,空穴和电子相遇形成激子使有机发光层中的发光分子激发,发光分子发出可见光。
[0004]然而,上述的显示面板存在蓝光低灰阶效率较低的问题,导致显示面板存在低灰阶色偏,影响显示面板的显示效果。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题,本申请实施例提供一种蓝光发光器件、显示面板和显示装置,能够提高蓝光低灰阶时的电子注入数量,提高蓝光低灰阶效率,避免了显示面板低灰阶色偏,改善了显示面板和显示装置的显示效果。
[0006]为了实现上述目的,本申请实施例提供如下技术方案:
[0007]本申请实施例的第一方面提供一种蓝光发光器件,该蓝光发光器件包括依次层叠设置的阳极、发光层、空穴阻挡层和阴极,所述发光层和空穴阻挡层之间设置有电子过渡层,所述电子过渡层包括蓝光主体材料和空穴阻挡材料。
[0008]所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV。
[0009]本申请实施例提供的蓝光发光器件,通过在发光层和空穴阻挡层之间设置电子过渡层,这样,一方面该电子过渡层与空穴阻挡层均具有空穴阻挡材料,使得电子过渡层和空穴阻挡层之间的LUMO能级差较小,有利于电子从空穴阻挡层迁移到电子过渡层。另一方面该电子过渡层与发光层均具有蓝光主体材料,使得发光层和电子过渡层之间的LUMO能级差较小,有利于电子从电子过渡层迁移到发光层。通过使电子过渡层中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV,进一步降低了电子从空穴阻挡层向发光层迁移的能垒。上述设置提高了蓝光发光器件在蓝光低灰阶时的电子注入能力,从而提高电子注入数量,提高蓝光发光器件的蓝光低灰阶效率。
[0010]在一种可能的实现方式中,当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时,所述空穴阻挡材料的电子迁移率的增加值小于0.01倍。
[0011]这样,避免了空穴阻挡材料的电子迁移率随电流密度变化较大,防止激子发生淬
灭,避免发生效率滚降。
[0012]在一种可能的实现方式中,当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时,所述空穴阻挡材料的电子迁移率均为所述蓝光主体材料的电子迁移率的1

10倍。
[0013]这样,避免空穴阻挡材料和蓝光主体材料的电子迁移率随电流密度变化过大,防止激子发生淬灭,避免发生效率滚降。
[0014]在一种可能的实现方式中,当电流密度为0.1mA/cm2时,所述空穴阻挡材料的电子迁移率为所述蓝光主体材料的电子迁移率的N倍;当电流密度为10mA/cm2时,所述空穴阻挡材料的电子迁移率为所述蓝光主体材料的电子迁移率的M倍;所述M等于所述N。
[0015]这样,可以最大程度避免空穴阻挡材料和蓝光主体材料的电子迁移率随电流密度变化过大,最大程度防止激子发生淬灭,避免发生效率滚降。
[0016]在一种可能的实现方式中,当电流密度为0.1mA/cm2时,所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.1eV。
[0017]和/或,当电流密度为10mA/cm2时,所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差大于0.1eV且不大于0.3eV。
[0018]这样,在低电流密度下,能够进一步降低电子注入的能垒;在高电流密度下,能够增加激子的数量。
[0019]在一种可能的实现方式中,所述电子过渡层的厚度范围介于3

7nm。
[0020]这样,一方面最大程度降低蓝光发光器件的厚度,另一方面保证电子过渡层能够显著增加电子的注入能力。
[0021]在一种可能的实现方式中,所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的质量比范围介于3:7

7:3。
[0022]这样,可以提高电子过渡层的电子注入能力,增强电子从空穴阻挡层向发光层的注入。
[0023]在一种可能的实现方式中,所述蓝光主体材料包括联苯菲并咪唑衍生物和吖啶杂环衍生物中的任意一种或多种复合物。
[0024]在一种可能的实现方式中,所述空穴阻挡材料包括三嗪类化合物和蒽类化合物中的任意一种或多种复合物。
[0025]这样,可以降低空穴阻挡层和发光层之间的能垒,提高电子注入能力。
[0026]在一种可能的实现方式中,所述阳极和所述发光层之间依次层叠设置有空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,所述空穴阻挡层和所述阴极之间依次层叠设置有电子传输层和电子注入层。
[0027]这样,能够在阳极和发光层之间以及阴极和发光层之间形成类似于阶梯形式的能阶状态,使分别从阳极和阴极所提供的空穴和电子,更容易传输至发光层结合后形成激子。
[0028]本申请实施例的第二方面提供一种显示面板,该显示面板包括基板和上述的蓝光发光器件,所述蓝光发光器件设置在所述基板上。
[0029]本申请实施例提供的显示面板,通过在蓝光发光器件的发光层和空穴阻挡层之间设置电子过渡层,这样,一方面该电子过渡层与空穴阻挡层均具有空穴阻挡材料,使得电子过渡层和空穴阻挡层之间的LUMO能级差较小,有利于电子从空穴阻挡层迁移到电子过渡层。另一方面该电子过渡层与发光层均具有蓝光主体材料,使得发光层和电子过渡层之间
的LUMO能级差较小,有利于电子从电子过渡层迁移到发光层。通过使电子过渡层中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV,进一步降低了电子从空穴阻挡层向发光层迁移的能垒。上述设置提高了显示面板在蓝光低灰阶时的电子注入数量,提高显示面板的蓝光低灰阶效率,避免了显示面板低灰阶色偏,改善了显示面板的显示效果。
[0030]本申请实施例的第三方面提供一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板。
[0031]本申请实施例提供的显示装置,通过在蓝光发光器件的发光层和空穴阻挡层之间设置电子过渡层,这样,一方面该电子过渡层与空穴阻挡层均具有空穴阻挡材料,使得电子过渡层和空穴阻挡层之间的LUMO能级差较小,有利于电子从空穴阻挡层迁移到电子过渡层。另一方面该电子过渡层与发光层均具有蓝光主体材本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蓝光发光器件,其特征在于,包括依次层叠设置的阳极、发光层、空穴阻挡层和阴极,所述发光层和空穴阻挡层之间设置有电子过渡层,所述电子过渡层包括蓝光主体材料和空穴阻挡材料;所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV。2.根据权利要求1所述的蓝光发光器件,其特征在于,当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时,所述空穴阻挡材料的电子迁移率的增加值小于0.01倍。3.根据权利要求2所述的蓝光发光器件,其特征在于,当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时,所述空穴阻挡材料的电子迁移率均为所述蓝光主体材料的电子迁移率的1

10倍。4.根据权利要求3所述的蓝光发光器件,其特征在于,当电流密度为0.1mA/cm2时,所述空穴阻挡材料的电子迁移率为所述蓝光主体材料的电子迁移率的N倍;当电流密度为10mA/cm2时,所述空穴阻挡材料的电子迁移率为所述蓝光主体材料的电子迁移率的M倍;M等于N。5.根据权利要求1

4中任一项所述的蓝光发光器件,其特征在于,当电流密度为0.1mA/cm2时,所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.1eV;和/或,当电流...

【专利技术属性】
技术研发人员:王晓文赵伟黄智姚纯亮
申请(专利权)人:云谷固安科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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