【技术实现步骤摘要】
闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质
[0001]本申请涉及半导体集成电路
,具体而言,涉及一种闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
[0002]存储单元使用寿命是闪存芯片产品关键性能指标之一, 闪存芯片的可靠性测试也越来越重要。
[0003]行业内通常选取存储芯片部分存储单元进行循环cycle操作来评估其使用寿命的可靠性,以验证测试区域sector\block之间差异性。
[0004]现有的测试方法普遍是对部分扇区进行100k次的cycle操作以获取对应的擦除时间来评估闪存芯片的可靠性,该方法读写擦操作地址是按顺序针对同一区域进行的,不能够充分模拟客户实际使用场景,会导致对单一扇形区域过度使用,且不能反映其他存储区域使用情况对该存储区域的影响。
[0005]针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
[0006]本申请的目的在于提供一种闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质,以模拟芯片实际使用操作时不同区域产生 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存芯片的可靠性测试方法,用于对闪存芯片进行测试以获取能用于鉴别闪存芯片的耐久性和数据保持能力的数据,其特征在于,所述方法包括以下步骤:以扇区或块为最小划分单位将闪存芯片存储区域划分为轻度擦除区域、中度擦除区域、重度擦除区域和不擦除区域;重复且依次地对所述轻度擦除区域、所述中度擦除区域和所述重度擦除区域分别进行a次、n*a次和m*a次cycle操作,直至所述重度擦除区域完成预设数量的cycle操作,其中,a、n和m均为正整数,且m>n;获取所述重度擦除区域在所述cycle操作中的擦除时间。2.根据权利要求1所述的一种闪存芯片的可靠性测试方法,其特征在于,所述擦除时间为所述重度擦除区域完成所述预设数量的所述cycle操作累计的第一总擦除时间,或包括所述重度擦除区域每完成预设间隔数量的所述cycle操作累计的第二总擦除时间,或包括所述重度擦除区域每完成预设间隔数量的所述cycle操作中的最大值擦除时间、最小值擦除时间和中间值擦除时间。3.根据权利要求1所述的一种闪存芯片的可靠性测试方法,其特征在于,所述以扇区或块为最小划分单位将闪存芯片存储区域划分为轻度擦除区域、中度擦除区域、重度擦除区域和不擦除区域的步骤包括以下子步骤:以扇区或块为所述最小划分单位将所述闪存芯片存储区域等分为多个测试组;以所述最小划分单位将每一所述测试组均划分为轻度擦除区域、中度擦除区域、重度擦除区域和不擦除区域。4.根据权利要求3所述的一种闪存芯片的可靠性测试方法,其特征在于,同一所述测试组中,所述重度擦除区域、所述中度擦除区域、所述轻度擦除区域和所述不擦除区域为依次相邻设置。5.根据权利要求1所述的一种闪存芯片的可靠性测试方法,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:姬帅帅,叶继兴,
申请(专利权)人:芯天下技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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