【技术实现步骤摘要】
钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置
[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置。
技术介绍
[0002]近几年，通过组分优化、界面修饰、载流子传输层优化以及结构设计，基于钙钛矿材料制备的光电子器件的性能逐年提高，使用喷墨打印法(IJP)制备高分辨率的钙钛矿光电子器件被视作光电子器件的有力应用。
[0003]钙钛矿的界面性质对器件的性能有重要影响。一方面，这些缺陷态会影响电荷的注入影响器件性能。另一方面，界面缺陷会加速离子迁移，影响稳定性。富勒烯衍生物(PCBM)作为常用的钝化材料存在覆盖性或者漏电等问题，亟需改善。
技术实现思路
[0004]为了克服现有技术的不足，本申请提供一种钙钛矿发光二极管器件，通过吡啶掺杂石墨炔与富勒烯衍生物的材料搭配构成的电子传输层，可以有效钝化钙钛矿的界面缺陷，有效抑制器件的漏电流，提高了电子的注入效率及钙钛矿发光效率。
[0005]本申请提供一种钙钛矿发光二极管器件，包括：
[0006]第一电极；
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，包括：第一电极；第二电极；设置在所述第一电极与所述第二电极之间的钙钛矿发光层；设置在所述钙钛矿发光层与所述第二电极之间的电子传输层；其中，所述电子传输层的材料包括吡啶掺杂石墨炔和富勒烯衍生物。2.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述钙钛矿发光层的材料包括MAPbX3或CsPbX3，其中X独立地选自卤素元素。3.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述钙钛矿发光二极管器件还包括设置于所述第一电极与所述钙钛矿发光层之间的空穴功能层；所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层。4.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述钙钛矿发光二极管器件还包括设置于所述电子传输层与所述第二电极之间的电子注入层。5.根据权利要求4所述的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述电子注入层的材料选自碱金属氧化物、碱土金属氧化物、碱金属碳酸化物、碱土金属碳酸化合物、碱金属氟化物、碱土金属氟化物、碱土金属氢氧化物和碱金属氢氧化物中的一种或多种；和/或所述第二电极的材料为透明导电氧化物。6.一种钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将吡啶掺杂石墨炔与富勒烯衍生物混合，加入有机溶剂，分散均匀，得到混合分散液；采用所述混合分散液在钙钛矿发光层或第二电极上形成电子传输层。7.根据权利要求6所述的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括如下...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈学彬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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