一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，还包括：设置于所述电子传输层和量子点发光层之间的界面修饰层，所述界面修饰层包括1

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(QLED)近年来广泛受到关注，主要是因其具有发光光谱连续可调、亮度高、色纯度高等的独特光学物理特性，成为下一代显示和照明领域的有力竞争者。QLED器件的效率在研究者的不懈努力下不断提高，但就现阶段的器件效率和寿命还相对较低，其工业应用受到巨大的挑战。但是在QLED器件中广泛采用无机有机载流子传输层混合的结构，即由阳极、有机空穴传输层、发光层、无机电子传输层和阴极构成，该结构的器件存在以下缺陷：一方面器件内部各功能层之间的界面，如电子传输层与量子点发光层之间的界面，电荷容易在该界面处被淬灭，阻碍电荷的界面传输；另一方面利用分散性良好的纳米颗粒作为电子传输材料，该电子传输材料通过一定方式制备出的电子传输层，其内部是无数个纳米颗粒堆积而成的，这就无形中产生了无数的颗粒之间的界面，影响电子在传输层内部之间的传输，同时为了维持纳米颗粒的量子点特性，制备时引入的长链的有机配体也降低了电子传输层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，还包括：设置于所述电子传输层和量子点发光层之间的界面修饰层，所述界面修饰层包括MrGO-AD复合纳米片；所述MrGO-AD复合纳米片包括：石墨烯纳米片、MXene纳米片和1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子，所述Mxene纳米片设置于两相邻石墨烯纳米片之间的间隙，所述两相邻石墨烯纳米片之间通过所述1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子交联；其中所述MXene为Ti3C2T
x
。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层由MrGO-AD复合纳米片组成。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层的厚度为1-50nm。4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述两相邻石墨烯纳米片相互隔开形成间隙，所述Mxene纳米片设置于所述两相邻石墨烯纳米片之间的间隙中。5.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：在阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成界面修饰层，所述界面修饰层包括MrGO-AD复合纳米片；在所述界面修饰层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；或者，在阴极上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成界面修饰层，所述界面修饰层包括MrGO-AD复合纳米片；在所述界面修饰层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成阳极，得到所述量子点发光二极管；其中，所述MrGO-AD复合纳米片包括：石墨烯纳米片、MXene纳米片和1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子，所述Mxene纳米片设置于两相邻石墨烯纳米片之间的间隙，所述两相邻石墨烯纳米片之间通过所述1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子交联；其中所述MXene为Ti3C2T
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为表面官能团，x代表官能团的个数。6.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层中掺杂有MrGO-AD复合纳米片；所述MrGO-AD复合纳米片包括：石墨烯纳米片、MXene纳米片和1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子，所述Mxene纳米片设置于两相邻石墨烯纳米片之间的间隙，所述两相邻石墨烯纳米片之间通过所述1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子交联；其中所述MXene为Ti3C2T
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。7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10-200nm。8.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述MrGO-AD复合纳米片占所述量子点发光层的质量比为0.1％-10％。9.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述两相邻石墨烯纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖学森，严怡然，张建新，敖资通，杨帆，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：